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31. 发明专利

TW201947054A 用於在圖案化基材的表面上選擇性形成材料的製程审中-公开
简体标题：用于在图案化基材的表面上选择性形成材料的制程
公开(公告)号：TW201947054A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114884
申请日：2019-04-29
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：多益斯艾娃 , TOIS, EVA , 波爾維爾傑米 , PORE, VILJAMI
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/316
摘要：本發明提供用於在基材的相對於先前沉積於第二表面上的鈍化層的第一表面上選擇性沉積介電膜的方法和系統。該方法可包括至少一用於在該第一表面上沉積材料的循環沉積製程，同時移除該鈍化層，藉以防止該鈍化層上方的沉積。
简体摘要：本发明提供用于在基材的相对于先前沉积于第二表面上的钝化层的第一表面上选择性沉积介电膜的方法和系统。该方法可包括至少一用于在该第一表面上沉积材料的循环沉积制程，同时移除该钝化层，借以防止该钝化层上方的沉积。

32. 发明专利

TWI669996B 用於積體電路製造之方法有权
简体标题：用于集成电路制造之方法
公开(公告)号：TWI669996B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104142382
申请日：2015-12-17
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 古德曼馬修 G. , GOODMAN, MATTHEW G.
IPC分类号： H05K3/00

33. 发明专利

TWI666337B 薄膜形成裝置有权
简体标题：薄膜形成设备
公开(公告)号：TWI666337B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104133648
申请日：2015-10-14
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：辻直人 , TSUJI, NAOTO , 佐藤和男 , SATO, KAZUO , 山岸孝幸 , YAMAGISHI, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52

34. 发明专利

TW201918579A 用於製備自組裝單層的方法审中-公开
简体标题：用于制备自组装单层的方法
公开(公告)号：TW201918579A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107124150
申请日：2018-07-12
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：凡艾琳娜 , FARM, ELINA
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02
摘要：本申請案揭示形成自組裝單層(self-assembled monolayer；SAM)，其藉由將基板暴露於SAM前驅物至少兩次且使基板中間冷卻來進行。
简体摘要：本申请案揭示形成自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)，其借由将基板暴露于SAM前驱物至少两次且使基板中间冷却来进行。

35. 发明专利

TW201907761A 基板處理裝置、儲存媒體以及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、存储媒体以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201907761A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107113795
申请日：2018-04-24
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：西脇和浩 , NISHIWAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： H05H7/02 , H01L21/3065
摘要：基板處理裝置的實例包括信號傳送器，輸出命令信號；以及RF產生器，接收命令信號，與命令信號的第一轉變同步開始輸出行進波功率，測量延遲時間，延遲時間是在命令信號的第一轉變後直到行進波功率的接收側達到預定施加功率狀態為止的時段，以及當在命令信號的第二轉變後經過延遲時間時，停止輸出行進波功率。
简体摘要：基板处理设备的实例包括信号发送器，输出命令信号；以及RF产生器，接收命令信号，与命令信号的第一转变同步开始输出行进波功率，测量延迟时间，延迟时间是在命令信号的第一转变后直到行进波功率的接收侧达到预定施加功率状态为止的时段，以及当在命令信号的第二转变后经过延迟时间时，停止输出行进波功率。

36. 发明专利

TWI641046B 積體電路的製造方法有权
简体标题：集成电路的制造方法
公开(公告)号：TWI641046B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW104108394
申请日：2015-03-17
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 古德曼馬修G , GOODMAN, MATTHEW G. , 凡羅伯特麥克 , VYNE, ROBERT MICHAEL , 希爾艾瑞克R , HILL, ERIC R.
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/20 , H01L21/67

37. 发明专利

TWI638060B 原子層沉積製程及形成金屬氮化物膜的方法有权
简体标题：原子层沉积制程及形成金属氮化物膜的方法
公开(公告)号：TWI638060B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW103107791
申请日：2014-03-07
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：布倫堡湯姆E , BLOMBERG, TOM E. , 安提拉雅各 , ANTTILA, JAAKKO
IPC分类号： C23C16/06

38. 发明专利

TW201835380A 熱原子層蝕刻製程审中-公开
简体标题：热原子层蚀刻制程
公开(公告)号：TW201835380A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106143075
申请日：2017-12-08
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：布倫堡湯姆 E. , BLOMBERG, TOM E. , 朱馳宇 , ZHU, CHIYU , 圖敏南馬可 J. , TUOMINEN, MARKO J. , 賀加蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P. , 夏瑪瓦倫 , SHARMA, VARUN
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/311 , H01J37/32
摘要：本發明揭示熱原子層蝕刻製程。在一些具體例中，該等方法包括至少一個蝕刻循環，其中使基板交替及依序地暴露至第一氣相鹵化物反應物及第二氣相鹵化物反應物。在一些具體例中，第一反應物可包括有機鹵化物化合物。在熱ALE循環期間，基板未與電漿反應物接觸。
简体摘要：本发明揭示热原子层蚀刻制程。在一些具体例中，该等方法包括至少一个蚀刻循环，其中使基板交替及依序地暴露至第一气相卤化物反应物及第二气相卤化物反应物。在一些具体例中，第一反应物可包括有机卤化物化合物。在热ALE循环期间，基板未与等离子反应物接触。

39. 发明专利

TW201834955A 晶圓處理裝置、記錄媒體以及晶圓搬運方法审中-公开
简体标题：晶圆处理设备、记录媒体以及晶圆搬运方法
公开(公告)号：TW201834955A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107100176
申请日：2018-01-03
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：野沢俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： B65G49/07 , H01L21/677
摘要：一種晶圓處理裝置，包括連接至第一機器人及第二機器人之控制器。控制器係控制第一機器人，其藉由將晶圓之中心自第一裝載鎖定平台之中心移動了第一位置偏移量的方式而將晶圓放置於第一裝載鎖定平台上，並且其藉由將晶圓之中心自第二裝載鎖定平台之中心移動了第二位置偏移量的方式而將另一晶圓放置於第二裝載鎖定平台上。控制器係控制第二機器人，使得第二機器人係同時搬運位於第一裝載鎖定平台與第一處理平台之間、第二裝載鎖定平台與第二處理平台之間的兩晶圓。
简体摘要：一种晶圆处理设备，包括连接至第一机器人及第二机器人之控制器。控制器系控制第一机器人，其借由将晶圆之中心自第一装载锁定平台之中心移动了第一位置偏移量的方式而将晶圆放置于第一装载锁定平台上，并且其借由将晶圆之中心自第二装载锁定平台之中心移动了第二位置偏移量的方式而将另一晶圆放置于第二装载锁定平台上。控制器系控制第二机器人，使得第二机器人系同时搬运位于第一装载锁定平台与第一处理平台之间、第二装载锁定平台与第二处理平台之间的两晶圆。

40. 发明专利

TWI628716B 循環沈積製程有权
简体标题：循环沉积制程
公开(公告)号：TWI628716B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW107106634
申请日：2014-12-18
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：梅特羅雷傑H. , MATERO,RAIJA H.
IPC分类号： H01L21/3205

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