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31. 发明专利

TWI309081B 用以使用一包含具可調式電阻之可切換半導體記憶元件之記憶體單元的方法 METHOD FOR USING A MEMORY CELL COMPRISING SWITCHABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH TRIMMABLE RESISTANCE 失效
简体标题：用以使用一包含具可调式电阻之可切换半导体记忆组件之内存单元的方法 METHOD FOR USING A MEMORY CELL COMPRISING SWITCHABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH TRIMMABLE RESISTANCE
公开(公告)号：TWI309081B
公开(公告)日：2009-04-21
申请号：TW095135852
申请日：2006-09-27
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D, LLC
发明人：譚美庫莫 KUMAR, TANMAY , S 布萊德賀納 HERNER, S. BRAD , 羅伊E 史契爾籃 SCHEUERLEIN, ROY E. , 克里斯多夫J 彼得 PETTI, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C11/5692 , G11C13/0069 , G11C17/14 , G11C17/165 , G11C2013/0073 , H01L27/101
摘要：本發明提供一種包含一由半導體材料形成之二極體的非揮發性記憶體單元,其可藉由施加一設定脈衝(減少電阻)或一重設脈衝(增加電阻)來改變半導體材料之電阻而儲存記憶體狀態。在較佳實施例中,設定脈衝在該二極體處於正向偏壓下之情況下而施加,而重設脈衝在該二極體處於反向偏壓下之情況下而施加。藉由切換二極體之半導體材料的電阻率,記憶體單元可為一次可程式或可重寫,且可達成兩個、三個、四個或四個以上之不同資料狀態。
简体摘要：本发明提供一种包含一由半导体材料形成之二极管的非挥发性内存单元,其可借由施加一设置脉冲(减少电阻)或一重设脉冲(增加电阻)来改变半导体材料之电阻而存储内存状态。在较佳实施例中,设置脉冲在该二极管处于正向偏压下之情况下而施加,而重设脉冲在该二极管处于反向偏压下之情况下而施加。借由切换二极管之半导体材料的电阻率,内存单元可为一次可进程或可重写,且可达成两个、三个、四个或四个以上之不同数据状态。

32. 发明专利

TW200908338A 形成用於電晶體的低瑕疵複晶半導體材料之方法 METHOD TO FORM LOW-DEFECT POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR USE IN A TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：形成用于晶体管的低瑕疵复晶半导体材料之方法 METHOD TO FORM LOW-DEFECT POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR USE IN A TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200908338A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097122262
申请日：2008-06-13
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人： S 布萊德何訥 HERNER, S. BRAD , 克里斯多夫J 彼得 PETTI, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/24 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/6675 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要：本發明描述一種用於形成薄膜電晶體之方法,該薄膜電晶體之電流切換區域處於已與矽化鈦、矽-鍺化鈦或鍺化鈦接觸而結晶之複晶半導體材料中。矽化鈦、矽-鍺化鈦或鍺化鈦形成為在最小維度上具有不大於0.25微米之特徵大小。小的特徵大小傾向於抑制自C49相至C54相矽化鈦之相變。矽化鈦之C49相具有與矽之非常緊密的晶格匹配,且因此在矽形成時向其提供結晶模板,從而允許大晶粒低瑕疵之矽的形成。鈦不傾向於在結晶期間遷移穿過矽,從而限制金屬污染之危險。在較佳實施例中,由此形成之電晶體可為(例如)場效電晶體或雙極接面電晶體。
简体摘要：本发明描述一种用于形成薄膜晶体管之方法,该薄膜晶体管之电流切换区域处于已与硅化钛、硅-锗化钛或锗化钛接触而结晶之复晶半导体材料中。硅化钛、硅-锗化钛或锗化钛形成为在最小维度上具有不大于0.25微米之特征大小。小的特征大小倾向于抑制自C49相至C54相硅化钛之相变。硅化钛之C49相具有与硅之非常紧密的晶格匹配,且因此在硅形成时向其提供结晶模板,从而允许大晶粒低瑕疵之硅的形成。钛不倾向于在结晶期间迁移穿过硅,从而限制金属污染之危险。在较佳实施例中,由此形成之晶体管可为(例如)场效应管或双极接面晶体管。

