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31. 发明申请

WO2005064696A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES UND/ODER STRAHLUNGSEMPFANGENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射和/或辐射接收半导体部件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005064696A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/DE2004/002738
申请日：2004-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg Erich
发明人： BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg Erich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/56 , H01L31/0203 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind. Das Kunststoff-Formteil besteht aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse. Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：发射辐射的和/或具有辐射发射和/或辐射接收半导体芯片，塑料成型，其是可渗透到从半导体元件发出的辐射接收半导体元件和/或接收电磁辐射，并将半导体芯片至少部分地转换，并且与外部电端子，其被电连接到半导体芯片的电接触表面。塑料模塑部分由反应固化型硅氧烷模塑组合物。此外，提供一种用于制造这种半导体器件的方法。

32. 发明申请

WO2004081972A3 GEHÄUSEKÖRPER OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SOLCHEN GEHÄUSEKÖRPER UND KUNSTSTOFFGEHÄUSEMATERIAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2004081972A3
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/DE2004/000271
申请日：2004-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZEILER, Markus , BRUNNER, Herbert , HÖFER, Thomas , KRÄUTER, Gertrud
发明人： BRUNNER, Herbert , HÖFER, Thomas , KRÄUTER, Gertrud
IPC分类号： H01L23/08
摘要： Bei einem Gehäusekörper (2) für ein elektronisches Bauelement (1), der zumindest teilweise aus Kunststoffmaterial gefertigt ist und an oder in dem mindestens ein erster und mindestens ein zweiter elektrischer Anschlußleiter angeordnet sind, zwischen denen im Betrieb des zugehörigen elektronischen Bauelements ein elektrisches Feld (12) vorliegt, ist das Kunst-stoffmaterial mit Füllstoffpartikeln (6) versetzt, die eine Migration von Metall und/oder Metallionen im Kunststoffmaterial unterbinden oder zumindest stark behindern.

33. 发明申请

WO2019025451A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019025451A1
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：PCT/EP2018/070757
申请日：2018-07-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEISEN, Daniel , BRUNNER, Herbert , DINU, Emilia , EBERHARD, Jens , KEITH, Christina , REESWINKEL, Thomas , RICHTER, Daniel
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/52
摘要： Bei einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger mit einer Oberseite bereitgestellt. Über der Oberseite des Trägers wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Weiterhin wird über der Oberseite des Trägers ein Vergussmaterial angeordnet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet wird. Das Vergussmaterial bildet eine Vergussoberfläche. Auf die Vergussoberfläche werden Partikel aufgesprüht, wobei ein Teil der Partikel an der Vergussoberfläche verbleibt, wobei an der Vergussoberfläche eine Topographie erzeugt wird.

34. 发明申请

WO2017037037A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITER-BAUTEILS, OPTOELEKTRONISCHES; HALBLEITER-BAUTEIL, UND TEMPORÄRER TRÄGER 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体器件，光电; 半导体部件和临时载体
公开(公告)号：WO2017037037A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/EP2016/070359
申请日：2016-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： JAEGER, Harald , MOOSBURGER, Jürgen , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Offenbart wird: ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180) mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines temporären Trägers (100) mit einer ersten Metallschicht (110) und einer zweiten Metallschicht (120), wobei die Metallschichten voneinander lösbar sind, und wobei zwischen den beiden Metallschichten eine Zwischenschicht (130), insbesondere eine Chromschicht, angeordnet ist, Befestigen eines optoelektronischen Halbleiterchips (140) auf der ersten Metallschicht (110) des temporären Trägers (100), und mechanisches Lösen der zweiten Metallschicht (120) von der ersten Metallschicht (110); ein optoelektronisches Halbleiter-Bauteil (180), das durch dieses Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180) hergestellt wurde, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (140) und Kontaktflächen, die ein Material der Zwischenschicht (130), insbesondere Chrom, aufweisen; und einen temporären Träger (100) zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauteils (180), wobei der temporäre Träger (100) eine erste Metallschicht (110), eine zweite Metallschicht (120), und eine zwischen den beiden Metallschichten angeordnete Zwischenschicht (130), welche insbesondere Chrom enthält oder aus Chrom besteht, aufweist, und wobei die erste Metallschicht (110) auf der zweiten Metallschicht (120) so angebracht ist, dass die zweite Metallschicht (120) von der ersten Metallschicht (110) mechanisch lösbar ist.
摘要翻译：公开的是：用于生产包括以下步骤的光电子半导体器件（180）的方法：提供临时支撑件（100），具有第一金属层（110）和第二金属层（120），其中，所述金属层是可拆卸的相互，和其中，布置在所述两个金属层之间的中间层（130），尤其是铬层，安装的临时支撑（100）和所述第二金属层（120）的机械释放的所述第一金属层（110）上的光电子半导体芯片（140）第一金属层（110）; 的光电子半导体器件（180），这是由该方法生产的用于制造光电子半导体器件（180），与光电半导体芯片（140）和构成该中间层（130）的材料，特别是铬的接触面; 和用于制造光电子半导体器件（180）的临时载体（100），所述临时支撑件（100），第一金属层（110），第二金属层（120）和设置在所述两个金属层中间层之间（130）其中包含，特别是铬或铬的，并且其中，所述第二金属层（120）在所述第一金属层（110）被安装成使得所述第一金属层（110）的所述第二金属层（120）是机械地可释放的。

