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31. 发明专利

TW201831644A 研磨用組合物及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组合物及研磨方法
公开(公告)号：TW201831644A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106146203
申请日：2017-12-28
申请人：日商霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：杉田規章 , SUGITA, NORIAKI , 松下隆幸 , MATSUSHITA, TAKAYUKI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種可進一步減少研磨後之晶圓之微小缺陷及霧度的研磨用組合物。研磨用組合物包含二氧化矽粒子、鹼性化合物、及聚甘油，且二氧化矽相對於聚甘油之質量比為0.9以下。基性化合物亦可為選自鹼金屬之氫氧化物、鹼金屬之鹽、氨、胺、銨鹽、及四級銨氫氧化物類中之至少一種。研磨用組合物較佳為進而包含作為非離子性界面活性劑之多元醇。
简体摘要：本发明提供一种可进一步减少研磨后之晶圆之微小缺陷及雾度的研磨用组合物。研磨用组合物包含二氧化硅粒子、碱性化合物、及聚甘油，且二氧化硅相对于聚甘油之质量比为0.9以下。基性化合物亦可为选自碱金属之氢氧化物、碱金属之盐、氨、胺、铵盐、及四级铵氢氧化物类中之至少一种。研磨用组合物较佳为进而包含作为非离子性界面活性剂之多元醇。

32. 发明专利

TW201815963A 研磨墊审中-公开
简体标题：研磨垫
公开(公告)号：TW201815963A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106131825
申请日：2017-09-15
申请人：日商霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：赤時正敏 , AKAJI, MASATOSHI , 伊藤一則 , ITO, KAZUNORI , 喜多良夫 , KITA, YOSHIO , 河井奈緒子 , KAWAI, NAOKO
IPC分类号： C08L75/04 , B24B37/24 , H01L21/304
摘要：本發明係一種研磨墊等，其係具有研磨面者，且具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體，上述墊本體成為構成上述研磨面之部分，上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中，且成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm3以下。
简体摘要：本发明系一种研磨垫等，其系具有研磨面者，且具有由包含聚胺基甲酸酯树脂与氧化铈粒子之高分子体所形成之垫本体，上述垫本体成为构成上述研磨面之部分，上述氧化铈粒子系成为1次粒子及复数个1次粒子凝集而成之2次粒子而包含于上述高分子体中，且成为30 μm以上之粒径而包含于上述高分子体中之比率为7,000个/cm3以下。

33. 发明专利

TW201800480A 高分子體、研磨墊、及高分子體之製造方法审中-公开
简体标题：高分子体、研磨垫、及高分子体之制造方法
公开(公告)号：TW201800480A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104240
申请日：2017-02-09
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：赤時正敏 , AKAJI, MASATOSHI
IPC分类号： C08L75/04 , C08K5/41 , C08K5/42 , C08K5/19 , C08G18/10 , C08G18/66 , C08G18/48 , C08G18/32 , C08G18/76 , C08G18/79 , B24B37/24 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , C08G18/08 , H01L21/304
摘要：本發明係一種高分子體等，該高分子體係包含聚胺基甲酸酯樹脂者，上述聚胺基甲酸酯樹脂具備源自包含羥基之化合物之第1結構單元與源自包含異氰酸基之化合物之第2結構單元，上述第1結構單元之1個以上源自包含羥基之有機陽離子及包含羥基之有機陰離子中之至少一者。
简体摘要：本发明系一种高分子体等，该高分子体系包含聚胺基甲酸酯树脂者，上述聚胺基甲酸酯树脂具备源自包含羟基之化合物之第1结构单元与源自包含异氰酸基之化合物之第2结构单元，上述第1结构单元之1个以上源自包含羟基之有机阳离子及包含羟基之有机阴离子中之至少一者。

