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31. 发明公开

KR1020170096168A 전자 간섭 억제체를 구비하는 장치 审中-实审
标题翻译：具有电磁干扰抑制器的设备
公开(公告)号：KR1020170096168A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020177019903
申请日：2015-08-03
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 콘도,코이치 , 오카,토시아키 , 요시다,시게요시 , 이케다,마사시
IPC分类号： H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0081 , H01F1/153 , H01F1/15366 , H05K1/0216 , H05K1/0218 , H05K9/0083 , H05K9/0086 , H05K2201/0715 , H05K2201/083
摘要： 본발명의장치(1)는, 잠재적인노이즈를방사할수 있는잠재적노이즈방사원(2)과, 잠재적인노이즈를수신할수 있는잠재적노이즈수신부(3)과전자간섭억제체(4)를구비하고있다. 전자간섭억제체(4)는, 금속연자성편평분말을결합제로결합하여이루어지는시트형상의것이다. 전자간섭억제체(4)에는, 복수의슬릿(5)이형성되어있다. 전자간섭억제체(4)는, 잠재적노이즈방사원(2)과잠재적노이즈수신부(3)에걸치도록설치되어있다.
摘要翻译：本发明（1）的装置中设置有能够辐射潜在噪声辐射源（2），潜在的噪声接收机3和电磁干扰抑制体，其可以接收一个潜在的噪音体4的电势的噪声。电磁干扰抑制器4是由软磁性金属粉末和粘合剂组合而成的片材形式。在电磁干扰抑制器（4）中形成多个狭缝（5）。电磁干扰抑制器4设置为在电势噪声辐射源2和电势噪声接收部分3上方延伸。

32. 发明授权

KR100908356B1 전자기 노이즈 억제체 및 그것을 이용한 전자기 노이즈 억제방법 有权
标题翻译： 전자기노이즈억제체및그것을이용한전자기노이즈억제방
公开(公告)号：KR100908356B1
公开(公告)日：2009-07-20
申请号：KR1020070137439
申请日：2007-12-26
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H05K9/00 , H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： 그 앞면 상에 집적 회로가 형성되는 반도체 베어칩(17)에서, 자기 손실막(15)이 상기 반도체 베어칩의 후면 상에 형성된다.
摘要翻译：在其前表面形成集成电路的半导体裸芯片（57）中，在该半导体裸芯片的后表面上形成磁损耗膜55。＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

33. 发明授权

KR100844612B1 반도체 소자와 전자기 노이즈 억제체 失效
标题翻译：半导体器件和电磁噪声抑制体
公开(公告)号：KR100844612B1
公开(公告)日：2008-07-07
申请号：KR1020010017977
申请日：2001-04-04
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： 그 앞면 상에 집적 회로가 형성되는 반도체 베어칩(17)에서, 자기 손실막(15)이 상기 반도체 베어칩의 후면 상에 형성된다.

34. 发明授权

KR100789051B1 전자 부품 내의 고주파 전류 흐름을 상당히 억제할 수 있는 라디에이터 失效
标题翻译：考虑到抑制电子元件中高频电流流动的散热器
公开(公告)号：KR100789051B1
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020010017665
申请日：2001-04-03
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 아와쿠라,요시오 , 오노,히로시
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/36 , H01L23/552 , H01L2924/0002 , H01L2924/01012 , H01L2924/01039 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 전자 부품(5)에 의해 발생된 열을 방사할 때 사용되는 라디에이터(1)에서, 고주파 전류 억제체(2)는 전자 부품에 면하는 라이에이터의 주 표면에 부착된다. 고주파 전류 억제체는, 라디에이터를 통해 흐르며 수십 MHz 내지 수 GHz 사이의 주파수 대역 내의 주파수를 가지는 고주파 전류를 감쇄시킨다. 열 전도성 시트는 고주파 전류 억제체상에 형성되는 것이 바람직하다. 절연 시트는 고주파 전류 억제체 상에 형성될 수 있다.

35. 发明授权

KR100475768B1 복합자성시트의제조방법 失效
标题翻译：制造方法复合磁片
公开(公告)号：KR100475768B1
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：KR1019980703164
申请日：1997-09-02
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 오노,노리히코 , 요시다,시게요시 , 이토,오사무 , 사또,미쯔하루
IPC分类号： B29C43/22 , B29C43/30 , B32B33/00 , H05K9/00
CPC分类号： H05K9/0083 , B29C59/04 , B29C70/504 , B29C70/885 , B29K2105/16 , B29K2105/203 , B29K2105/206 , B29K2995/0008 , B29L2009/00 , Y10T156/1023 , Y10T156/1039
摘要： 편평형상의 연자성체 분말과 유기결합제와의 미세분말화 혼합물을, 서로 대향하는 2개의 압연 롤로써 압연하여, 전자파 흡수특성이 뛰어난 복합자성 시트를 간단히 제조한다. 이 복합자성 시트의 복수 매를 접합면에 요철을 형성하여 적층해, 롤 압연함으로써 원하는 두께를 실현한다. 상기 복합자성 시트 2장 사이에 메시형상의 금속층을 삽입하여 롤 압연해서 접합함으로써, 간단히, 기계적으로 견고한 전자간섭 억제체 시트를 얻는다. 복합자성 시트의 전자파의 반사 및 투과를 감소하기 위해서, 표리면에 엠보싱처리가 행해진다.

