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    • 32. 发明授权
    • 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
    • KR101055215B1
    • 2011-08-08
    • KR1020040068358
    • 2004-08-30
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 김상태다카하시켄지성시진양돈식박한우
    • G03F7/039
    • 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 수지와 하기 화학식 2 로 표시되는 광산발생제와 화학식 3 으로 표시되는 첨가제를 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다.

      [식 중,
      R
      1 : H 또는 CH
      3 ,
      R
      2 : H, 탄소수 1 ~ 6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      R
      3 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      a, b, c, d : 각각 독립적인 자연수로서 0.10 ≤a / (a+b+c+d) ≤0.50 또는 0.50 ≤b / (a+b+c+d) ≤0.90 또는 0 ≤(c+d) / (a+b+c+d) ≤0.40 을 만족함,
      R
      4 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      R
      5 : 탄소수 1 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 또는 하기
      화학식으로 나타내는 화합물임.

      (식 중, R
      8 은 탄소수 1 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 아릴기, 또는 포화다중고리형을 표시하고, X 는 단일결합 또는 산소원자를 표시하고, n 은 0 또는 자연수를 표시함)],

      (식 중, R
      6 , R
      7 : 탄소수 3 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기임)

      화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
    • 35. 发明公开
    • 열경화성 수지 조성물
    • 热固性树脂组合物
    • KR1020160079320A
    • 2016-07-06
    • KR1020140190528
    • 2014-12-26
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 최한영임민주박한우
    • C08L33/14C08F220/26C09D133/14
    • C08L33/14C08F220/26C09D133/14
    • 본발명은상온에서높은안정성을가지고열처리에의한경화반응이쉽게일어나도록히드록시기를갖는반복단위를갖는고분자와락톤기를갖는반복단위를갖는고분자, 또는히드록시기를갖는반복단위및 락톤기를갖는반복단위가공중합된공중합체를포함하는열경화성수지조성물에관한것이다. 이러한수지조성물은반도체디바이스용의층간절연막, 패시베이션막, 액정표시소자의박막트랜지스터의보호막, 유기발광소자의전극보호막, 컬러필터보호막, 평탄화막등 다양한장치에서바람직하게사용이가능하다.
    • 本发明涉及热固性树脂组合物,其包含:具有羟基重复单元的聚合物和具有内酯重复单元的聚合物; 或其中具有羟基的重复单元和具有内酯基团的重复单元共聚的共聚物。 树脂组合物可以理想地用于各种装置,例如用于半导体器件的层间绝缘膜,钝化膜,液晶显示元件的薄膜晶体管的保护膜,有机发光的电极保护膜 元件,滤色器保护膜,平坦化膜等。
    • 40. 发明公开
    • 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물
    • 化学放大阳性光电组合物
    • KR1020090008039A
    • 2009-01-21
    • KR1020070071327
    • 2007-07-16
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 유경욱박한우김상태
    • G03F7/039
    • G03F7/0397C07C381/12C08F220/30G03F7/0045G03F7/039G03F7/0392G03F7/0395
    • A chemically amplified positive photoresist composition, a method for forming a resist pattern by using the composition are provided to improve resolution, sensitivity, profile and depth of focus. A chemically amplified positive photoresist composition comprises a resin which comprises a structural unit represented by the formula 1 and a structural unit represented by the formula 2 arranged linearly in a ratio of 2-5 : 5-8 by mol and has a glass transition temperature of 150-170 deg.C and a molecular weight of 9,000-11,000; and a photoacid generator which comprises a compound represented by the formula 3 and a compound represented by the formula 4 in a ratio of 2.5-3 : 1 by weight, wherein R1 is H or a methyl group; R2 is a C1-C10 linear, branched or cyclic alkyl group; R3 is a C1-C10 linear, branched or cyclic alkyl group, a C5-C10 cycloalkyl group, an alkyl group substituted with a halogen atom, or a C6-C11 aryl group substituted or unsubstituted with a C1-C20 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group or a halogen atom; and R5, R6 and R7 are independently H, OH, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group, or a C1-0C6 alkoxy group.
    • 提供化学放大的正性光致抗蚀剂组合物,通过使用该组合物形成抗蚀剂图案的方法,以提高分辨率,灵敏度,轮廓和焦深。 化学放大型正性光致抗蚀剂组合物包含树脂,其包含由式1表示的结构单元和由式2表示的结构单元,其以2-5:5-8摩尔的比例线性排列,并且玻璃化转变温度为 150-170℃,分子量为9,000-11,000; 和光酸产生剂,其包含由式3表示的化合物和由式4表示的化合物,其比例为2.5-3:1重量比,其中R1为H或甲基; R2是C1-C10直链,支链或环状的烷基; R3是C1-C10直链,支链或环状烷基,C5-C10环烷基,被卤素原子取代的烷基或被C1-C20烷基取代或未取代的C6-C11芳基,C1 -C 1-6烷氧基或卤素原子; 并且R 5,R 6和R 7独立地为H,OH,C 1 -C 6直链,支链或环状烷基或C 1 -C 6烷氧基。