专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明授权

KR100184677B1 플라즈마 처리장치 失效
标题翻译：等离子体加工装置，包括预防措施
公开(公告)号：KR100184677B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019920006786
申请日：1992-04-22
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 후카사와가즈오 , 스에츠구마사치카
IPC分类号： H01L21/42
CPC分类号： H01J37/32522 , C23C14/564 , C23C16/4401 , H01J2237/0266 , H01J2237/2001 , Y10S156/914
摘要： 챔버 내에 서로 평행하게 설치되고 한쪽의 전극에 피처리물이 놓여지는 1쌍의 정극과, 1쌍의 전극 사이에 고주파 전력을 인가하는 고주파 인가수단과, 피처리체를 냉각하기 위한 냉각수단과 챔버 내로 건조용 가스를 공급하는 가스도입수단과, 챔버에서 외기로 노출되는 부분에 설치된 결로방지수단으로 이루어지는 플라즈마 처리장치이다. 결로방지수단은 수지재료로 된 형성부재으 바깥표면에 금속층을 형성하여 이루어지는 플라즈마 처리장치이다. 결로방지수단은 수지재료로 된 형성부재의 바깥표면에 금속층을 형성하여 이루어지는 보호커버, 단열부재, 단열재로 이루어진 것을 특징으로 하고 있다.

32. 发明授权

KR100181553B1 박막형성방법 失效
标题翻译：形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR100181553B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950700876
申请日：1994-07-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이또히토시 , 스구로쿄이치 , 하야사카노부 , 오까노하루오 , 히모리신지 , 나가세기가즈야 , 모치즈키슈지
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C16/045 , C23C16/34 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要： 본 발명의 박막형성방법은, 표면에 홈이 형성된 반도체 기판(1)이 수용된 성막실내를 10
-4 Torr대 이하로 배기한 후, 성막실내에 TiCl
4 , 수소, 질소 및 NF
3 의 가스를 도입하고, 이어서 이들 가스를 플즈마화하여 홈의 측벽부 이외의 부분에 TiN박막(2)을 선택적으로 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.

33. 发明授权

KR100170413B1 피처리기판의재치대및이것을사용한플라즈마처리장치 失效
标题翻译：待处理基板的安装台和使用该基板的等离子体处理装置
公开(公告)号：KR100170413B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019920019440
申请日：1992-10-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 이토다카시 , 가즈오후카사와 , 아라미쥰이치
IPC分类号： H01L21/428
摘要： 플라즈마에칭장치의 프로세스 챔버내에 웨이퍼 재치대가 배설된다. 재치대 본체인 서셉터의 둘레부는 곡률반경이 큰 구부림 형상으로 형성되어 있다. 서셉터상에 정전적 시이트가 배설되고, 그 시접림은, 서셉터의 구부림 둘레부를 따르도록, 다시말하면 반도체 웨이퍼의 마지날부로부터 도망치도록, 구부림 형상으로 아래편으로 뻗는다. 시접림의 길이의 수평방향 성분이 짧아진 분만큼, 정전척 시이트의 도전성필름이 같은 방향으로 확장된다. 이에 의하여, 도전성 필름과 웨이퍼 사이의 정전적 및 열적인 결합이 증대한다.

34. 发明公开

KR1019990023359A 반도체처리시스템의플라즈마처리방법 有权
标题翻译：半导体处理系统的等离子处理方法
公开(公告)号：KR1019990023359A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019980031733
申请日：1998-08-04
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 이시하라히로유키 , 가와무라고헤이
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 웨이퍼를 탑재한 서셉터와 상부 전극이 에칭 장치의 처리실내에 대향 배치된다. 처리실의 측벽에는 광전송창이 마련된다. 제 2 RF 전원부와 제 1 RF 전원부로부터 각각 상부 전극과 서셉터에 RF 전력을 인가하여, 처리실내에 플라즈마를 여기한다. 플라즈마의 광을 광전송창을 거쳐 광검출기로 검출하여 데이터를 샘플링한다. CPU에 있어서, 샘플링 데이터를 와이블 분포 함수에 근거하여 피팅한 다음, 근사 방정식을 구하고, 또한 근사 방정식의 미분 방정식을 구한다. 이러한 근사 방정식과 미분 방정식으로부터 에칭 공정의 가상 종점을 예측한다.

