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31. 发明公开

EP0432612A2 Verfahren zur Erzeugung von Ladungsträgerlebensdauerprofilen in einem Halbleiter 失效
标题翻译：在einem Halbleiter中的Verfahren zur Erzeugung vonLadungsträgerlebensdauerprofilen。
公开(公告)号：EP0432612A2
公开(公告)日：1991-06-19
申请号：EP90123129.0
申请日：1990-12-03
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Kaussen, Franz, Dr. , Köhler, Werner
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/324
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Erzeugung vertikaler und/oder lateraler Profile der Ladungsträgerlebensdauer der Minoritätsladungsträger in einem Halbleiter.
Die Ladungsträgerlebensdauer wird in dem gesamten Halbleiter in bekannter Weise mittels Elektronen- oder Gammastrahlen durch Erzeugen von Gitterfehlstellen erniedrigt. Anschliessend wird die Ladungsträgerlebensdauer durch Zufuhr von Wärme an vorgegebenen Stellen des Halbleiters auf einen vorbestimmten Wert erhöht, wobei die Erhöhung der Ladungsträgerlebensdauer durch Ausheilen der durch die Bestrahlung erzeugten Fehlstellen bewirkt wird.
摘要翻译：本发明涉及用于产生半导体中少数载流子的寿命的垂直和/或横向分布的方法。通过使用电子束或γ射线产生晶格缺陷，常规方式在整个半导体中减少了载流子寿命。然后通过在半导体中的特定点提供热量将电荷载流子寿命增加到预定值，通过退火由辐射产生的断层来增加载流子寿命。

32. 发明授权

EP1307923B1 HOCHVOLT-DIODE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 有权
标题翻译：高压二极管和方法及其
公开(公告)号：EP1307923B1
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：EP01964927.6
申请日：2001-08-24
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG , Infineon Technologies AG
发明人： BARTHELMESS, Reiner , PFIRSCH, Frank , MAUDER, Anton , SCHMIDT, Gerhard
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/304
CPC分类号： H01L29/405 , H01L29/66128 , H01L29/8611
摘要： The invention relates to a high-voltage diode and to a method for the production thereof. According to the invention, only three masking steps are required due to the use of adjustment structures (6) and of a chipping stopper with an edge passivation (12) comprised of a-C:H or a-Si.

33. 发明公开

EP1128432A3 Befestigung von Halbleitermodulen an einem Kühlkörper 有权
标题翻译：的半导体模块上的散热器安装
公开(公告)号：EP1128432A3
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：EP01103358.6
申请日：2001-02-13
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Hellbrück, Horst , Joerke, Ralf , Kanelis, Konstantin , Loddenkötter, Manfred , Stolze, Thilo
IPC分类号： H01L23/40
CPC分类号： H01L23/4093 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Zur Befestigung eines Halbleitermoduls (2) an einem Kühlkörper (1) werden das Halbleitermodul (2) und der Kühlkörper (1) mittels einer oder mehrerer Klammern (4) aus Federmaterial, d. h. Federklammern (4), zusammengeklemmt. Diese Befestigung wird bevorzugt durch eine aufeinander abgestimmte Form der Federklammern (4) und Kühlkörper (1) bzw. Halbleitermodule (2) weiter optimiert. Eine jeweilige Verbindung Klammer- und Kühlkörper bzw. Halbleitermodul erfolgt vorteilhafterweise so, dass die Federklammer (4) in eine jeweilige Federklammeraufnahme (3a, 3b, 3c, 3d) eingesetzt werden kann, und selbsttätig am/im Kühlkörper (1) bzw. Halbleitermodul (2) hält.

34. 发明授权

EP1168620B1 Multichip-Halbleiteranordnung 有权
标题翻译：多芯片Halbleiteranordnung
公开(公告)号：EP1168620B1
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：EP01114267.6
申请日：2001-06-12
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Ruff, Martin, Dr. , Weis, Benno
IPC分类号： H03K17/12 , H03K17/567
CPC分类号： H03K17/08128 , H03K17/12 , H03K17/127

