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    • 31. 发明公开
    • 표시 기판 및 이의 제조 방법
    • 显示基板及其制造方法
    • KR1020120009993A
    • 2012-02-02
    • KR1020100071391
    • 2010-07-23
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 박재우이동훈조성행이우근류혜영최영주
    • H01L29/786G02F1/136
    • H01L27/1288H01L27/1214H01L27/1225H01L27/124H01L29/458H01L29/45H01L29/7869
    • PURPOSE: A display substrate and a manufacturing method thereof are provided to prevent an ion included in an oxide semiconductor to be reduced and deposited by forming an oxide semiconductor pattern into a double-layered structure. CONSTITUTION: A gate line is extended to a first direction. A data line is extended to a second direction crossing with the first direction. A gate isolation layer(120) is formed in order to cover the data line and a gate electrode of a thin film transistor(TR). The gate electrode is electrically connected to the gate line. The gate isolation layer is formed into a double-layered structure consisting of a first gate isolation layer(122) and a second gate insulating layer(124). The thin film transistor comprises an oxide semiconductor pattern(136), a source electrode(142), and a drain electrode(144).
    • 目的:提供显示基板及其制造方法,以通过将氧化物半导体图案形成为双层结构来防止氧化物半导体中包含的离子被还原和沉积。 构成:栅极线延伸到第一个方向。 数据线延伸到与第一方向交叉的第二方向。 为了覆盖数据线和薄膜晶体管(TR)的栅电极,形成栅极隔离层(120)。 栅电极与栅极线电连接。 栅极隔离层形成为由第一栅极隔离层(122)和第二栅极绝缘层(124)构成的双层结构。 薄膜晶体管包括氧化物半导体图案(136),源电极(142)和漏电极(144)。
    • 36. 发明公开
    • 표시 기판 및 그의 제조방법
    • 显示基板及其制备方法
    • KR1020160025672A
    • 2016-03-09
    • KR1020140112348
    • 2014-08-27
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 최영주
    • G02F1/1362G02F1/1368
    • H01L27/124
    • 본발명은표시기판및 그의제조방법에관한것으로, 수평전계모드(PLS)의액정표시장치에사용되는표시기판제작시활용되는 5 마스크(M) 공정을그대로유지하면서, 직접접촉부(D-CNT) 패턴을더 형성시켜내로우베젤을구현시킨표시기판및 그의제조방법이다.
    • 显示基板及其制造方法技术领域本发明涉及显示基板及其制造方法。 显示基板及其制造方法保持当制造用于平面到线切换(PLS)模式的液晶显示装置的显示基板的五掩模(M)工艺; 并进一步形成直接接触单元(D-CNT)图案以提供窄边框。 显示基板包括:形成在基板上的下公共电极; 形成在下公共电极上的绝缘层; 包括形成在所述绝缘层上的栅电极的栅极图案,以及设置成与所述栅电极间隔开的公共电极接触单元和直接接触单元; 形成在包括所述栅极图案的所述基板上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的半导体层和设置成与所述半导体层间隔开的像素单元; 设置在包括半导体层的栅极绝缘层上的源极和漏极电极,连接到与源极和漏极间隔开的公共电极接触单元的第一导电层和连接到直接接触单元的第二导电层 ; 以及形成在源极和漏极以及导电层上的钝化层。
    • 40. 发明公开
    • 박막 트랜지스터 표시판
    • 薄膜晶体管阵列
    • KR1020130126240A
    • 2013-11-20
    • KR1020120050177
    • 2012-05-11
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 박재우김도현최영주이동훈조성행
    • H01L29/786G02F1/136
    • H01L27/1225H01L27/124H01L29/45H01L29/4908H01L29/78618H01L29/7869
    • A thin film transistor array panel is provided. A thin film transistor array panel according to one embodiment of the present invention is positioned on a substrate and, more specifically, is positioned on: a gate line which includes an electrode; a semiconductor layer which is formed with an oxide semiconductor positioned on the substrate; and the substrate. The thin film transistor array panel includes a data wiring layer including: a data line which intersects the gate line; a source electrode which is connected to the data line; and a drain electrode which faces the source electrode, wherein the data wiring layer includes a barrier layer and a main wiring layer which is positioned on the barrier layer, the main wiring layer includes copper or copper alloy, and the barrier layer includes a metallic oxide.
    • 提供薄膜晶体管阵列面板。 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管阵列面板位于基板上,更具体而言,位于:包括电极的栅极线; 形成有位于所述基板上的氧化物半导体的半导体层; 和基板。 薄膜晶体管阵列面板包括:数据布线层,包括:与栅极线相交的数据线; 连接到数据线的源电极; 以及面对所述源电极的漏电极,其中所述数据布线层包括阻挡层和位于所述阻挡层上的主布线层,所述主布线层包括铜或铜合金,并且所述阻挡层包括金属氧化物 。