35. 发明授权

KR100165566B1 프로우브 장치 失效
标题翻译：探头设备
公开(公告)号：KR100165566B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019930011135
申请日：1993-06-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 모리시게오키 , 가라사와와타루 , 후지하라히토시 , 스즈키마사루 , 요코타게이이치
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 여러 개의 프로우브를 가지는 프로우브 카드와, 프로우브 카드의 상방 또는, 측방에 배치되어, 피검사체를 유지하는 피검사체 유지수단과, 프로우브카드의 프로우브에 전기적으로 접속된 테스터헤드와, 테스터헤드에 전기적으로 접속되어, 피검사체로부터의 출력정보에 의거, 피검사체의 전기적 특성을 검출하는 테스터와, 피검사체와 대면하는 위치에 설치되어 피검사체의 위치 검출을 하기 위한 촬상수단등을 구비하는 프로우브장치.

36. 发明授权

KR100165558B1 프로우브 장치 失效
标题翻译：探测器
公开(公告)号：KR100165558B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019920010233
申请日：1992-06-12
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 나가사와야스시
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： G01R1/07314
摘要： 피검사체를 유지하는 얹어놓는대와, 상기 피검사체의 전극부에 접촉시켜서 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 다수의 수직프로우브침과, 상기 프로우브침에 부착한 부스러기를 제거하는 클리닝재를 가지는 클리닝 블록을 구비하며, 클리닝재가 초극세섬유로 이루어지는 천에 의하여 구성되어 있는 프로우브장치, 이것에 의하여, 수직프로우브침에 부착한 부스러기등을 제거하여 수직프로우브침의 수명 장기화를 도모할 수 있다.

37. 发明授权

KR100164618B1 플라즈마 처리방법 失效
标题翻译：使用静电卡盘的等离子体处理方法
公开(公告)号：KR100164618B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019930001965
申请日：1993-02-12
申请人： 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 후쿠자와가즈오 , 노나카료오 , 이마후쿠고우스케
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67098 , H01J2237/2001 , H01J2237/334 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 플라즈마 에칭에 앞서서 정전척을 관통하는 도전성 지지핀 상에 웨이퍼를 배치한다. 정전척은, 냉각 쟈케트를 내장하는 서셉터상에 배설된다. 이어서, 정전척에 정전 흡착용의 전위를 부여한다. 지지핀을 접지한 상태에서 강하시키고, 웨이퍼를, 정전척상에 재치한다.
이어서 지지핀을 정전척 내로 후퇴시키고, 웨이퍼와 지지핀과의 접촉을 끊는다. 이어서, 웨이퍼와 정전척 사이에 열매체 가스를 공급하고, 양 부재 사이의 열매체 특성을 향상시킨다.
그리고, 프로세스 챔버내에 플라즈마를 발생시켜서 플라즈마를 사용하여 웨이퍼를 에칭한다. 플라즈마의 발생에 앞서서 웨이퍼와 정전척 사이의 열전도성이 향상하기 때문에, 웨이퍼의 열적 손상이 방지됨과 동시에, 에칭 입상 시간이 단축된다.