35. 发明公开

EP1168620A1 Multichip-Halbleiteranordnung 有权
标题翻译：多芯片Halbleiteranordnung
公开(公告)号：EP1168620A1
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：EP01114267.6
申请日：2001-06-12
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Ruff, Martin, Dr. , Weis, Benno
IPC分类号： H03K17/12 , H03K17/567
CPC分类号： H03K17/08128 , H03K17/12 , H03K17/127
摘要： Die Erfindung betrifft eine Multichip-Anordnung, bei der mehrere Halbleiterchips (Ch1, Ch2, ..., Chn) in einem Modul (M) so zusammengeschaltet sind, daß der Spannungsabfall über internen Gatewiderständen minimiert ist, um im Kurzschlußfall ein Ansteigen des Kurzschlußstromes mit der Gatespannung zu verhindern.
摘要翻译：该装置具有多个在模块中并联连接的半导体芯片（Ch1-Chn），其中控制连接通过电阻（RG1-RGn）一端连接到一侧的外部驱动电路（T）并通过二极管（D1 -D2）连接到另一侧的夹紧装置（K）。该模块具有栅极和钳位连接（G），每个芯片内的每个电阻和二极管并联连接，各个芯片的电阻和二极管的并联电路通常连接到栅极和钳位连接。该装置具有多个在模块中并联连接的半导体芯片（Ch1-Chn），其中控制连接通过电阻（RG1-RGn）一端连接到一侧的外部驱动电路（T）并通过二极管（D1 -D2）连接到另一侧的夹紧装置（K）。该模块具有栅极和钳位连接（G），每个芯片内的每个电阻和二极管并联连接，各个芯片的电阻和二极管的并联电路通常连接到栅极和钳位连接。

36. 发明公开

EP1128432A2 Befestigung von Halbleitermodulen an einem Kühlkörper 有权
标题翻译：的半导体模块上的散热器安装
公开(公告)号：EP1128432A2
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：EP01103358.6
申请日：2001-02-13
申请人： eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Hellbrück, Horst , Joerke, Ralf , Kanelis, Konstantin , Loddenkötter, Manfred , Stolze, Thilo
IPC分类号： H01L23/40
CPC分类号： H01L23/4093 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Zur Befestigung eines Halbleitermoduls (2) an einem Kühlkörper (1) werden das Halbleitermodul (2) und der Kühlkörper (1) mittels einer oder mehrerer Klammern (4) aus Federmaterial, d. h. Federklammern (4), zusammengeklemmt. Diese Befestigung wird bevorzugt durch eine aufeinander abgestimmte Form der Federklammern (4) und Kühlkörper (1) bzw. Halbleitermodule (2) weiter optimiert. Eine jeweilige Verbindung Klammer- und Kühlkörper bzw. Halbleitermodul erfolgt vorteilhafterweise so, dass die Federklammer (4) in eine jeweilige Federklammeraufnahme (3a, 3b, 3c, 3d) eingesetzt werden kann, und selbsttätig am/im Kühlkörper (1) bzw. Halbleitermodul (2) hält.
摘要翻译：一种用于向散热器的半导体模块（2）的附件（1），半导体模块（2）和所述散热装置（1）由弹簧材料的一个或多个夹具（4）的手段，D。H.弹簧夹（4）夹紧在一起。这种安装进一步通过弹簧夹（4）和所述散热装置（1）和半导体模块（2）的一个相匹配的形状优选地被优化。相应的连接缝合和散热片或半导体模块有利地进行，使得在相应的弹簧夹插座（3A，3B，3C，3D）的弹簧夹（4）都可以使用，并自动上/中的散热装置（1）和半导体模块（ 2）是否成立。

37. 发明公开

EP0987556A2 Vorrichtung zur Diffusionslängenmessung in Halbleiterkörpern 审中-公开
标题翻译： Volrichtung zurDiffusionslängenmessunginHalbleiterkörpern
公开(公告)号：EP0987556A2
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：EP99115516.9
申请日：1999-08-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Otto, Johann , Bommersbach, Renate , Schulze, Hans-Joachim, Dr. , Baur, Bernd
IPC分类号： G01R31/265 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2648 , H01L22/14
摘要： Zwischen zwei Meßhalbkammern zur Durchführung des Elymatverfahrens wird ein Probenhalter mit einem Halbleiterkörper (31) angeordnet, der die Kammern gegeneinander abdichtet. Der Probenhalter besteht aus zwei voneinander trennbaren Teilen (11, 12) mit einer Öffnung (21, 22) in der Mitte, in die der Halbleiterkörper eingesetzt wird. In Nuten (51, 52) längs der inneren Ränder (41, 42) sind Dichtungen (61, 62) eingefügt, so daß der Halbleiterkörper die Öffnung abdichtet. An den inneren Rändern sind die Teile auf den inneren Seitenflächen (71, 72) ausgespart, um den Halbleiterkörper aufnehmen und zentrieren zu können.
摘要翻译：半导体扩散长度测量装置使用两个室（2,3）来接收电解质（4,5），每个室包括与电解质接触的电极（8,15）。使用至少一个测试样本保持器（11,12），并且包括具有足够尺寸和形状的孔径，以容纳半导体本体，其完全密封可用电解质的孔，同时保持半导体主体的侧表面自由。测试样本保持器（11,12）可以与插入的半导体本体一起安装在室中或室中，使得在每个室中，电解质只与半导体本体的一个表面接触。光照射到半导体本体的表面上，并且可以在电极（8,15）之间以在电极之间测量的电流施加电压。