33. 发明专利

TW200908296A 多晶薄膜雙極電晶體及其製法 POLYCRYSTALLINE THIN FILM BIPOLAR TRANSISTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：多晶薄膜双极晶体管及其制法 POLYCRYSTALLINE THIN FILM BIPOLAR TRANSISTORS AND METHODS OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200908296A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097122362
申请日：2008-06-13
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：克里斯多夫J 彼得 PETTI, CHRISTOPHER J. , S 布萊德賀納 HERNER, S. BRAD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L27/1021 , H01L27/1022 , H01L29/1008 , H01L29/6625 , H01L29/66265 , H01L29/7322
摘要：本發明描述一種半導體裝置及形成該裝置之方法,其中該裝置包含具有基極區、射極區及集極區之雙極電晶體,其中該基極區包含由使與矽化物、鍺化物或矽化物鍺化物接觸之矽、鍺或矽鍺結晶來形成之多晶半導體材料。射極區及集極區亦可包括由使與形成矽化物、鍺化物或矽化物鍺化物之金屬接觸之矽、鍺或矽鍺結晶來形成之多晶半導體材料。多晶半導體材料較佳為矽化多晶矽,其與C49相矽化鈦接觸而形成。
简体摘要：本发明描述一种半导体设备及形成该设备之方法,其中该设备包含具有基极区、射极区及集极区之双极晶体管,其中该基极区包含由使与硅化物、锗化物或硅化物锗化物接触之硅、锗或硅锗结晶来形成之多晶半导体材料。射极区及集极区亦可包括由使与形成硅化物、锗化物或硅化物锗化物之金属接触之硅、锗或硅锗结晶来形成之多晶半导体材料。多晶半导体材料较佳为硅化多晶硅,其与C49相硅化钛接触而形成。

34. 发明专利

TW200908233A 三維反及型記憶體及其製作方法 THREE DIMENSIONAL NAND MEMORY AND METHOD OF MAKING THEREOF 失效
简体标题：三维反及型内存及其制作方法 THREE DIMENSIONAL NAND MEMORY AND METHOD OF MAKING THEREOF
公开(公告)号：TW200908233A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097110923
申请日：2008-03-26
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：尼瑪莫克雷西 MOKHLESI, NIMA , 洛依碩力恩 SCHEUERLEIN, ROY
IPC分类号： H01L
摘要：一種單體、三維反及串包括一位於一第二記憶體單元上方之第一記憶體單元。該第一記憶體單元之一半導體作用區域磊晶地形成於該第二記憶體單元之一半導體作用區域上,以使得在該第一記憶體單元之該半導體作用區域與該第二記憶體單元之該半導體作用區域之間存在一經界定之邊界。
简体摘要：一种单体、三维反及串包括一位于一第二内存单元上方之第一内存单元。该第一内存单元之一半导体作用区域磊晶地形成于该第二内存单元之一半导体作用区域上,以使得在该第一内存单元之该半导体作用区域与该第二内存单元之该半导体作用区域之间存在一经界定之边界。

35. 发明专利

TW200903782A 包括奈米碳管織物單元及轉向單元之記憶體元件及其製造方法 MEMORY CELL COMPRISING A CARBON NANOTUBE FABRIC ELEMENT AND A STEERING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：包括奈米碳管织物单元及转向单元之内存组件及其制造方法 MEMORY CELL COMPRISING A CARBON NANOTUBE FABRIC ELEMENT AND A STEERING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200903782A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097111114
申请日：2008-03-27
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人： S 布萊德賀納 HERNER, S. BRAD , 羅伊E 碩立恩 SCHEUERLEIN, ROY E.
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L29/0673 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L29/0665 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/149 , H01L51/0048
摘要：本發明揭示一種可重寫非揮發性記憶體單元,其包括一與一奈米碳管織物串聯之轉向元件。該轉向元件較佳為一個二極體且亦可為一電晶體。該奈米碳管織物在經受一適當之電脈衝時可回復地改變電阻率。可感測該奈米碳管織物之不同電阻率狀態,且該等不同電阻率狀態可對應於該記憶體單元之相異資料狀態。該等記憶體單元之一第一記憶體層級可單體式形成於一基板上,一第二記憶體層級單體式形成於該第一記憶體層級上,依此類推,以形成一具有堆疊式記憶體層級的高度密集之單體三維記憶體陣列。本發明亦揭示一種形成一可重寫非揮發性記憶體單元之方法及衆多其他態樣。
简体摘要：本发明揭示一种可重写非挥发性内存单元,其包括一与一奈米碳管织物串联之转向组件。该转向组件较佳为一个二极管且亦可为一晶体管。该奈米碳管织物在经受一适当之电脉冲时可回复地改变电阻率。可传感该奈米碳管织物之不同电阻率状态,且该等不同电阻率状态可对应于该内存单元之相异数据状态。该等内存单元之一第一内存层级可单体式形成于一基板上,一第二内存层级单体式形成于该第一内存层级上,依此类推,以形成一具有堆栈式内存层级的高度密集之单体三维内存数组。本发明亦揭示一种形成一可重写非挥发性内存单元之方法及众多其他态样。