35. 发明申请

WO2015172937A1 HALBLEITERBAUELEMENT, BELEUCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：半导体元件，照明装置和方法的半导体元件
公开(公告)号：WO2015172937A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：PCT/EP2015/057096
申请日：2015-03-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , BOGNER, Georg , BRUNNER, Herbert , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L24/25 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/82 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit - einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; - einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; - einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; - einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und - einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：本发明公开了一种半导体器件（1），包括： - 多个半导体芯片（2），每一个都具有与设置用于产生辐射激活区（20）的半导体层序列（200）; - 一个辐射出射侧（10），其平行于所述有源区; - 安装侧表面，该表面设置用于固定所述半导体器件和倾斜或垂直于所述辐射出射侧（11）; - 这是局部地形成在半导体芯片上并至少部分地成形的主体（4）形成所述安装表面; 和 - 连接其被布置在所述成型体和所述多个半导体芯片彼此电的至少两个半导体芯片的接触结构（50）。此外，提供了用于制造半导体装置的照明装置（9）和一种方法。

36. 发明申请

WO2014023617A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KONVERSIONSMITTELPLÄTTCHENS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件，转换剂板及其制造方法A转换器，平板
公开(公告)号：WO2014023617A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/EP2013/066011
申请日：2013-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , GALLMEIER, Hans-Christoph , STOLL, Ion , BRUNNER, Herbert , SCHLERETH, Thomas
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/501 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (3). Ferner umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Konversionsmittelplättchen (4), das an einer Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht und zur Umwandlung einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung eingerichtet ist. Das Konversionsmittelplättchen (4) weist ein Matrixmaterial (42) und darin eingebettete Konversionsmittelpartikel (43) auf. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Konversionsschicht (41a). In der mindestens einen Konversionsschicht (41a) befinden sich die Konversionsmittelpartikel (43). Die Konversionsmittelpartikel (43), alleine oder zusammen mit optional vorhandenen Diffusionsmittelpartikeln (45), machen einen Volumenanteil von mindestens 50 % der Konversionsschicht (41a) aus. Ferner umfasst das Konversionsmittelplättchen (4) eine Bindeschicht (41c), in der die Konversionsmittelpartikel (43) mit einem Volumenanteil von höchstens 2,5 % vorliegen.
摘要翻译：至少在一个实施例中，半导体器件（1）包括的光电子半导体芯片3。此外，半导体器件（1）包括变换介质板（4），其被安装在半导体芯片（3）的辐射主侧（30）和适于初级辐射转换成一个次级辐射。转换介质板（4）包括嵌入在其中的基体材料（42）和转换剂颗粒（43）。此外，转换介质板（4）包括一个转换层（41A）。在所述至少一个转换层（41A）是变换介质颗粒（43）。转换剂颗粒（43），与任选存在的扩散剂颗粒（45）单独或一起构成的转换层（41A）的至少50％的体积分数。此外，转换介质板（4）包括一接合层（41C），其中所述颗粒的转换装置（43）是与存在的不超过2.5％的体积分数。

37. 发明申请

WO2011154441A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERKÖRPERS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体本体，METHOD用于产生辐射发射的半导体本体与辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2011154441A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：PCT/EP2011/059485
申请日：2011-06-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , NINZ, Patrick
发明人： BRUNNER, Herbert , NINZ, Patrick
IPC分类号： H01L33/62 , H05K3/32 , H01L33/38 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H05K2201/10106 , H05K2201/10969 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (14) angegeben, der neben einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Zone (4), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, eine Trägerschicht (1) aufweist, die dazu vorgesehen ist, die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) mechanisch zu stabilisieren. Weiterhin weist der Halbleiterkörper (14) Kontaktstrukturen (9, 91) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (14) auf, die jeweils einen Volumenbereich (12) und einen Oberflächenfügebereich (13) aufweisen, wobei der Oberflächenfügebereich aus einem Material gebildet ist, das von dem Material des Volumenbereichs (12) verschieden ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterkörpers (14) und ein Bauelement mit einem solchen Halbleiterkörper (14) angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的半导体主体（14）的相邻的外延半导体层与适于产生电磁辐射的有源区（4）序列（3），支撑层（1），其被提供到外延半导体层序列（3），以机械地稳定。此外，半导体主体（14）接触结构（9，91），用于在半导体本体（14）的电接触，其各自具有一个体积区域（12）和所述连接区（13）的表面，其中所述接合区的表面由一种材料从形成的卷区域（12）的材料是不同的。它与这样的半导体主体（14）一种用于制造这种半导体本体（14）和部件的方法进一步指定。