38. 发明授权

EP0654820B1 Halbleiter-Modul mit konvexer Bodenplatte 失效
标题翻译：半导体模块，具有凸起的底部板
公开(公告)号：EP0654820B1
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：EP94117619.0
申请日：1994-11-08
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Köhler, Werner , Spanke, Reinhold, Dipl.-Ing.
IPC分类号： H01L23/367 , H01L25/04 , H01L23/13
CPC分类号： H05K3/0061 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L2224/32225 , H05K3/341 , H05K2201/09018

39. 发明公开

EP0833388A2 Halbleiterbauelement mit Lateralwiderstand 失效
公开(公告)号：EP0833388A2
公开(公告)日：1998-04-01
申请号：EP97116091.6
申请日：1997-09-16
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Schulze, Hans-Joachim, Dr.
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L21/263 , H01L29/7408 , H01L29/7428 , H01L29/8605
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement bestehend aus einem Halbleiterkörper (1) mit mindestens einem integriertem Lateralwiderstand (6), wobei sich der Lateralwiderstand (6) aus der Dotierungskonzentration im Widerstandsbereich (7) ergibt. Der Widerstandsbereich (7) befindet sich in einem von der Oberfläche des Halbleiterbauelements zugänglichen Bereich und besitzt eine definierte Dotierungskonzentration. Zusätzlich sind Streuzentren (11) im Bereich des Lateralwiderstandes (6) vorgesehen, welche die Temperaturabhängigkeit des Lateralwiderstandes (6) erniedrigen.
摘要翻译：在由半导体本体（1）组成的半导体器件中，所述半导体器件具有集成的横向电阻器（6），其由位于可从器件表面可访问的区域中的限定的掺杂剂浓度的电阻器区域（7）中的掺杂浓度导致，散射中心）设置在横向电阻器（6）的区域中，用于降低电阻器的温度依赖性。优选地，散射中心（11）是通过用非掺杂高能粒子，特别是α粒子，质子和/或电子或氧和/或硅离子照射而在半导体晶体中产生的缺陷，并且它们是Frenkel和/ 或肖特基缺陷，氧空位复合体和/或双空位。还要求保护的是一种制造该器件的方法，其中散射中心是通过（a）屏蔽（MA）器件的阴极侧以覆盖电阻器区域（7）外的区域而产生的; （b）用高能非掺杂颗粒照射器件的阴极侧; 和（c）热处理以稳定散射中心（11）。

40. 发明公开

EP0763852A2 Gehäuse für ein Leistungs-Halbleitermodul 失效
标题翻译： Gehäusefürein Leistungs-Halbleitermodul
公开(公告)号：EP0763852A2
公开(公告)日：1997-03-19
申请号：EP96114182.7
申请日：1996-09-04
申请人： EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG
发明人： Hierholzer, Martin, Dr.-Ing. , Spanke, Reinhold, Dipl.-Ing.
IPC分类号： H01L23/053
CPC分类号： H01L23/053 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01087 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要： Bei elektrischen Störungen kann im Inneren eines Halbleitermoduls so viel Energie umgesetzt werden, daß es zur Explosion des Gehäuses kommt. Das Gehäuse hat einen definierten Wandbereich (4), der sich bei einem vorgegebenen Druck im Inneren des Gehäuses nach außen öffnet. Damit wird der Druck kontrolliert abgebaut und eine Explosion wird vermieden.
摘要翻译：壳体具有金属基座和位于基座上的绝缘材料的上部，并且具有侧壁和顶部。至少一个侧壁具有在壳体内的压力高于限定水平面的情况下向外打开的区域（4,7,9）。他侧壁的区域可以由侧壁中的至少一个凹槽（6）限定，例如。通过两个平行的凹槽。槽或槽可以布置在侧壁的内侧。槽的深度大于侧壁厚度的一半。

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