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31. 外观设计

USD684940S1 LED chip 有权
公开(公告)号：USD684940S1
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：US29419104
申请日：2012-04-25
申请人： Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng , Hao-Chun Cheng
设计人： Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng , Hao-Chun Cheng

32. 外观设计

USD684549S1 LED chip 有权
公开(公告)号：USD684549S1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：US29419107
申请日：2012-04-25
申请人： Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
设计人： Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng

33. 发明申请

US20120168714A1 VERTICAL LIGHT EMITTING DIODE (VLED) DIE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
标题翻译：垂直发光二极管（VLED）DIE和制造方法
公开(公告)号：US20120168714A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：US12983436
申请日：2011-01-03
申请人： Jiunn-Yi Chu , Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
发明人： Jiunn-Yi Chu , Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/647 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016
摘要： A vertical light emitting diode (VLED) die includes a first metal having a first surface and an opposing second surface; a second metal on the second surface of the first metal; a p-type semiconductor layer on the first surface of the first metal; a multiple quantum well (MQW) layer on the p-type semiconductor layer configured to emit light; and an n-type semiconductor layer on the multiple quantum well (MQW) layer.
摘要翻译：垂直发光二极管（VLED）模具包括具有第一表面和相对的第二表面的第一金属; 在所述第一金属的第二表面上的第二金属; 在第一金属的第一表面上的p型半导体层; 配置成发光的p型半导体层上的多量子阱（MQW）层; 和多量子阱（MQW）层上的n型半导体层。

34. 外观设计

USD685334S1 LED chip 有权
公开(公告)号：USD685334S1
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：US29419098
申请日：2012-04-25
申请人： Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
设计人： Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng

35. 发明授权

US08686461B2 Light emitting diode (LED) die having stepped substrates and method of fabrication 有权
标题翻译：具有阶梯式衬底和制造方法的发光二极管（LED）裸片
公开(公告)号：US08686461B2
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：US13325376
申请日：2011-12-14
申请人： Jiunn-Yi Chu , Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
发明人： Jiunn-Yi Chu , Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
摘要： A light emitting diode (LED) die includes a first substrate having a first surface and an opposing second surface; a second substrate on the second surface of the first substrate; a p-type semiconductor layer on the first surface of the first substrate; a multiple quantum well (MQW) layer on the p-type semiconductor layer configured to emit light; and an n-type semiconductor layer on the multiple quantum well (MQW) layer.
摘要翻译：发光二极管（LED）裸片包括具有第一表面和相对的第二表面的第一基底; 在所述第一基板的所述第二表面上的第二基板; 在所述第一基板的所述第一表面上的p型半导体层; 配置成发光的p型半导体层上的多量子阱（MQW）层; 和多量子阱（MQW）层上的n型半导体层。

36. 发明申请

US20120168716A1 Light Emitting Diode (LED) Die Having Stepped Substrates And Method Of Fabrication 有权
标题翻译：具有阶梯式衬底的发光二极管（LED）模具及其制造方法
公开(公告)号：US20120168716A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：US13325376
申请日：2011-12-14
申请人： Jiunn-Yi Chu , Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
发明人： Jiunn-Yi Chu , Chen-Fu Chu , Chao-Chen Cheng
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014
摘要： A light emitting diode (LED) die includes a first substrate having a first surface and an opposing second surface; a second substrate on the second surface of the first substrate; a p-type semiconductor layer on the first surface of the first substrate; a multiple quantum well (MQW) layer on the p-type semiconductor layer configured to emit light; and an n-type semiconductor layer on the multiple quantum well (MQW) layer.
摘要翻译：发光二极管（LED）裸片包括具有第一表面和相对的第二表面的第一基底; 在所述第一基板的所述第二表面上的第二基板; 在所述第一基板的所述第一表面上的p型半导体层; 配置成发光的p型半导体层上的多量子阱（MQW）层; 和多量子阱（MQW）层上的n型半导体层。

37. 发明授权

US07829440B2 Method of separating semiconductor dies 有权
标题翻译：分离半导体管芯的方法
公开(公告)号：US07829440B2
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：US11835289
申请日：2007-08-07
申请人： Jiunn-Yi Chu , Chao-Chen Cheng , Chen-Fu Chu , Trung Tri Doan
发明人： Jiunn-Yi Chu , Chao-Chen Cheng , Chen-Fu Chu , Trung Tri Doan
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： A method for the separation of multiple dies during semiconductor fabrication is described. On an upper surface of a semiconductor wafer containing multiple dies, a seed metal layer may be used to grow hard metal layers above it for handling. Metal may be plated above these metal layers everywhere except where a block of stop electroplating (EP) material exists. The stop EP material may be obliterated, and a barrier layer may be formed above the entire remaining structure. The substrate may be removed, and the individual dies may have any desired bonding pads and/or patterned circuitry added to the semiconductor surface. The remerged hard metal after laser cutting and heating should be strong enough for handling. Tape may be added to the wafer, and a breaker may be used to break the dies apart. The resulting structure may be flipped over, and the tape may be expanded to separate the individual dies.
摘要翻译：描述了在半导体制造期间分离多个管芯的方法。在包含多个管芯的半导体晶片的上表面上，种子金属层可以用于在其上方生长硬金属层用于处理。除了存在一块停止电镀（EP）材料之外，金属可以被覆盖在这些金属层之上。停止EP材料可能被擦除，并且阻挡层可以形成在整个剩余结构之上。可以去除衬底，并且各个管芯可以具有添加到半导体表面的任何期望的接合焊盘和/或图案化电路。激光切割加热后的重金属硬度应足够强大。可以将胶带加入到晶片中，并且可以使用断路器将模具分开。可以将所得到的结构翻转，并且可以将带扩展以分离各个管芯。

