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31. 发明申请

WO2021104631A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR VERMESSUNG EINES SUBSTRATS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021104631A1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：PCT/EP2019/082881
申请日：2019-11-28
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： GASIOROWSKI, Jacek , WIMPLINGER, Markus
IPC分类号： G01N21/21 , G01B11/02 , G03F7/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermessung eines mehrschichtigen Substrats (1,1',1"), insbesondere mit mindestens einer Struktur (7, 7', 7", 7''', 7IV, 7V) mit kritischen Dimensionen, insbesondere mit einer Oberflächenstruktur (7, 7', 7", 7''', 7IV, 7V) mit kritischen Dimensionen, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren zumindest folgende Schritte, insbesondere den folgenden Ablauf, aufweist: - Herstellung (110) des Substrats (1,1',1") mit mehreren Schichten (2, 3, 4, 5, 6, 6', 6"), insbesondere mit einer Struktur (7, 7', 7", 7''', 7IV, 7V), insbesondere mit einer Struktur (7, 7', 7", 7''', 7IV, 7V) auf einer Oberfläche (6o, 6'o, 6"o) einer obersten Schicht (6,6',6"), wobei die Abmessungen der Schichten und insbesondere der Strukturen bekannt sind, - Vermessung (120) des Substrats (1,1',1"), und insbesondere der Struktur (7, 7', 7", 7''', 7IV, 7V), mit mindestens einer Messtechnik, - Erstellung (130) einer Simulation des Substrats mit den Messergebnissen aus der Vermessung des Substrats (1,1',1"), - Vergleich (140) der Messergebnisse mit Simulationsergebnissen aus der Simulation des Substrats (1,1',1"), - Optimierung der Simulation (130) und erneute Erstellung (130) einer Simulation des Substrats mit den Messergebnissen aus der Vermessung des Substrats (1,1',1") falls eine Abweichung der Messergebnisse von den Simulationsergebnissen besteht, oder Berechnung (150) von Parametern weiterer Substrate, falls die Messergebnisse den Simulationsergebnissen entsprechen.

32. 发明申请

WO2015197112A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置用于基材的表面处理
公开(公告)号：WO2015197112A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/EP2014/063303
申请日：2014-06-24
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： WIMPLINGER, Markus
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76251 , C23C14/48 , H01L21/2007
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer zumindest überwiegend kristallinen Substratoberfläche (1o, 1o') eines Substrats (1, 1') derart, dass durch Amorphisierung der Substratoberfläche (1o, 1o') eine amorphe Schicht (2, 2', 2") an der Substratoberfläche (1o, 1o') mit einer Dicke d > 0nm der amorphen Schicht (2, 2', 2") gebildet wird. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于至少主要为结晶基片表面的“（基片1，1）的表面处理（1O，1O）”，使得，通过在衬底表面的非晶化（1O，1O“）的无定形层（2,2”，2 “）（在衬底表面1O，1O '）（具有厚度d>为0nm非晶层2,2'，2”）形成。此外，本发明涉及一种相应的装置。

33. 发明申请

WO2014090661A1 VERFAHREN ZUM MIKROKONTAKTPRÄGEN 审中-公开
标题翻译：法微接触COIN
公开(公告)号：WO2014090661A1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：PCT/EP2013/075562
申请日：2013-12-04
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： KREINDL, Gerald , WIMPLINGER, Markus , CHOUIKI, Mustapha
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0015
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Mikrokontaktprägen einer Struktur durch Übertragung eines Prägematerials auf eine Zieloberfläche eines Substrats mittels einer Prägefläche eines Strukturstempels, dadurch gekennzeichnet, dass das Prägematerial zumindest überwiegend aus Silan oder zumindest überwiegend aus mindestens einem Silanderivat besteht und dass der Strukturstempel ein weicher Stempel ist. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein korrespondierendes Verfahren, bei dem das Prägematerial eine zumindest überwiegend aus organischen Molekülen bestehende molekulare Komponente ist.
摘要翻译：本发明通过冲压材料转移到一个衬底的目标表面通过结构冲头的压花表面涉及一种结构的微接触印刷的方法，其特征在于，所述冲压材料由至少主要硅烷或至少主要的至少一种硅烷衍生物，并且该镜腿的结构是软橡皮图章，此外，本发明涉及其中所述印模材料是至少主要由有机分子，分子组分的相应的方法。

34. 发明申请

WO2018059699A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BONDEN ZWEIER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于粘合两个基材的装置和方法
公开(公告)号：WO2018059699A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/EP2016/073304
申请日：2016-09-29
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： WIMPLINGER, Markus , KURZ, Florian , DRAGOI, Viorel
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/683
摘要： Hiermit wird eine Vorrichtung, ein System und ein Verfahren zum Bonden zweier Substrate vorgeschlagen. Ein erster Substrathalter weist eine Vertiefung und eine Erhöhung auf.
摘要翻译：这提出了用于键合两个基板的装置，系统和方法。第一衬底支架具有凹槽和凹槽。