36. 发明专利

TW200847627A 併入電晶體驟回保護之電壓位準移位器電路 LEVEL SHIFTER CIRCUIT INCORPORATING TRANSISTOR SNAP-BACK PROTECTION 失效
简体标题：并入晶体管骤回保护之电压位准移位器电路 LEVEL SHIFTER CIRCUIT INCORPORATING TRANSISTOR SNAP-BACK PROTECTION
公开(公告)号：TW200847627A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097111717
申请日：2008-03-31
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：泰勒J 索普 THORP, TYLER J. , 路卡G 佛斯里 FASOLI, LUCA G.
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K3/35613 , H03K17/102 , H03K19/01721
摘要：本發明揭示電壓位準移位電路,其用於使對應於一第一電壓域之一輸入信號電壓位準移位,以產生對應於一第二較高電壓域的一對互補輸出信號。用於一高電壓輸出節點之放電電路中的驟回敏感裝置受保護,而無關於該輸出節點上之負載,且無需根據該輸出負載而精確確定電晶體尺寸。驟回敏感裝置係藉由一與該等敏感裝置串聯之電壓移位器電路來保護,以限制該等敏感裝置上之電壓,甚至對於處於其最高輸出電壓的一高電容輸出節點亦如此。該電壓移位器電路接著被繞過以提供一完全到達較低電源軌線之輸出低電壓位準。
简体摘要：本发明揭示电压位准移位电路,其用于使对应于一第一电压域之一输入信号电压位准移位,以产生对应于一第二较高电压域的一对互补输出信号。用于一高电压输出节点之放电电路中的骤回敏感设备受保护,而无关于该输出节点上之负载,且无需根据该输出负载而精确确定晶体管尺寸。骤回敏感设备系借由一与该等敏感设备串联之电压移位器电路来保护,以限制该等敏感设备上之电压,甚至对于处于其最高输出电压的一高电容输出节点亦如此。该电压移位器电路接着被绕过以提供一完全到达较低电源轨线之输出低电压位准。

37. 发明专利

TW200842888A 多重極性可逆式充電泵電路及相關方法 MULTIPLE POLARITY REVERSIBLE CHARGE PUMP CIRCUIT AND RELATED METHODS 失效
简体标题：多重极性可逆式充电泵电路及相关方法 MULTIPLE POLARITY REVERSIBLE CHARGE PUMP CIRCUIT AND RELATED METHODS
公开(公告)号：TW200842888A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096150856
申请日：2007-12-28
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：阿里K 歐薩瑪 AL-SHAMMA, ALI K. , 洛依E 艾德恩 SCHEUERLEIN, ROY E.
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： H02M3/073 , G11C5/145 , G11C13/0038 , G11C2213/77 , H02M2003/071
摘要：本發明揭示一種多重極性可逆式充電泵電路,其在特定實施例中可經組態以有時產生一正電壓,且可經逆轉以在其他時間產生一負電壓。若並不同時需要該正電壓及該負電壓,則此充電泵電路為有利的。在特定其他實施例中,在一操作模式下,一充電泵電路產生針對僅一正升壓的一高輸出電流,但在另一操作模式下,產生較低電流正及負升壓輸出。本發明揭示與特定可抹除記憶體陣列技術一起之使用,特定言之,特定電阻性被動元件記憶體單元,且更特定言之,用於三維記憶體陣列中。
简体摘要：本发明揭示一种多重极性可逆式充电泵电路,其在特定实施例中可经组态以有时产生一正电压,且可经逆转以在其他时间产生一负电压。若并不同时需要该正电压及该负电压,则此充电泵电路为有利的。在特定其他实施例中,在一操作模式下,一充电泵电路产生针对仅一正升压的一高输出电流,但在另一操作模式下,产生较低电流正及负升压输出。本发明揭示与特定可抹除内存数组技术一起之使用,特定言之,特定电阻性被动组件内存单元,且更特定言之,用于三维内存数组中。

38. 发明专利

TW200837897A 相鄰於矽化物而晶體化且與介電反熔絲串列的P-I-N二極體及其形成方法 P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC ANTIFUSE AND METHODS OF FORMING THE SAME 失效
简体标题：相邻于硅化物而晶体化且与介电反熔丝串行的P-I-N二极管及其形成方法 P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC ANTIFUSE AND METHODS OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200837897A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096143253
申请日：2007-11-15
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人： S 布萊德賀納 HERNER, S. BRAD
IPC分类号： H01L , G11C
摘要：本發明揭示一種用於形成一具有降低程式化電壓之非揮發性單次可程式化記憶體單元的方法。一鄰近p-i-n二極體係與一由高介電常數材料形成之介電斷裂反熔絲配對,該介電斷裂反熔絲具有一大於約8之介電常數。在較佳具體實施例中,該高介電常數材料係藉由原子層沈積形成。該二極體較佳由沈積之低缺陷半導體材料形成,其接觸於一矽化物而晶體化。該等單元之一單體三維記憶體陣列可以在晶圓基板上形成堆疊式記憶體層級。
简体摘要：本发明揭示一种用于形成一具有降低进程化电压之非挥发性单次可进程化内存单元的方法。一邻近p-i-n二极管系与一由高介电常数材料形成之介电断裂反熔丝配对,该介电断裂反熔丝具有一大于约8之介电常数。在较佳具体实施例中,该高介电常数材料系借由原子层沉积形成。该二极管较佳由沉积之低缺陷半导体材料形成,其接触于一硅化物而晶体化。该等单元之一单体三维内存数组可以在晶圆基板上形成堆栈式内存层级。