36. 发明授权

KR100476509B1 복합 자성체 및 이를 이용한 전자기 간섭 억제체 有权
标题翻译：使用它的复合磁体和电磁干扰抑制体
公开(公告)号：KR100476509B1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：KR1020017007693
申请日：2000-10-18
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 아와꾸라,요시오 , 요시다,시게요시 , 니시무라,미끼오
IPC分类号： H01F1/26
摘要： 복합 자성체는 할로겐계 결합제인 할로겐계 수지 또는 엘라스토머 및 브롬계 난연제 등과 같은 할로겐계 또는 할로겐 함유 재료를 사용하지 않고 제조된다. 상기 복합 자성체(1)는 연자성 분말(2) 및 실리콘 고무(3)를 포함한다. 실리콘 고무(3)는 바람직하게 고형(固形)의 실리콘 고무 또는 화학적으로 경화된 액상(液狀) 실리콘 고무이어야 한다. 전자기 간섭 억제체는 이러한 복합 자성체를 사용하여 제조한다.

37. 发明公开

KR1020010095323A 반도체 소자와 전자기 노이즈 억제체 失效
标题翻译：电磁噪声抑制器，使用其的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010095323A
公开(公告)日：2001-11-03
申请号：KR1020010017977
申请日：2001-04-04
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 아와쿠라,요시오 , 네모토,미치오 , 야마나카,에이지 , 야마구치,마사히로 , 시마다,유타카
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
摘要： PURPOSE: An electromagnetic noise suppressor, a semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same are provided to be capable of efficiently absorbing interfering electromagnetic waves from the MHz bands to the GHz bands, capable of exhibiting an electromagnetic wave absorption effect when divided into individual semiconductor devices, and excelling in the volume production of noise-suppressed semiconductor devices, together with a manufacturing method therefore and semiconductor devices wherein those semiconductor substrates are used. CONSTITUTION: A semiconductor wafer(27) has a plurality of chip wafers(29) on the surface of each whereof is formed an integrated circuit, and each whereof has a chip(31) electrode(electrode pad) formed on top thereof. The chip electrodes(31) as diagrammed are formed along the outer circumferential edge of the chip wafers(29), but the chip electrodes(31) may be formed in active areas. An aluminum alloy is commonly used for the metal of which the chip electrodes are formed. The semiconductor wafer 27 also comprises a passivation film(33). More specifically, the entire surface of the semiconductor wafer(27) is covered by the passivation film(33). The passivation film(33) is made of a polyimide, silicon nitride film, or silicon oxide film, for example, using a well known technique such as spin coating. The thickness of the passivation film(33) should be 20 mu m or less. After the passivation film(33) has been formed, the chip electrodes(31) are exposed to atmospheric air by exposing and etching the semiconductor wafer(27). As a result, the passivation film(33) will cover the entire surface of the semiconductor wafer(27) excluding those positions where the chip electrodes(31) are formed. The chip wafers 29 are then mutually separated into individual semiconductor bare chips along scribe lines(35). That separation is done by means of a commonly known dicing technique using a dicing saw. These chip wafers(29) are semiconductor bare chips(37).
摘要翻译：目的：提供一种电磁噪声抑制器，使用该电磁噪声抑制器的半导体器件及其制造方法，能够有效地吸收从MHz频带到GHz频带的干扰电磁波，能够呈现电磁波吸收效果，当分为单独的半导体器件，并且优良的噪声抑制半导体器件的批量生产以及其制造方法以及其中使用那些半导体衬底的半导体器件。构成：半导体晶片（27）在其表面上形成有多个芯片晶片（29），形成集成电路，并且每个具有形成在其顶部的芯片（31）电极（电极焊盘）。如图所示的芯片电极（31）沿着芯片晶片（29）的外周缘形成，但是芯片电极（31）可以形成在有源区域中。铝合金通常用于形成芯片电极的金属。半导体晶片27还包括钝化膜（33）。更具体地，半导体晶片（27）的整个表面被钝化膜（33）覆盖。钝化膜（33）例如使用旋涂法等公知技术由聚酰亚胺，氮化硅膜或氧化硅膜构成。钝化膜（33）的厚度应为20μm以下。在形成钝化膜（33）之后，通过曝光和蚀刻半导体晶片（27）将芯片电极（31）暴露于大气中。结果，除了形成芯片电极（31）的位置之外，钝化膜（33）将覆盖半导体晶片（27）的整个表面。然后，芯片晶片29沿着划线（35）相互分离成单独的半导体裸芯片。该分离通过使用切割锯的公知的切割技术完成。这些芯片晶片（29）是半导体裸芯片（37）。

