专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

JP2016127119A 多層レジストの除去方法、およびプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：用于去除多层电阻和等离子体处理装置的方法
公开(公告)号：JP2016127119A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2014266191
申请日：2014-12-26
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：出村健介 , 松嶋大輔 , 中村聡 , 笹平幸之介
IPC分类号： H01L21/027 , H05H1/46 , H05H3/02 , H01L21/3065
摘要：【課題】生産性を向上させることができる多層レジストの除去方法、およびプラズマ処理装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係る多層レジストの除去方法は、基体の上に設けられ、第1の有機材料を含む第1の膜と、前記第1の膜の上に設けられ、無機材料を含む第2の膜と、前記第2の膜の上に設けられ、第2の有機材料を含む第3の膜と、を有する多層レジストを除去する多層レジストの除去方法である。多層レジストの除去方法は、プラズマを用いて生成した第1の中性活性種により、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程と、前記プラズマを用いて生成した第2の中性活性種、または、処理液により、前記第2の膜を除去する工程と、を備えている。そして、前記第1の膜と、前記第3の膜と、を除去する工程において、前記多層レジストの温度が、前記第1の膜のプリベーク温度よりも高くなるようにして、前記第2の膜を貫通する貫通部を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种去除能够提高生产率的多层抗蚀剂的方法和等离子体处理装置。解决方案：在根据一个实施方式的多层抗蚀剂的除去方法中，包括设置在第一膜上的第一膜的多层抗蚀剂并且包含第一有机材料，设置在第一膜上并含有无机材料的第二膜以及设置在第二膜上并含有第二有机材料的第三膜。去除多层抗蚀剂的方法包括以下步骤：通过使用等离子体产生的第一中性活性物质去除第一膜和第三膜; 以及通过使用等离子体或处理液体产生的第二中性活性物质除去第二膜。在去除第一膜和第三膜的步骤中，形成穿透第二膜的穿透部，使得多层抗蚀剂的温度高于第一膜的预烘烤温度的温度。图1

32. 发明专利

JP5921953B2 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置有权
公开(公告)号：JP5921953B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2012113788
申请日：2012-05-17
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：山崎克弘 , 出村健介
IPC分类号： G03F1/82 , G03F1/24
CPC分类号： G03F7/70033 , G03F1/24

33. 发明专利

JP2021184457A 冷却装置、基板処理装置、冷却方法、および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP2021184457A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2021042062
申请日：2021-03-16
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：出村健介
IPC分类号： H01L21/3065 , F25D13/00 , F25D11/00 , H01L21/304
摘要：【課題】低温のガスの供給を停止あるいは供給量を少なくしても、冷却装置の故障の発生を抑制することができる冷却装置、基板処理装置、冷却方法および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置の冷媒冷却部23において、冷却装置20は、冷媒が流通可能な流路22aと、流路に設けられた凝縮器21cと、流路に設けられた熱交換器21fと、凝縮器と熱交換器との間の、流路に設けられたコンプレッサ21aと、凝縮器から熱交換器に流入する冷媒Lを冷却する冷却器21eと、熱交換器にガスを供給し、冷媒との熱交換により、ガスを冷却可能なガス冷却部22と、冷却されたガスの温度を検出可能な第1の温度計22cと、熱交換器に流入する冷媒の温度を検出可能な第2の温度計21hと、冷却器によって、熱交換器に流入する冷媒を冷却する温度の制御が可能な第1の制御部24と、を備えている。【選択図】図2

34. 发明专利

JP2021136438A 基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021136438A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020207694
申请日：2020-12-15
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：出村健介 , 松嶋大輔 , 神谷将也 , 中村美波
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】表面性状が異なる基板であっても適切な洗浄処理を行う基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板を回転可能な載置台と、冷却ガスを供給可能な冷却部と、基板の載置台側とは反対の面に液体を供給可能な液体供給部と、基板の回転、冷却ガスの流量及び液体の供給量を制御する制御部と、を備える。制御部は、基板の上にある液体を過冷却状態にする過冷却工程と、液体の一部を凍結させる固液相工程と、液体を凍結させ、凍結膜の温度を低下させて凍結膜にひび割れを生じさせる凍結工程と、を含む第1の凍結洗浄工程と、基板の上にある液体を過冷却状態にする過冷却工程と、液体の一部を凍結させる固液相工程と、液体の解凍を開始する解凍工程と、を含む第2の凍結洗浄工程とのうち、第1の凍結洗浄工程又は第2の凍結洗浄工程に応じて、液体の供給量を制御して、基板の上に形成される液体の液膜の厚みを変更する。【選択図】図4