38. 发明授权

KR100138753B1 IC 검사 장치 失效
标题翻译：用于测试IC元件的装置
公开(公告)号：KR100138753B1
公开(公告)日：1998-06-15
申请号：KR1019910013708
申请日：1991-08-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 시바타쥰이치로오
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/04
摘要： 본 발명은 IC 소자의 정기특성을 측정하는 IC 검사장치에 관한 것으로 특히 0.5mm피치 이상의 리드를 가지는 IC 소자의 검사장치에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 상부 모울드(6) 및 리드(7)를 가지는 IC소자(5)를 검사하기 위한 IC 검사장치로서, 상기 IC 소자(5)를 유지하기 위한 유지수단(32)과, 상기 IC소자(5)의 리드(7)에 접촉시키고자 하는 접촉침(42)과, 이 접촉침(42)을 지지하는 지지수단(44)을 구비한 접촉부(28)와, 상기 접촉부(28)를 서로 접촉시켜 상기 IC 소자(5)의 리드(7)와 상기 접촉침(42)을 접촉시키기 위한 접촉수단(34)과, 상기 지지수단(44)에 인접하여 지지수단의 방향으로 이동이 자유롭게 설치된 모울드 가이드(48), 이 모울드 가이드(48)는 상기 접촉침(42)을 수용하는 홈(60)이 형성된 엣지부(49)와, 상기 리드(7)와 접촉침(42)을 접촉시킬 때에 상기 IC소자(5)를 모울드 가이드(48)에 대하여 정렬하는 수단(56),(58)을 구비한 IC 검사장치를 제공하므로서, 접촉침(42)의 선단부(42)만이 리드(7)의 뿌리부(7b)에 접촉하기 때문에, 측정시 리드의 구부러짐에 방지되고 IC(5)가 기판에 실장(實裝)되는 리드(7)의 선단부(7a)를 접촉침(42)으로 손상하지 않기 때문에 선단부(7a) 표면의 평활성을 유지할 수 있다.
또 접촉침(42)이 고장난 경우에는 접촉침(42)을 1개씩 교환할 수 있기 때문에 종래의 소켓트 방식에서는 전체를 교환하지 않으면 안 되는 점에 비하여 유지비가 들지 않아 경제적이다.

39. 发明公开

KR1019950010713A 플라즈마처리의 종점검출 방법 및 장치 失效
标题翻译：用于等离子体处理终点检测的方法和设备
公开(公告)号：KR1019950010713A
公开(公告)日：1995-04-28
申请号：KR1019940025027
申请日：1994-09-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 사이토스스무 , 고시미즈지시오 , 에구치가즈오 , 히구치기미히로 , 데구치요이치
IPC分类号： G01N21/68 , H05H1/46 , H01L21/3065 , G01N21/62
摘要： 개시된 내용은 피처리물상에서 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법 및 플라즈마 처리장치이다.
그 방법은 플라즈마 내의 C
2 에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수단에 의하여 검출하는 단게와 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성된다. 장치는 처리실과 한쌍의 전극과 광수집기구와 광검출기, 및 결정기구를 가진다. 처리실은 감시창을 가진다. 전극은 처리실내에 위치된다. 제1전극은 피처리물을 지지는데 사용된다. 고주파 전원이 처리가스를 플라즈마로 변환하도록 전극사이에 공급된다. 광수집기구는 감시창을 통한 플라즈마로부터 광을 수집한다. 광학적 검출기는 수집된 광으로부터 방출스펙트럼을 검출한다. 결정기구는 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정한다. 감시창은 처리실에서 돌출한 원통형 부재의 먼쪽 끝단에 고정된다. 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생된 가스를 빼내기 위한 좁은 가스 통로를 가진다.

40. 发明公开

KR1019940016978A 프로브 카드 어셈블리 및 그 제조방법 失效
标题翻译：探针卡组件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019940016978A
公开(公告)日：1994-07-25
申请号：KR1019930027536
申请日：1993-12-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 우쓰노미야데쓰야 , 모치즈키도모아키 , 기무라히데토시
IPC分类号： G01R1/073
摘要： 프로우브 테스트중에 프로우브 침이 접촉되는 기판으로부터 열적 영향을 받는 프로우브 카드 어셈블리로서, 상기 기판에 접촉될 다수개의 프로우브 침을 가지고는 프로우브 카드 유니트와, 이 프로우브 카드 유니트를 그 중앙부에 유지하는 홀더를 구비하고 있다. 이 홀더는 본체 프레임의 상판에 의하여 지지되고, 프로우브 카드 유니트를 아래쪽으로부터 지지하는 링부재와, 이 링부재에 생기는 국부응력집중을 완화하기 위한 절단 단부 및 슬로트 구멍을 가진다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式