35. 发明申请

WO2015169603A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN 审中-公开
标题翻译：方法和装置永久性粘结
公开(公告)号：WO2015169603A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：PCT/EP2015/058739
申请日：2015-04-22
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/67092 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L2224/29147 , H01L2224/75251 , H01L2224/75343 , H01L2224/8303 , H01L2224/83193 , H01L2224/83206 , H01L2224/83207 , H01L2224/83895 , H01L2924/20108
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum permanenten Bonden einer ersten Schicht (2) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Schicht (2') eines zweiten Substrats (1') an einer Bondgrenzfläche (5), dadurch gekennzeichnet, dass eine Versetzungsdichte einer Versetzung (4) der ersten und/oder zweiten Schicht (2, 2') zumindest im Bereich der Bondgrenzfläche (5) vor und/oder während des Bondens erhöht wird. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于永久地结合的第一层（2）的第一基板（1）与在接合界面（5）“（第二基板1）的第二层（2）”的，其特征在于：一个的位错密度（4）在键合界面（5）的区域中的至少所述第一和/或第二层（2，2“）的前和/或接合位移期间增加。此外，本发明涉及一种相应的装置。

36. 发明申请

WO2014048502A1 VERFAHREN ZUM BSCHICHTEN UND BONDEN VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：方法和BSCHICHTEN接合基板
公开(公告)号：WO2014048502A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2012/069268
申请日：2012-09-28
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard
IPC分类号： B23K20/02 , H01L23/488
CPC分类号： B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Verfahren zum Beschichten und Bonden von Substraten Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines ersten Substrats (1) mit einer ersten Diffusionsbondschicht (5) durch Abscheiden eines die erste Diffusionsbondschicht (5) bildenden ersten Materials auf einer ersten Oberfläche (1o) des ersten Substrats (1) derart, dass die erste Diffusionsbondschicht (5) eine Kornoberfläche mit einem mittleren Korndurchmesser H parallel zur ersten Oberfläche (1o) kleiner 1μm ausbildet. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bonden eines so beschichteten ersten Substrats (1) mit einem eine zweite Diffusionsbondschicht (4) aufweisenden zweiten Substrat (3) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: • - Kontaktieren der ersten Diffusionsbondschicht (5) des ersten Substrats (1) mit der zweiten Diffusionsbondschicht des zweiten Substrats (3), • - Zusammenpressen der Substrate (1, 3) zur Ausbildung eines permanenten Metalldiffusionsbonds zwischen dem ersten und zweiten Substrat (1, 3).
摘要翻译：涂层和底物的粘合的方法本发明涉及一种用于涂覆具有第一扩散接合层的第一基板（1）（5）通过沉积（5）形成在第一基板的第一表面（1O）的第一材料的第一扩散接合层（1），使得形成具有平行的平均粒径更小的ħ到第一表面（1O）1微米的颗粒表面上的第一扩散粘结层（5）。此外，本发明涉及用于粘合（1）具有一个第二扩散接合层（4），其具有第二衬底（3）包括以下步骤，特别是下列序列的如此涂覆第一基底的方法：• - 接触第一扩散粘结层（5）的第衬底（1）与所述第二衬底（3），•的第二扩散接合层 - 压在一起的基板（1,3），用于形成所述第一和第二基板之间的永久金属扩散结合（1，3）。

