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31. 发明专利

TW201043716A 用於微結構控制薄膜沉積之離子化物理蒸氣沉積 IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION FOR MICROSTRUCTURE CONTROLLED THIN FILM DEPOSITION 审中-公开
简体标题：用于微结构控制薄膜沉积之离子化物理蒸气沉积 IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION FOR MICROSTRUCTURE CONTROLLED THIN FILM DEPOSITION
公开(公告)号：TW201043716A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099115710
申请日：2010-05-17
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：布朗卡爾 , 利奇艾倫 , 皮皮頓約翰A , 霍夫曼丹尼爾J , 瑞英 , 奧葛多唐諾得J K
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/354 , C23C14/3471 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：茲揭露一種於PVD腔室中處理基板的方法,該PVD腔室包含靶材、基板以及處理氣體,其處在足以造成自該靶材濺射的物種之實質部份離子化之壓力。藉由施加非常高頻功率至靶材,以維持電容耦合高密度電漿。濺射的材料於電漿中離子化,並藉由施加至基板之高頻偏壓功率朝基板加速。藉由修飾壓力及高頻偏壓功率中之一或多個,控制所產生的薄膜之微結構。
简体摘要：兹揭露一种于PVD腔室中处理基板的方法,该PVD腔室包含靶材、基板以及处理气体,其处在足以造成自该靶材溅射的物种之实质部份离子化之压力。借由施加非常高频功率至靶材,以维持电容耦合高密度等离子。溅射的材料于等离子中离子化,并借由施加至基板之高频偏压功率朝基板加速。借由修饰压力及高频偏压功率中之一或多个,控制所产生的薄膜之微结构。

32. 发明专利

TW201041067A ＨＤＤ圖案佈植系統 HDD PATTERN IMPLANT SYSTEM 审中-公开
简体标题：ＨＤＤ图案布植系统 HDD PATTERN IMPLANT SYSTEM
公开(公告)号：TW201041067A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW099105481
申请日：2010-02-25
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：福德馬吉德A , 纽曼傑寇柏 , 馬瑞恩約瑟安東尼歐 , 霍夫曼丹尼爾J , 莫非特史帝夫 , 維哈佛貝可史帝文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11B5/82 , C23C14/48 , C23C14/50 , C23C16/00 , C23F1/00 , G11B5/84 , G11B5/855 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
摘要：本發明提供用於形成具有經磁性圖案化之表面之基板的方法及設備。在一基板上形成包含具有磁性性質之一或多種材料的一磁層。該磁層經受一圖案化製程,其中改變該磁層之該表面之選定部分,以使得該等經改變之部分具有與非改變部分不同的磁性性質而不改變該基板之構形。在該經圖案化之磁層上方沉積一保護層及一潤滑層。該圖案化係經由將基板暴露於具有變動形式之能量的若干製程來實現。本文揭示之設備及方法使得能夠同時處理一基板之兩個主表面或藉由翻轉相繼處理一基板之兩個主表面。在一些實施例中,該基板表面之磁性性質可藉由電漿暴露來均勻地改變,且隨後其藉由暴露於經圖案化之能量來選擇性地復原。
简体摘要：本发明提供用于形成具有经磁性图案化之表面之基板的方法及设备。在一基板上形成包含具有磁性性质之一或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程,其中改变该磁层之该表面之选定部分,以使得该等经改变之部分具有与非改变部分不同的磁性性质而不改变该基板之构形。在该经图案化之磁层上方沉积一保护层及一润滑层。该图案化系经由将基板暴露于具有变动形式之能量的若干制程来实现。本文揭示之设备及方法使得能够同时处理一基板之两个主表面或借由翻转相继处理一基板之两个主表面。在一些实施例中,该基板表面之磁性性质可借由等离子暴露来均匀地改变,且随后其借由暴露于经图案化之能量来选择性地复原。

33. 发明专利

TW201030811A 具有圓形地對稱於濺射靶材之ＲＦ及ＤＣ饋給的物理氣相沉積反應器 PHYSICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR WITH CIRCULARLY SYMMETRIC RF FEED AND DC FEED TO THE SPUTTER TARGET 审中-公开
简体标题：具有圆形地对称于溅射靶材之ＲＦ及ＤＣ馈给的物理气相沉积反应器 PHYSICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR WITH CIRCULARLY SYMMETRIC RF FEED AND DC FEED TO THE SPUTTER TARGET
公开(公告)号：TW201030811A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098134829
申请日：2009-10-14
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：霍夫曼丹尼爾J , 瑞英 , 布朗卡爾M , 皮皮頓約翰 , 華瑞恰克拉拉
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3444 , H01J37/3455
摘要：在頂壁處具有濺射靶材的PVD反應器中,包圍旋轉磁體組件的導電外殼具有一中央開口,以容納該旋轉磁體軸。該外殼的導電中空圓筒部環繞注該軸的外部部份。射頻功率源耦合至一徑向射頻(RF)連接桿,該射頻連接桿從該中空圓筒部徑向地延伸出。直流功率源耦合至另一徑向直流(DC)連接桿,該直流連接桿從該中空圓筒部徑向地延伸而出。
简体摘要：在顶壁处具有溅射靶材的PVD反应器中,包围旋转磁体组件的导电外壳具有一中央开口,以容纳该旋转磁体轴。该外壳的导电中空圆筒部环绕注该轴的外部部份。射频功率源耦合至一径向射频(RF)连接杆,该射频连接杆从该中空圆筒部径向地延伸出。直流功率源耦合至另一径向直流(DC)连接杆,该直流连接杆从该中空圆筒部径向地延伸而出。

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