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32. 发明专利

TWI580521B 具有窗口之薄硏磨墊及鑄造程序有权
简体标题：具有窗口之薄研磨垫及铸造进程
公开(公告)号：TWI580521B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134400
申请日：2008-06-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 章及明 , ZHANG, JIMIN , 歐斯特海德湯瑪士H , OSTERHELD, THOMAS H. , 史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A.
IPC分类号： B24B1/00
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013

33. 发明专利

TWI574787B 改變用於研磨控制的係數與函數有权
简体标题：改变用于研磨控制的系数与函数
公开(公告)号：TWI574787B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW101113982
申请日：2012-04-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大衛傑弗瑞杜魯 , DAVID, JEFFREY DRUE , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 胡曉源 , HU, XIAOYUAN
IPC分类号： B24B49/12 , B24B37/013
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/042 , G01N21/274 , G01N21/41 , H01L21/3212 , H01L22/12 , H01L22/26

34. 发明专利

TW201618891A 具有窗口之薄硏磨墊及鑄造程序审中-公开
简体标题：具有窗口之薄研磨垫及铸造进程
公开(公告)号：TW201618891A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104134400
申请日：2008-06-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 章及明 , ZHANG, JIMIN , 歐斯特海德湯瑪士H , OSTERHELD, THOMAS H. , 史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A.
IPC分类号： B24B1/00
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013
摘要：本發明揭露一種研磨墊，其包含：一研磨層，具有一研磨表面；一黏著層，位於該研磨層之與該研磨表面相對的一側；以及一實心透光視窗，延伸穿過且模嵌於該研磨層。該視窗的上表面與該研磨表面共平面，並且該視窗的下表面與該黏著層的下表面共平面。本發明亦揭露一種製造一研磨墊之方法，其包含：形成一孔洞穿過一研磨層及一黏著層；固定一墊片於該黏著層，該黏著層位於該研磨層之與研磨表面相對的一側；注入一液態聚合物至該孔洞中；以及硬化該液態聚合物形成一視窗。
简体摘要：本发明揭露一种研磨垫，其包含：一研磨层，具有一研磨表面；一黏着层，位于该研磨层之与该研磨表面相对的一侧；以及一实心透光窗口，延伸穿过且模嵌于该研磨层。该窗口的上表面与该研磨表面共平面，并且该窗口的下表面与该黏着层的下表面共平面。本发明亦揭露一种制造一研磨垫之方法，其包含：形成一孔洞穿过一研磨层及一黏着层；固定一垫片于该黏着层，该黏着层位于该研磨层之与研磨表面相对的一侧；注入一液态聚合物至该孔洞中；以及硬化该液态聚合物形成一窗口。

35. 发明专利

TWI498689B 用於研磨的電腦程式產品及方法有权
简体标题：用于研磨的电脑进程产品及方法
公开(公告)号：TWI498689B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW099137511
申请日：2010-11-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大衛傑弗瑞杜魯 , DAVID, JEFFREY DRUE , 李哈利Q , LEE, HARRY Q. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A.
IPC分类号： G05B19/18 , H01L21/304 , B24B49/12
CPC分类号： G05B19/418 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/205 , B24B49/12 , G05B2219/45232

