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    • 32. 发明申请
      US20100321994A1 MEMORY SELF-REFERENCE READ AND WRITE ASSIST METHODS 有权
    • MEMORY SELF-REFERENCE READ AND WRITE ASSIST METHODS
    • 存储器自读参考读写方法
    • US20100321994A1
    • 2010-12-23
    • US12869835
    • 2010-08-27
    • Wenzhong Zhu , Yiran Chen , Dimitar V. Dimitrov , Xiaobin Wang
    • Wenzhong Zhu , Yiran Chen , Dimitar V. Dimitrov , Xiaobin Wang
    • G11C11/14 , G11C7/00
    • G11C11/1675 , G11C11/1659 , G11C11/1673
    • A magnetic tunnel junction memory apparatus and self-reference read and write assist schemes are described. One method of self-reference reading a magnetic tunnel junction memory unit includes applying a first read current through a magnetic tunnel junction data cell to form a first bit line read voltage, then applying a first magnetic field through the magnetic tunnel junction data cell forming a magnetic field modified magnetic tunnel junction data cell, and then applying a second read current thorough the magnetic field modified magnetic tunnel junction data cell to form a second bit line read voltage. The first read current being less than the second read current. Then comparing the first bit line read voltage with the second bit line read voltage to determine whether the magnetic tunnel junction data cell was in a high resistance state or a low resistance state. Methods of applying a magnetic field to the MTJ and then writing the desired resistance state are also disclosed.
    • 描述了磁性隧道结存储装置和自参考读写辅助方案。 一种读取磁性隧道结存储单元的自参考方法包括：通过磁性隧道结数据单元施加第一读取电流以形成第一位线读取电压，然后通过形成磁性隧道结数据单元的磁性隧道结数据单元施加第一磁场 磁场修正磁隧道结数据单元，然后通过磁场修正磁隧道结数据单元施加第二读电流，形成第二位线读电压。 第一读取电流小于第二读取电流。 然后将第一位线读取电压与第二位线读取电压进行比较，以确定磁性隧道结数据单元是处于高电阻状态还是处于低电阻状态。 还公开了将磁场施加到MTJ然后写入期望的电阻状态的方法。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 34. 发明申请
      US20100103729A1 SPIN-TRANSFER TORQUE MEMORY SELF-REFERENCE READ AND WRITE ASSIST METHODS 有权
    • SPIN-TRANSFER TORQUE MEMORY SELF-REFERENCE READ AND WRITE ASSIST METHODS
    • 转子转矩记忆自读参考读写方法
    • US20100103729A1
    • 2010-04-29
    • US12372190
    • 2009-02-17
    • Wenzhong Zhu , Yiran Chen , Dimitar V. Dimitrov , Xiaobin Wang
    • Wenzhong Zhu , Yiran Chen , Dimitar V. Dimitrov , Xiaobin Wang
    • G11C11/14 , G11C11/416
    • G11C11/1675 , G11C11/1659 , G11C11/1673
    • A spin-transfer torque memory apparatus and self-reference read and write assist schemes are described. One method of self-reference reading a spin-transfer torque memory unit includes applying a first read current through a magnetic tunnel junction data cell and forming a first bit line read voltage and storing the first bit line read voltage. A magnetic field is applied through the magnetic tunnel junction data cell forming a magnetic field modified magnetic tunnel junction data cell. Then a second read current is applied thorough the magnetic field modified magnetic tunnel junction data cell forming a second bit line read voltage and the bit line read voltage is stored and compared with the first bit line read voltage to determine whether the first resistance state of the magnetic tunnel junction data cell was a high resistance state or low resistance state. Methods of applying a magnetic field to the MTJ and then writing the desired resistance state are also disclosed.
    • 描述了自旋转移力矩存储装置和自参考读和写辅助方案。 读取自旋转移转矩存储单元的一种自参考方法包括：通过磁性隧道结数据单元施加第一读取电流并形成第一位线读取电压并存储第一位线读取电压。 通过形成磁场修正磁隧道结数据单元的磁隧道结数据单元施加磁场。 然后通过形成第二位线读取电压的磁场修改的磁性隧道结数据单元施加第二读取电流，并且存储位线读取电压并将其与第一位线读取电压进行比较，以确定第一电阻状态 磁隧道结数据单元是高电阻状态或低电阻状态。 还公开了将磁场施加到MTJ然后写入期望的电阻状态的方法。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 38. 发明授权
      US08213215B2 Resistive sense memory calibration for self-reference read method 有权
    • Resistive sense memory calibration for self-reference read method
    • 电阻式记忆校准用于自参考读取方法
    • US08213215B2
    • 2012-07-03
    • US13015085
    • 2011-01-27
    • Yiran Chen , Hai Li , Wenzhong Zhu , Xiaobin Wang , Henry Huang , Hongyue Liu
    • Yiran Chen , Hai Li , Wenzhong Zhu , Xiaobin Wang , Henry Huang , Hongyue Liu
    • G11C11/00 , G11C5/14 , G11C7/06
    • G11C13/004 , G11C11/1673 , G11C27/02 , G11C2013/0057 , G11C2207/2254
    • Resistive memory calibration for self-reference read methods are described. One method of self-reference reading a resistive memory unit includes setting a plurality of resistive memory units to a first resistive data state. The resistive memory units forms a memory array. Reading a sensed resistive data state for each resistive memory unit by applying a first read current and a second read current through each resistive memory unit and then comparing voltages formed by the first read current and the second read current to determine the sensed resistive data state for each resistive memory unit. Then the method includes adjusting the first or the second read current, read voltages, or storage device capacitance for each resistive memory unit where the sensed resistive data state was not the same as the first resistive data state until the sensed resistive data state is the same as the first resistive data state.
    • 描述了自参考读取方法的电阻记忆校准。 读取电阻性存储器单元的一种自参考方法包括将多个电阻存储器单元设置为第一电阻数据状态。 电阻存储器单元形成存储器阵列。 通过施加第一读取电流和第二读取电流通过每个电阻性存储器单元，然后比较由第一读取电流和第二读取电流形成的电压，来为每个电阻性存储器单元读取感测的电阻数据状态，以确定感测的电阻数据状态 每个电阻存储器单元。 然后，该方法包括调整每个电阻性存储器单元的第一或第二读取电流，读取电压或存储器件电容，其中感测的电阻数据状态与第一电阻数据状态不同，直到感测的电阻数据状态相同 作为第一电阻数据状态。
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