38. 发明申请

WO2010025694A3 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2010025694A3
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/DE2009/001103
申请日：2009-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
发明人： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) weist dieses einen Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3) auf. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45), wobei eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45) erfolgt, und wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) des Trägers (2) zugewandt ist. Der mindestens eine Halbleiterchip (4) ist auf der Montageseite (20) aufgebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44) des Halbleiterchips (1), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist. Ein solches optoelektronisches Bauteil (1) ist kompakt aufgebaut und weist gute thermische Eigenschaften auf.

39. 发明申请

WO2009079990A1 BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明设备
公开(公告)号：WO2009079990A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/002076
申请日：2008-12-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WIESMANN, Burkard , BRUNNER, Herbert , STRAUSS, Jörg , MUSCHAWECK, Julius , PETERSEN, Kirstin
发明人： WIESMANN, Burkard , BRUNNER, Herbert , STRAUSS, Jörg , MUSCHAWECK, Julius , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Eine Beleuchtungseinrichtung (1) umfasst mindestens ein zumindest teilweise sichtbares Licht emittierendes Element (2), sowie mindestens ein Konversionsmittel (3), das zumindest einen Teil der vom Element (2) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert. Außerdem umfasst die Beleuchtungseinrichtung (1) mindestens ein Filtermittel (4), das zumindest einen Teil der Strahlung filtert, und das so ausgestaltet ist, dass sich für zumindest eine vorgegebene Farbsättigung oder einen vorgegebenen Farbton die Menge des einzusetzenden Konversionsmittels (4) reduziert. Das heißt, verglichen mit einer der Beleuchtungseinrichtung (1) bis auf das Filtermittel (4) entsprechenden Lichtquelle wird, um dieselbe Farbsättigung beziehungsweise denselben Farbton zu erzielen, Konversionsmittel (3) eingespart. Durch eine solche Beleuchtungseinrichtung (1) lässt sich Licht einer vorgegebenen Farbsättigung beziehungsweise eines vorgegebenen Farbtons effizient erzeugen und die Beleuchtungseinrichtung (1) ist kostengünstig herzustellen. Auch weist sie im Betrieb hohe Lichtintensitäten und eine große Lebensdauer auf.
摘要翻译：一种照明设备（1）包括至少一个至少部分地可见的发光元件（2），和至少一个转换装置（3），将所辐射的至少发射的元件（2）的一部分到一个不同的频率的辐射。此外，该照明设备（1）包括至少一个过滤器装置（4），其中至少滤掉辐射的一部分，并且其被设计为使得减小用于至少一个预定的色饱和度或预定颜色，转换装置的数量（4）。即，相比于照明设备（1）〜（4）对应的光源的过滤装置中，为了获得相同的颜色饱和度或相同色调，保存转换装置（3）。通过这样的照明设备（1），以预定的颜色饱和度或预定色调的光可以高效地制造，和照明装置（1）是制造成本低。此外，它已在高光强度和长寿命运行。

40. 发明申请

WO2009067996A2 CHIPANORDNUNG, ANSCHLUSSANORDNUNG, LED SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER CHIPANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：芯片装置，连接装置，其LED及其制造方法的芯片装置
公开(公告)号：WO2009067996A2
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001931
申请日：2008-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , KÖHLER, Steffen , SCHWARZ, Raimund , GRÖTSCH, Stefan
发明人： BRUNNER, Herbert , KÖHLER, Steffen , SCHWARZ, Raimund , GRÖTSCH, Stefan
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/075 , H05K1/18
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/483 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine Chipanordnung für ein optoelektronisches Bauelement mit zumindest einem eine elektromagnetische Strahlung aussendenden Halbleiterchip und einer Anschlussanordnung vorgesehen, wobei die Anschlussanordnung mehrere voneinander elektrisch isolierte Ebenen aufweist.
摘要翻译：它是具有至少一个电磁辐射的半导体芯片和端子组件的光电元件的芯片装置，所述具有多个相互电绝缘层的终端组件。

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