37. 发明申请

WO2013156234A1 VERFAHREN ZUM HEFTEN VON CHIPS MIT KONTAKTELEMENT AUF EIN MIT EINER FUNKTIONSSCHICHT MIT ÖFFNUNGEN FÜR DIE CHIPKONTAKTELEMENTEN VERSEHENES SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：方法有钉接触元件芯片在一个与芯片接触元件所提供的衬底开口的功能层
公开(公告)号：WO2013156234A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/EP2013/055556
申请日：2013-03-18
申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人： BURGGRAF, Jürgen , WIMPLINGER, Markus , WIESBAUER, Harald , SIGL, Alfred
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/58
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/563 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/2741 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/27436 , H01L2224/27444 , H01L2224/27515 , H01L2224/27622 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/73153 , H01L2224/73204 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83002 , H01L2224/83009 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83856 , H01L2224/83907 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00015 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Heften von Chips (4) auf ein Substrat (1) an auf einer Oberfläche (1o) des Substrats (1) verteilten Chippositionen (1c), wobei eine Funktionsschicht (7) (z.B. ein Polymer mit der sogenannten B-Stage Eigenschaft) auf dem Substrat (1) ausgebildet oder aufgebracht wird, die zumindest in Bereichen von Kontakten (2) freigelegt ist, und wobei Chips (4) auf eine Chipkontaktseite (7o) der Funktionsschicht (7) an den Chippositionen (1c) geheftet und Kontakte (2) über Kontaktelemente (3) kontaktiert werden. Die Freilegung von Funktionsschichtbereichen kann zusätzlich eine Freilegung einer ausserhalb der Chippositionen (1c) angeordneten Freifläche (1f) der Oberfläche (1o) und eine Ausbildung von Kanälen (5) umfassen, die von den Kontakten (2) beginnen und an der Freifläche (1f) enden. Durch die beanspruchte Lösung wird die elektrische Kontaktierung der Chips verbessert und gleichzeitig die Ausrichtungsgenauigkeit erhöht, da die Funktionsschicht nicht von den Kontaktelementen durchdrungen werden muss, und auch wird die Auswahl an zur Verfügung stehenden Materialien für die Funktionsschicht erweitert, da weder eine Kapillarwirkung erforderlich ist, um die Funktionsschicht zwischen die Chips und die Substratoberfläche einzubringen noch ein Durchdringen der Funktionsschicht mit den Kontaktelementen unter Aufwendung einer Verdrängungskraft erforderlich ist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在（4）的基板（1）上的装订芯片到衬底的表面（1O）（1）分布的芯片位置（1c）中，其特征在于，功能层（7）（例如，聚合物所谓与 B阶属性）在基板（1）上形成或应用，这（至少在触点2）的区域被暴露，并且其中所述功能层（7）（到芯片的位置1c的芯片（4）（以一芯片接触侧70））缝合和触点（2）通过接触元件接触（3）。功能层的范围的曝光可以附加暴露芯片位置（1C）的外设置的自由表面（1F）包括表面（1O）和形成的通道（5）从所述接触开始（2），并且在自由表面（1F）结束。所要求保护的方案中，所述芯片的电接触，同时提高对位精度，作为功能层不需要通过接触元件穿透提高，并且该选择被扩展到为所述功能层的可用材料，因为既不需要毛细作用到芯片和甚至渗透用下的位移力施加接触元件的功能层的基板表面之间的功能层需要引入。

38. 发明公开

EP3442006A3 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 审中-公开
公开(公告)号：EP3442006A3
公开(公告)日：2019-02-20
申请号：EP18196492.5
申请日：2011-01-25
申请人： EV Group E. Thallner GmbH
发明人： Plach, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/70 , H01L23/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf:
- Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3) durch Beaufschlagung der ersten Kontaktfläche (3) mit N2-Gas und/oder O 2 -Gas und/oder Ar-Gas und/oder Formiergas, insbesondere bestehend aus 95% Ar und 5% H 2 ,
- zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten,
- Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung,
- Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

40. 发明公开

EP3043378A3 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN MITTELS FESTKÖRPERDIFFUSION ODER PHASENUMWANDLUNG MIT ANWENDUNG EINER FUNKTIONSSCHICHT 审中-公开
标题翻译：方法永久性粘结WAFERS采用固态扩散或相位切换具有的功能层中的应用
公开(公告)号：EP3043378A3
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：EP15201506.1
申请日：2011-08-30
申请人： EV Group E. Thallner GmbH
发明人： MARTINSCHITZ, Klaus , WIMPLINGER, Markus , REBHAN, Bernhard , HINGERL, Kurt
IPC分类号： H01L21/60 , B23K20/02 , H01L23/488 , B23K20/233
CPC分类号： H01L21/76251 , B23K20/021 , B23K20/023 , B23K35/001 , B23K35/0255 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2201/40 , H01L21/185 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/038 , H01L2224/0384 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/0801 , H01L2224/08501 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/275 , H01L2224/27505 , H01L2224/278 , H01L2224/2784 , H01L2224/29019 , H01L2224/2908 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/3201 , H01L2224/325 , H01L2224/32501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83345 , H01L2224/83365 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/1434 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/0105 , H01L2224/83
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum permanenten Bonden eines ersten Festkörpersubstrats (1) mit einem eine erste Materie (A) enthaltenden zweiten Festkörpersubstrat (2) mit folgendem Ablauf:
- Aufbringung und/oder Ausbildung einer eine zweite Materie (B) enthaltenden Funktionsschicht (5) auf das zweite Festkörpersubstrat (2), wobei die Funktionsschicht (5) vor der Ausbildung des permanenten Bonds eine mittlere Dicke (R) zwischen 0,1 nm und 25 nm aufweist,
- Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an der Funktionsschicht (5),
- Zusammenpressen der Festkörpersubstrate (1, 2),
wobei nach dem Kontaktieren eine Reaktion (Festkörperdiffusion und/oder Phasenumwandlung) der zweiten Materie (B) mit der ersten Materie (A) derart erfolgt, dass durch Unebenheiten der Oberflächen der Festkörpersubstrate (1, 2) vorhandene Lücken verschlossen werden.
Während des Bondens wird die Löslichkeitsgrenze des ersten Materials (A) für das zweite Material (B) nicht oder nur geringfügig überschritten, so dass Ausscheidung von intermetallischen Phasen möglichst weitgehend vermieden wird und dagegen Mischkristall ausgebildet wird.
Das erste Material (A) kann Kupfer und das zweite Material (B) kann Zinn sein.

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