38. 发明授权

US5981109A Using (LaNiO.sub.3) .sub.X (TiO.sup.2) .sub.1-X and (LaNiO.sub.3) .sub.X (Ta.sub.2 O.sub.5) .sub.1-X oxide absorption composites for attenuating phase shifting blanks and masks 失效
标题翻译：使用（LaNiO3）X（TiO2）1-X和（LaNiO3）X（Ta2O5）1-X氧化物吸收复合材料衰减相移毛坯和掩模
公开(公告)号：US5981109A
公开(公告)日：1999-11-09
申请号：US15242
申请日：1998-01-29
申请人： Chih-Chiang Tu , Jon-Yiew Gan , Tai-Bor Wu , Chao-Chen Cheng
发明人： Chih-Chiang Tu , Jon-Yiew Gan , Tai-Bor Wu , Chao-Chen Cheng
IPC分类号： G06F1/20 , G03F1/00 , G03F1/08 , G06F1/04 , H01L21/822 , H01L27/04 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/32
摘要： An attenuating phase shifting photomask is formed using attenuating phase shifting composite material combining the optical properties of a first material having a high extinction coefficient and a second material having a high index of refraction. The first material is LaNiO.sub.3 and the second material is either TiO.sub.2 or Ta.sub.2 O.sub.5. The first and second materials are combined to produce composites of either (LaNiO.sub.3).sub.x (TiO.sub.2).sub.1-x or (LaNiO.sub.3).sub.x (Ta.sub.2 O.sub.5).sub.1-x to form attenuating phase shifting blanks and masks. Co-deposition of LaNiO.sub.3 and either TiO.sub.2 or Ta.sub.2 O.sub.5 uses rf-magnetron sputtering to form the (LaNiO.sub.3).sub.x (TiO.sub.2).sub.1-x or (LaNiO.sub.3).sub.x (Ta.sub.2 O.sub.5).sub.1-x films on a transparent quartz substrate.
摘要翻译：使用组合具有高消光系数的第一材料和具有高折射率的第二材料的光学特性的衰减相移复合材料形成衰减相移光掩模。第一种材料是LaNiO3，第二种材料是TiO 2或Ta 2 O 5。将第一和第二材料组合以产生（LaNiO 3）x（TiO 2）1-x或（LaNiO 3）x（Ta 2 O 5）1-x的复合材料，以形成衰减相变坯料和掩模。 LaNiO 3和TiO 2或Ta 2 O 5的共沉积使用射频磁控溅射在透明石英衬底上形成（LaNiO 3）x（TiO 2）1-x或（LaNiO 3）x（Ta 2 O 5）1-x膜。

39. 发明授权

US5714285A Using (LaNiO.sub.3).sub.X (TiO.sub.2).sub.1-x oxide absorption composite for attenuating phase shifting blanks and masks 失效
标题翻译：使用（LaNiO3）X（TiO2）1-x氧化物吸收复合材料来衰减相移毛坯和掩模
公开(公告)号：US5714285A
公开(公告)日：1998-02-03
申请号：US682475
申请日：1996-07-17
申请人： Chih-Chiang Tu , Jon-Yiew Gan , Tai-Bor Wu , Chao-Chen Cheng
发明人： Chih-Chiang Tu , Jon-Yiew Gan , Tai-Bor Wu , Chao-Chen Cheng
IPC分类号： G06F1/20 , G03F1/00 , G03F1/32 , G06F1/04 , H01L21/822 , H01L27/04 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/32
摘要： An attenuating phase shifting photomask is formed using attenuating phase shifting composite material combining the optical properties of a first material having a high extinction coefficient and a second material having a high index of refraction. The first material is LaNiO.sub.3 and the second material is TiO.sub.2. The first and second materials are combined as a composite of (LaNiO.sub.3).sub.x (TiO.sub.2).sub.1-x to form attenuating phase shifting blanks and masks. Co-deposition of LaNiO.sub.3 and TiO.sub.2 using rf magnetron sputtering is used to form the (LaNiO.sub.3).sub.x (TiO.sub.2).sub.1-x film on a transparent quartz substrate.
摘要翻译：使用组合具有高消光系数的第一材料和具有高折射率的第二材料的光学特性的衰减相移复合材料形成衰减相移光掩模。第一种材料是LaNiO3，第二种材料是TiO2。将第一和第二材料作为（LaNiO 3）x（TiO 2）1-x的复合物组合以形成衰减相变坯料和掩模。使用rf磁控溅射法共沉积LaNiO3和TiO2，在透明石英衬底上形成（LaNiO3）x（TiO2）1-x薄膜。

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