38. 发明公开

KR1020010095252A 고주파 전류 억제형 전자 부품 및 이를 위한 접합 와이어 无效
标题翻译：高频电流抑制型电子元件及其相互连接线
公开(公告)号：KR1020010095252A
公开(公告)日：2001-11-03
申请号：KR1020010017564
申请日：2001-04-03
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 오노,히로시 , 카메이,코지
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H05K1/0233 , H01L23/4952 , H01L23/66 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/745 , H01L2223/6611 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05599 , H01L2224/131 , H01L2224/432 , H01L2224/43826 , H01L2224/43827 , H01L2224/451 , H01L2224/45117 , H01L2224/45118 , H01L2224/45123 , H01L2224/45124 , H01L2224/45138 , H01L2224/45155 , H01L2224/45157 , H01L2224/4516 , H01L2224/45163 , H01L2224/45166 , H01L2224/45179 , H01L2224/45181 , H01L2224/45188 , H01L2224/4554 , H01L2224/456 , H01L2224/45617 , H01L2224/45618 , H01L2224/45623 , H01L2224/45624 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/4566 , H01L2224/45663 , H01L2224/45666 , H01L2224/45679 , H01L2224/45681 , H01L2224/45686 , H01L2224/45693 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/745 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/01041 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03H2001/0092 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01008 , H01L2924/01009 , H01L2924/049 , H01L2924/053 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： PURPOSE: An electronic component of a high frequency current suppression type and a bonding wire for the same are provided to completely suppress a high frequency current even when they are used at a high frequency in a bandwidth from a few tens MHz to a few GHz so as to prevent an electromagnetic interference from occurring. CONSTITUTION: A high frequency current suppressor is disposed on a part or all of the surface of the predetermined terminals at a place other than a mounting portion to be mounted on a circuit board for mounting at least an electronic component and an edge including a connecting portion to a conductive pattern disposed on the circuit board, and that the high frequency current suppressor also has conductivity in a using frequency bandwidth less than a few tens MHz near the mounting portion to be mounted on a circuit board for mounting at least an electronic component. Preferably, the high frequency current suppressor is formed to be a film on a part or all of a surface of the predetermined number of terminals by a sputtering method, or the high frequency current suppressor is formed to be a film on a part or all of a surface of the predetermined number of terminals by a vapor deposition method.
摘要翻译：目的：提供高频电流抑制型的电子部件和用于其的接合线，以便即使在高达几十MHz至几GHz的带宽中使用高频电流也能完全抑制高频电流，因此以防止发生电磁干扰。构成：将高频电流抑制器设置在除安装部分以外的位置的预定端子的一部分或全部表面上，以安装在用于至少安装电子部件的电路板和包括连接部分的边缘到设置在电路板上的导电图案，并且高频电流抑制器在安装在安装至少安装电子部件的电路板上的安装部分附近的使用频率带宽小于几十MHz的导电率也是如此。优选地，通过溅射法将高频电流抑制器形成为预定数量端子的表面的一部分或全部的膜，或者高频电流抑制器部分或全部形成为膜通过气相沉积法形成预定数量的端子的表面。

39. 发明公开

KR1020000064305A 자성수지침투가공재와그제조방법및그를이용한프린트배선기판 失效
标题翻译：磁性树脂渗透处理材料及其制造方法以及使用其的印刷电路板
公开(公告)号：KR1020000064305A
公开(公告)日：2000-11-06
申请号：KR1019980703165
申请日：1997-09-04
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 요시다,시게요시 , 사또,미쯔하루 , 가메이,고지
IPC分类号： H05K1/03
摘要： 노이즈 특성이 뛰어난 프린트 배선기판의 노이즈 특성을 개량하기 위해서, 프린트 배선기판을 구성하는 수지침투 가공재로서, 연자성 분말과 열경화성 수지로 이루어진 자성 도료를, 유리포에 함침시킴으로써 구성된 자성 수지침투 가공재를 사용한다. 연자성 분말은, 실질적으로 편평형상의 금속분말인 것이 바람직하다. 또한, 열경화성 수지의 주성분은 에폭시 수지인 것이 바람직하다.

40. 发明公开

KR1019990066972A 광섬유케이블 失效
公开(公告)号：KR1019990066972A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980702905
申请日：1997-08-28
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 가메이,고지 , 요시다,시게요시
IPC分类号： G02B6/44
摘要： 광섬유 케이블에 있어서, 보강선에 전파되거나 보강선으로부터 발생되는 불필요한 복사 노이즈를, 광섬유 케이블과는 별도로 전자 차폐용 부재를 설치하지 않고, 효과적으로 억제하기 위해서, 광섬유 케이블을 구성하는 인장재인 보강선을 피복하는 완충층 및 LAP 피복의 외피는, 각각, 연자성체 분말과 유기결합제로 이루어진 복합자성체에 의해 구성된다. 연자성체 분말은, 실질적으로 편평형상의 분말인 것이 바람직하다

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