34. 发明专利

TW201728734A 研磨用組合物审中-公开
简体标题：研磨用组合物
公开(公告)号：TW201728734A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134180
申请日：2016-10-21
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：杉田規章 , SUGITA, NORIAKI , 知念美佳 , CHINEN, MIKA , 松下隆幸 , MATSUSHITA, TAKAYUKI , 松田修平 , MATSUDA, SHUHEI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種可實現表面缺陷之抑制及霧度之降低之研磨用組合物。研磨用組合物包含研磨粒、選自具有1,2-二醇結構單元之乙烯醇系樹脂中之至少一種水溶性高分子、及鹼化合物，且利用動態光散射法所測得之研磨組合物中之粒子之平均粒徑為55 nm以下。研磨用組合物較佳為進而包含非離子性界面活性劑。又，研磨用組合物較佳為進而包含多元醇。
简体摘要：本发明提供一种可实现表面缺陷之抑制及雾度之降低之研磨用组合物。研磨用组合物包含研磨粒、选自具有1,2-二醇结构单元之乙烯醇系树脂中之至少一种水溶性高分子、及碱化合物，且利用动态光散射法所测得之研磨组合物中之粒子之平均粒径为55 nm以下。研磨用组合物较佳为进而包含非离子性界面活性剂。又，研磨用组合物较佳为进而包含多元醇。

35. 发明专利

TWI561618B 硏磨組合物有权
简体标题：研磨组合物
公开(公告)号：TWI561618B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102143322
申请日：2013-11-27
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：松下隆幸 , MATSUSHITA, TAKAYUKI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C23F1/30 , H01L21/02024

36. 发明专利

TW201600230A 半導體基板之研磨方法审中-公开
简体标题：半导体基板之研磨方法
公开(公告)号：TW201600230A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104110529
申请日：2015-03-31
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：寺本匡志 , TERAMOTO, MASASHI , 中內辰哉 , NAKAUCHI, TATSUYA , 杉田規章 , SUGITA, NORIAKI , 羽場真一 , HABA, SHINICHI , 宮本明子 , MIYAMOTO, AKIKO
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/02024
摘要：本發明之半導體基板之研磨方法包括：中間研磨步驟，其係以於半導體基板之表面使高度未達3nm之表面缺陷數成為全部表面缺陷數的45%以上之方式進行研磨；及最終研磨步驟，其係於上述中間研磨步驟後，對上述半導體基板進行精研磨。
简体摘要：本发明之半导体基板之研磨方法包括：中间研磨步骤，其系以于半导体基板之表面使高度未达3nm之表面缺陷数成为全部表面缺陷数的45%以上之方式进行研磨；及最终研磨步骤，其系于上述中间研磨步骤后，对上述半导体基板进行精研磨。

37. 发明专利

TW200916565A 研磨組合物审中-公开
简体标题：研磨组合物
公开(公告)号：TW200916565A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097128210
申请日：2008-07-24
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：松村義之 MATSUMURA, YOSHIYUKI , 新田浩士 NITTA, HIROSHI
IPC分类号： C09K , C09G
CPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的係在提供一種可達成高速之研磨速度,且可提高平坦性之研磨組合物。本發明之研磨組合物,係一種適於金屬膜,特別是適於銅膜之研磨組合物,含有含銨基鹼性化合物、具有碳數為9~18之烷基的烷基苯磺酸鹽及過氧化氫,其餘為水。作為鹼性化合物可使用氫氧化銨,作為烷基苯磺酸鹽可使用十二烷基苯磺酸鹽。
简体摘要：本发明之目的系在提供一种可达成高速之研磨速度,且可提高平坦性之研磨组合物。本发明之研磨组合物,系一种适于金属膜,特别是适于铜膜之研磨组合物,含有含铵基碱性化合物、具有碳数为9~18之烷基的烷基苯磺酸盐及过氧化氢,其余为水。作为碱性化合物可使用氢氧化铵,作为烷基苯磺酸盐可使用十二烷基苯磺酸盐。