35. 发明专利

JP2020174208A 基板処理装置、および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020174208A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2020123030
申请日：2020-07-17
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：神谷将也 , 出村健介 , 松嶋大輔 , 中野晴香 , イヴァンペトロフガナシェフ
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】汚染物の除去率を向上させることができる基板処理装置、および基板処理方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板を載置して回転させる載置部と、前記基板の前記載置部側とは反対側の面に液体を供給する液体供給部と、前記基板の前記載置部側の面に冷却ガスを供給する冷却部と、前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御する制御部と、を備えている。前記制御部は、前記基板の面上にある前記液体が過冷却状態となるようにし、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる。【選択図】図1

36. 发明专利

JP6564362B2 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法有权
公开(公告)号：JP6564362B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2016507418
申请日：2015-02-19
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：松嶋大輔 , 出村健介 , 鈴木将文 , 中村聡
IPC分类号： G03F1/24 , H01L21/304 , G03F1/82

37. 发明专利

JP6501448B2 処理装置および処理方法有权
公开(公告)号：JP6501448B2
公开(公告)日：2019-04-17
申请号：JP2014038886
申请日：2014-02-28
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：松嶋大輔 , 出村健介 , 中村聡 , 鈴木将文 , 小林信雄
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304

38. 发明专利

JP2018077525A 有機物除去装置、および有機物除去方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018077525A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2018004524
申请日：2018-01-15
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：出村健介
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/24 , H01L21/304 , G03F1/82
摘要：【課題】被処理物の機能に対する影響が少ない被処理物の冷却を行うことができる有機物除去装置、および有機物除去方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る有機物除去装置は、プラズマを発生させ、前記発生させたプラズマにプロセスガスを供給してプラズマ生成物を生成し、前記生成したプラズマ生成物を用いて、被処理物の表面に付着した有機物を除去する。前記被処理物は、モリブデンを含む層とシリコンを含む層との積層体、およびモリブデンシリコンを含む層の少なくともいずれかを有する位相シフトマスクである。そして、前記プラズマ処理済みの前記被処理物が載置された雰囲気に、前記プラズマ処理済みの前記被処理物の温度が160℃以下となるように、不活性ガスを供給するガス供給部を備えている。【選択図】図1

39. 发明专利

JP6002411B2 EUVマスク製造方法およびEUVマスク製造装置有权
标题翻译： EUV掩模的制造方法和EUV掩模的制造装置
公开(公告)号：JP6002411B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2012072812
申请日：2012-03-28
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：出村健介
IPC分类号： H01L21/3065

40. 发明专利

JP2016072517A 基板処理装置及び基板処理方法有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP2016072517A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014202300
申请日：2014-09-30
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：松嶋大輔 , 出村健介 , 中村聡 , 鈴木将文
IPC分类号： B08B7/00 , H01L21/027 , B29C59/02 , H01L21/304
摘要：【課題】パーティクル除去対象表面に存在するパーティクルを、当該表面全面の洗浄により除去する必要性が低い場合に、個別に効率よく、かつ、簡易確実に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】パーティクルPが存在する、パーティクル除去対象表面B1に対して、パーティクルPを絡め取る樹脂Rを、パーティクルPに対して個別に塗布する塗布部13と、塗布された樹脂Rを硬化させる硬化部14と、硬化した樹脂Rをパーティクル除去対象表面B1から除去することでパーティクルPを個別に除去する除去部15とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基板处理设备和基板处理方法，其可以在不需要清洁表面的整个区域的情况下分离地高效且简单且成功地去除颗粒移除目标表面上的颗粒基板处理装置包括：涂覆部分13，用于用颗粒P将粒子P缠绕在颗粒P所在的颗粒去除目标表面B1上的树脂R涂覆每个颗粒P. 用于硬化涂覆的树脂R的硬化部分14; 以及去除部分15，用于从颗粒去除目标表面B1除去硬化的树脂R以分开除去颗粒P。图1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式