36. 发明专利

TW201524682A 基板硏磨期間之硏磨速率的限制性調整审中-公开
简体标题：基板研磨期间之研磨速率的限制性调整
公开(公告)号：TW201524682A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103139799
申请日：2014-11-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J. , 傑瑞安班傑明 , CHERIAN, BENJAMIN , 迪漢達潘尼席維庫瑪 , DHANDAPANI, SIVAKUMAR , 李哈利Q , LEE, HARRY Q.
IPC分类号： B24B49/02 , B24B49/10 , G05B19/401
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/005 , B24B49/04 , H01L22/12
摘要：一種控制研磨之方法，該方法包括：以第一研磨速率研磨基板之區域；在研磨期間用原位監控系統量測基板之區域的序列特徵值；決定針對研磨終點時間前的複數個調整時間之各者的研磨速率調整；及調整研磨參數以第二研磨速率研磨基板。該時段比調整時間之間的時段更長且預估時間處於研磨終點時間之前。第二研磨速率係藉由研磨速率調整所調整之第一研磨速率。
简体摘要：一种控制研磨之方法，该方法包括：以第一研磨速率研磨基板之区域；在研磨期间用原位监控系统量测基板之区域的串行特征值；决定针对研磨终点时间前的复数个调整时间之各者的研磨速率调整；及调整研磨参数以第二研磨速率研磨基板。该时段比调整时间之间的时段更长且预估时间处于研磨终点时间之前。第二研磨速率系借由研磨速率调整所调整之第一研磨速率。

37. 发明专利

TW201350261A 於拋光之現場監測期間針對資料濾波之線性預測审中-公开
简体标题：于抛光之现场监测期间针对数据滤波之线性预测
公开(公告)号：TW201350261A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112924
申请日：2013-04-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J.
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/013
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/10
摘要：一種控制拋光的方法，包括：拋光一基板；在拋光期間，利用一現場監測系統來監測該基板，該監測包括從一感測器產生一信號；以及濾波該信號來產生一濾波信號。該信號包括一序列的測量值，且該濾波信號包括一序列的調整值。該濾波包括：針對在該序列的調整值中的每一調整值，使用線性預測而從該序列的測量值產生至少一預測值，以及從該序列的測量值與該預測值來計算該調整值。從該濾波信號來決定一拋光速率的一調整或一拋光終點之至少一者。
简体摘要：一种控制抛光的方法，包括：抛光一基板；在抛光期间，利用一现场监测系统来监测该基板，该监测包括从一传感器产生一信号；以及滤波该信号来产生一滤波信号。该信号包括一串行的测量值，且该滤波信号包括一串行的调整值。该滤波包括：针对在该串行的调整值中的每一调整值，使用线性预测而从该串行的测量值产生至少一预测值，以及从该串行的测量值与该预测值来计算该调整值。从该滤波信号来决定一抛光速率的一调整或一抛光终点之至少一者。

38. 发明专利

TWI370039B 具有含多個部分之視窗的研磨墊 POLISHING PAD WITH WINDOW HAVING MULTIPLE PORTIONS 有权
简体标题：具有含多个部分之窗口的研磨垫 POLISHING PAD WITH WINDOW HAVING MULTIPLE PORTIONS
公开(公告)号：TWI370039B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW096124191
申请日：2007-07-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：班維紐多明尼克J , 史威克柏格斯勞A , 章及明
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/205 , B24B49/12
摘要：一種研磨墊具有一不透明研磨層與一固態光傳輸視窗，該不透明研磨層具有一穿孔通過其間且具有一研磨表面，該固態光傳輸視窗位在該穿孔中。該固態光傳輸視窗包括一外部與一內部，該外部固定至該研磨層，該內部固定至該外部。該外部具有相對於該研磨表面內凹之一上表面，該內部具有與該研磨表面實質上共平面之一上表面。
简体摘要：一种研磨垫具有一不透明研磨层与一固态光传输窗口，该不透明研磨层具有一穿孔通过其间且具有一研磨表面，该固态光传输窗口位在该穿孔中。该固态光传输窗口包括一外部与一内部，该外部固定至该研磨层，该内部固定至该外部。该外部具有相对于该研磨表面内凹之一上表面，该内部具有与该研磨表面实质上共平面之一上表面。