38. 发明专利

TW200613532A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200613532A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094109847
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的在於提供一種半導體研磨用組合物，其可防止塵霧狀二氧化矽之凝集，且可對半導體元件不產生研磨損傷之方式有效且高精度地研磨半導體元件。將分散前粉體之粉末密度為50 g／L以上且未滿100 g／L之塵霧狀二氧化矽作為研磨粒而使用。若粉末密度為75 g／L以上85 g／L以下則更好。藉此，可使塵霧狀二氧化矽之分散狀態良好，且亦可實現輸送成本之降低。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种半导体研磨用组合物，其可防止尘雾状二氧化硅之凝集，且可对半导体组件不产生研磨损伤之方式有效且高精度地研磨半导体组件。将分散前粉体之粉末密度为50 g／L以上且未满100 g／L之尘雾状二氧化硅作为研磨粒而使用。若粉末密度为75 g／L以上85 g／L以下则更好。借此，可使尘雾状二氧化硅之分散状态良好，且亦可实现输送成本之降低。

39. 发明专利

TW200602471A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200602471A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094109782
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/30625
摘要：本發明之目的在於即使含有煙燻之二氧化矽作為研磨劑，亦不會影響煙燻二氧化矽之優點即較高之研磨速度，而顯著減少半導體元件表面之研磨損傷的產生。於貼附於研磨台1之墊2上載置晶圓3，藉由加壓頭4向晶圓3施加荷重，藉由旋轉墊2與加壓頭4而研磨晶圓3時，作為供給至墊2上之研磨用組合物5，使用一種研磨用組合物，其係煙燻二氧化矽之水分散液，且粒徑100nm以下之煙燻二氧化矽粒子的含有量為煙燻二氧化矽所有粒子之15體積％以上。該組合物幾乎未產生由於外部負荷及／或長期保存而導致之煙燻二氧化矽的凝集，因此幾乎未產生半導體元件表面之研磨損傷，特別是直徑0.2μm以上之研磨損傷，且具有較高研磨速度。
简体摘要：本发明之目的在于即使含有烟熏之二氧化硅作为研磨剂，亦不会影响烟熏二氧化硅之优点即较高之研磨速度，而显着减少半导体组件表面之研磨损伤的产生。于贴附于研磨台1之垫2上载置晶圆3，借由加压头4向晶圆3施加荷重，借由旋转垫2与加压头4而研磨晶圆3时，作为供给至垫2上之研磨用组合物5，使用一种研磨用组合物，其系烟熏二氧化硅之水分散液，且粒径100nm以下之烟熏二氧化硅粒子的含有量为烟熏二氧化硅所有粒子之15体积％以上。该组合物几乎未产生由于外部负荷及／或长期保存而导致之烟熏二氧化硅的凝集，因此几乎未产生半导体组件表面之研磨损伤，特别是直径0.2μm以上之研磨损伤，且具有较高研磨速度。

40. 发明专利

TW201821252A 研磨輥审中-公开
简体标题：研磨辊
公开(公告)号：TW201821252A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106137553
申请日：2017-10-31
申请人：日商霓塔哈斯股份有限公司 , NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：森岡善隆 , MORIOKA, YOSHITAKA , 伊藤一則 , ITO, KAZUNORI , 林庚 , LIN, KENG , 蔡嘉文 , TSAI, JIA-WEN
IPC分类号： B32B1/00 , B32B3/30 , B32B5/18 , B32B27/40 , B24D3/28 , B24D11/00 , B24D11/06 , B24B37/20 , B02C4/30 , B24B9/08 , B24B7/24 , C08J5/04 , C08L75/04 , C08K3/22 , C09K3/14
摘要：本發明提供一種可以較高之研磨量對藍寶石玻璃等硬質材實現三維研磨等之研磨輥。本發明之特徵在於，其係可繞中心軸旋轉之圓筒狀之研磨輥，且包含：芯部，其係被賦予轉矩之中心軸；中間部，其具有將上述芯部作為中心之同心圓之剖面；及研磨部，其配置於上述中間部之外周面；且上述中間部將較上述研磨部軟質之緩衝材作為素材。
简体摘要：本发明提供一种可以较高之研磨量对蓝宝石玻璃等硬质材实现三维研磨等之研磨辊。本发明之特征在于，其系可绕中心轴旋转之圆筒状之研磨辊，且包含：芯部，其系被赋予转矩之中心轴；中间部，其具有将上述芯部作为中心之同心圆之剖面；及研磨部，其配置于上述中间部之外周面；且上述中间部将较上述研磨部软质之缓冲材作为素材。

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