39. 发明专利

TW200814080A 溫度感測器電路之精確度的改良方法 METHOD FOR IMPROVING THE PRECISION OF A TEMPERATURE-SENSOR CIRCUIT 审中-公开
简体标题：温度传感器电路之精确度的改良方法 METHOD FOR IMPROVING THE PRECISION OF A TEMPERATURE-SENSOR CIRCUIT
公开(公告)号：TW200814080A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096116905
申请日：2007-05-11
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：肯尼斯蘇 SO, KENNETH , 阿里歐薩瑪 AL-SHAMMA, ALI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/04 , G11C5/147
摘要：以下所述的較佳具體實施例提供一種用於改良溫度感測器電路之精確度的方法及記憶體裝置。在一較佳具體實施例中,產生並比較第一與第二溫度相依參考電壓,並基於比較的結果以控制該記憶體陣列之運作條件。作為使用一溫度相依參考電壓之替代方案,可使用一溫度相依參考電流。揭示其它的具體實施例,其中可以單獨使用或結合使用每項具體實施例。
简体摘要：以下所述的较佳具体实施例提供一种用于改良温度传感器电路之精确度的方法及内存设备。在一较佳具体实施例中,产生并比较第一与第二温度相依参考电压,并基于比较的结果以控制该内存数组之运作条件。作为使用一温度相依参考电压之替代方案,可使用一温度相依参考电流。揭示其它的具体实施例,其中可以单独使用或结合使用每项具体实施例。

40. 发明专利

TW200811864A 多用途記憶體單元與記憶體陣列以及其使用方法 MULTI-USE MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY AND METHOD FOR USE THEREWITH 失效
简体标题：多用途内存单元与内存数组以及其使用方法 MULTI-USE MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY AND METHOD FOR USE THEREWITH
公开(公告)号：TW200811864A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096123304
申请日：2007-06-27
申请人：桑迪士克3D公司 SANDISK 3D LLC
发明人：洛依E 艾德恩 SCHEUERLEIN, ROY E. , 譚美庫莫 KUMAR, TANMAY
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/56 , G11C13/00 , G11C17/06 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C17/18 , G11C29/027 , G11C29/028 , G11C2211/5641
摘要：揭示一種多用途記憶體單元與記憶體陣列以及其使用方法。在一項較佳具體實施例中,一記憶體單元係可運作為一可單次程式化記憶體單元或一可重寫記憶體單元。該記憶體單元包括一記憶體元件,該記憶體元件包括可組態至至少三種電阻率狀態中之一者的一半導體材料,其中當該記憶體單元運作為一可單次程式化記憶體單元時,使用一第一電阻率狀態來表示該記憶體單元的一資料狀態;但是當該記憶體單元運作為一可重寫記憶體單元時,不使用該第一電阻率狀態來表示該記憶體單元的一資料狀態。亦揭示一種運用此等記憶體單元之記憶體陣列。在另一項較佳具體實施例中,提供一種記憶體單元,其包括一可切換式電阻材料,其中該記憶體單元運作於:一第一模式,其中該記憶體單元係用一正向偏壓予以程式化;一第二模式,其中該記憶體單元係用一逆向偏壓予以程式化。
简体摘要：揭示一种多用途内存单元与内存数组以及其使用方法。在一项较佳具体实施例中,一内存单元系可运作为一可单次进程化内存单元或一可重写内存单元。该内存单元包括一内存组件,该内存组件包括可组态至至少三种电阻率状态中之一者的一半导体材料,其中当该内存单元运作为一可单次进程化内存单元时,使用一第一电阻率状态来表示该内存单元的一数据状态;但是当该内存单元运作为一可重写内存单元时,不使用该第一电阻率状态来表示该内存单元的一数据状态。亦揭示一种运用此等内存单元之内存数组。在另一项较佳具体实施例中,提供一种内存单元,其包括一可切换式电阻材料,其中该内存单元运作于:一第一模式,其中该内存单元系用一正向偏压予以进程化;一第二模式,其中该内存单元系用一逆向偏压予以进程化。

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