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    • 31. 发明公开
    • 수직형 확산로를 갖는 반도체 소자 제조 장치
    • 具有垂直型炉的半导体器件制造设备
    • KR1020060072528A
    • 2006-06-28
    • KR1020040111194
    • 2004-12-23
    • 삼성전자주식회사
    • 김정남
    • H01L21/22
    • H01L21/67017H01L21/22H01L21/68785
    • 본 발명은 다수의 웨이퍼가 수납되며 구동 수단과 결합되어 수직 운동되는 웨이퍼 수납 보트와, 상승된 웨이퍼 수납 보트와 결합되어 외부와 격리된 반응 공간을 형성하는 돔 형태의 외부 튜브와 그 외부 튜브 내부에 설치되는 원통형의 내부 튜브를 포함하는 확산로를 구비하는 반도체 소자 제조 장치로서, 내부 튜브는 가스가 공급되는 가스 공급 통로가 내부에 형성되어 있고 가스 분사 통로로부터 내부 튜브의 내측으로 가스를 분사하는 복수의 가스 분사구가 형성된 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명의 반도체 소자 제조 장치는 확산로 내부로의 가스 공급이 내부 튜브에 형성된 가스 공급 통로 및 가스 분사구를 통하여 이루어지기 때문에 웨이퍼 수납 보트의 회전 과정 또는 가스가 분사되는 과정에서의 진동에 의해 가스 공급 통로가 영향을 받지 않는다. 따라서 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조 장치에서 발생되었던 웨이퍼 수납 보트와 노즐의 충돌은 발생되지 않는다. 그리고 내부 튜브 자체에 형성된 가스 공급 통로와 가스 분사구가 웨이퍼 수납 보트를 중심으로 적절한 간격과 개수 및 크기로 형성되기 때문에 공급되는 가스가 균일하게 분사되어 공정 진행이 안정적으로 이루어질 수 있다.
      반도체 제조 장치, 확산로, 공정 챔버, 증착, 웨이퍼, 튜브
    • 32. 发明公开
    • 히팅 재킷을 갖는 반도체 소자 제조 장치
    • 具有加热夹克的半导体器件制造设备
    • KR1020060071670A
    • 2006-06-27
    • KR1020040110356
    • 2004-12-22
    • 삼성전자주식회사
    • 김정남
    • H01L21/02H01L21/205
    • H01L21/67098H01L21/22H01L21/67248
    • 본 발명은 반도체 소자 제조 공정이 수행되는 퍼니스(furnace)에 연결된 가스 배출 라인(exhaust line)에 설치된 히팅 재킷들을 통합적으로 관리하는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 퍼니스에 연결 설치되는 가스 배출 라인의 가스 배관에 설치되어 가스 배관을 가열하는 복수의 히팅 재킷에 온도 측정 센서가 설치되어 있고 각각의 히팅 재킷들과 전기적으로 연결되어 온도 측정 센서에 의해 측정된 결과 값에 따라 각각의 히팅 재킷들의 온도를 통합 관리하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명의 반도체 소자 제조 장치에 따르면, 가스 배출 라인의 각 가스 배관에 대응되는 히팅 재킷 각각의 온도 설정이 자유로워 파우더가 발생되는 부분의 가열 온도를 높임으로서 파우더의 발생이 방지된다. 또한 가스 배출 라인의 온도와 전류를 계속 모니터링 할 수 있어 가스 배출 라인의 동작 상황을 한 눈에 알 수 있다. 따라서, 가스 배출 및 공정 처리에 대한 신뢰성이 향상된다.