39. 发明专利

TW201249598A 改變用於研磨控制的係數與函數 VARYING COEFFICIENTS AND FUNCTIONS FOR POLISHING CONTROL 审中-公开
简体标题：改变用于研磨控制的系数与函数 VARYING COEFFICIENTS AND FUNCTIONS FOR POLISHING CONTROL
公开(公告)号：TW201249598A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101113982
申请日：2012-04-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：大衛傑弗瑞杜魯 , 班維紐多明尼克J , 胡曉源
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/042 , G01N21/274 , G01N21/41 , H01L21/3212 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：產生參考光譜庫之方法包括以下步驟：儲存具有複數個層之層堆疊之光學模型；接收識別來自複數個層之第一層之一組一或更多個折射率函數及一組一或更多個消光係數函數之使用者輸入，其中該組一或更多個折射率函數包括複數個不同折射率函數或該組一或更多個消光係數函數包括複數個不同消光係數函數；以及對於來自該組折射率函數之折射率函數及來自該組消光係數函數之消光係數函數之每一組合，基於折射率函數、消光係數函數及第一之第一厚度使用光學模型計算參考光譜。產生參考光譜庫之方法包括以下步驟：接收代表基板上之第一層堆疊之反射率之第一光譜，第一堆疊包括第一介電層；接收代表基板上之第二層堆疊之反射率之第二光譜，第二堆疊包括第一介電層及不位於第一堆疊中之第二介電層；接收識別基板上之第一堆疊或第二堆疊中之至少一者之複數個不同貢獻百分比之使用者輸入；以及對於來自複數個不同貢獻百分比之每一貢獻百分比，根據第一光譜、第二光譜及貢獻百分比計算參考光譜。
简体摘要：产生参考光谱库之方法包括以下步骤：存储具有复数个层之层堆栈之光学模型；接收识别来自复数个层之第一层之一组一或更多个折射率函数及一组一或更多个消光系数函数之用户输入，其中该组一或更多个折射率函数包括复数个不同折射率函数或该组一或更多个消光系数函数包括复数个不同消光系数函数；以及对于来自该组折射率函数之折射率函数及来自该组消光系数函数之消光系数函数之每一组合，基于折射率函数、消光系数函数及第一之第一厚度使用光学模型计算参考光谱。产生参考光谱库之方法包括以下步骤：接收代表基板上之第一层堆栈之反射率之第一光谱，第一堆栈包括第一介电层；接收代表基板上之第二层堆栈之反射率之第二光谱，第二堆栈包括第一介电层及不位于第一堆栈中之第二介电层；接收识别基板上之第一堆栈或第二堆栈中之至少一者之复数个不同贡献百分比之用户输入；以及对于来自复数个不同贡献百分比之每一贡献百分比，根据第一光谱、第二光谱及贡献百分比计算参考光谱。

40. 发明专利

TWI366872B 用於化學機械研磨之光譜基底監測的設備與方法 APPARATUS AND METHODS FOR SPECTRUM BASED MONITORING OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 有权
简体标题：用于化学机械研磨之光谱基底监测的设备与方法 APPARATUS AND METHODS FOR SPECTRUM BASED MONITORING OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
公开(公告)号：TWI366872B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW099119185
申请日：2006-08-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：班維紐多明尼克J , 大衛傑弗瑞杜魯 , 史威克柏登 , 李哈利Q , 卡盧匹亞雷克須瑪南
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/205 , B24B49/12
摘要：本發明係揭示用於化學機械研磨之光譜基底監測的設備與方法，包含光譜基底終點偵測、光譜基底研磨速率調整、沖洗光學頭的上表面、或具有窗口的墊片。該光譜基底終點偵測依經驗法則為特定光譜基底終點判定邏輯選用一參考光譜，因此當應用該特定光譜基底終點邏輯判定出終點時，即是達到目標厚度。該研磨終點可利用一差異圖形或一系列指標值來判定。該沖洗系統在該光學頭上表面產生層流。該真空噴孔和真空來源係經配置以使該氣流為層流型態。該窗口包含一軟質塑膠部分及一結晶或玻璃類部分。光譜基底研磨速率調整包含取得基材上不同區域的光譜。
简体摘要：本发明系揭示用于化学机械研磨之光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源系经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑胶部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。

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