      반도체 제조 장치, CVD, 파우더, 가스 배출 라인, 센서, 모니터링
    • 33. 发明公开
    • 턱이 형성된 반응관을 갖는 화학적 기상 증착 장치
    • 具有反应管的CVD装置
    • KR1020060056567A
    • 2006-05-25
    • KR1020040095704
    • 2004-11-22
    • 삼성전자주식회사
    • 김정남
    • H01L21/205
    • C23C16/455
    • 본 발명은 턱이 형성된 반응관을 갖는 화학적 기상 증착 장치에 관한 것으로, 반응가스의 사용량에 따른 박막의 증착율을 증가시켜 증착 공정 시간을 줄이기 위해서, 내부에 복수의 웨이퍼가 적재된 보트와; 상기 보트를 둘러싸는 반응관과; 상기 반응관의 외측에 배치되어 상기 반응관을 가열하기 위한 가열원과; 상기 반응관과 보트 사이에 소정의 길이로 뻗어 있으며, 상기 반응관 안으로 반응 가스를 수직 분사하는 복수개의 노즐이 설치된 가스 공급관; 및 상기 반응관과 보트 사이에 연결되어, 상기 반응가스를 상기 반응관의 밖으로 배출시키는 가스 배출관;을 포함하며, 상기 보트에 근접한 상기 반응관의 내벽에 상기 반응가스의 유속을 감소시키기 위한 턱이 다수개 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 턱이 형성된 반응관을 갖는 화학적 기상 증착 장치를 제공한다.
      CVD, 반응관, 턱, 반응가스, 유속
    • 34. 发明公开
    • 반도체 제조설비
    • KR1020060054649A
    • 2006-05-23
    • KR1020040093266
    • 2004-11-15
    • 삼성전자주식회사
    • 김정남
    • H01L21/02
    • H01L21/67259F17C13/04H01L21/02
    • 본 발명은 공정 후 폐수를 자동으로 토출시키는 반도체 제조설비에 관한 것으로써, 웨이퍼 상에 반응가스를 공급받아 공정을 진행하는 반응로와 공정 후 폐가스가 배기되도록 방응로에 연통되는 가스배기유로와 가스배기유로 상에 설치되어 폐가스를 응축시켜 폐수로 상태변화시키는 가스쿨러와 가스쿨러로부터 배출되는 폐수를 저장하는 저장용기와 저장용기에 저장된 상기 폐수를 토출하기 위한 토출밸브가 장착된 폐수유로를 갖는 구성에 있어서, 저장용기에 저장되는 폐수의 수위를 감지하여 토출밸브의 동작을 통해 폐수를 자동으로 토출시킬 수 있는 수위감지유닛을 구비한 반도체 제조설비에 관한 것이다. 따라서, 저장용기에 저장되는 폐수가 일정량이 되면 자동으로 토출시킴으로써 가스배기유로로 역류되어 막히는 현상과, 그로인해 폐가스가 반응로로 역류되어 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하는 효과를 갖는다.
      산화막, 반응가스, 폐수
    • 39. 发明公开
    • 종형확산로
    • 钟形扩散炉
    • KR1020060035824A
    • 2006-04-27
    • KR1020040084161
    • 2004-10-20
    • 삼성전자주식회사
    • 김정남
    • H01L21/22
    • 본 발명은 종형확산로에 관한 것으로 내측튜브의 구조를 변경하여 공정가스의 소모량을 절감하고, 형성되는 박막의 두께 균일성을 향상시키는 효과를 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명의 종형확산로는 돔 형상의 외측튜브; 상기 외측튜브와 동축으로 상기 외측튜브의 내부에 위치하며, 내벽에 복수개의 삼각형 돌기로 요철을 형성한 원통형의 내측튜브; 상기 내측튜브와 평행한 방향으로 이동가능하며, 상기 내측튜브 내부에 수평 방향으로 다수의 웨이퍼를 탑재하는 보트; 공정가스를 분사하는 다수의 구멍을 구비하며, 상기 내측튜브와 상기 보트 사이에 위치한 가스노즐; 및 상기 내측튜브 내부의 잔류가스를 배출할 수 있는 배기관을 구비하는 것을 특징으로 한다.

      종형확산로, 삼각형 돌기, 내측튜브, 보트