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31. 发明专利

JP2019047058A 結晶化モニタ方法、レーザアニール装置、およびレーザアニール方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019047058A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017171138
申请日：2017-09-06
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 畑中誠 , 滝本政美 , 齋藤香織
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268
摘要：【課題】半導体薄膜の電気的特性を把握することを可能にし、レーザアニール処理の不具合を短時間で解消可能とするレーザアニール装置を提供すること。【解決手段】アニールを行う処理領域に近接するレーザ光が照射されない非処理領域の積層構造の各構成膜の膜厚計算値を算出し、処理領域の第2分光スペクトル測定値と、膜厚計算値から計算される第2分光スペクトル計算値と、のフィッティングにより、処理領域の結晶化レベルを算出して、次回にレーザアニール処理を行うTFT基板に対して照射するレーザ光のレーザエネルギーを調整する。【選択図】図1

32. 发明专利

JP2019046910A レーザアニール装置及びレーザアニール方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019046910A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017166901
申请日：2017-08-31
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸
IPC分类号： H01L21/20 , G02B3/00 , H01L21/268
摘要：【課題】レーザアニール装置において、フライアイレンズ及び投影マスクを通過したレーザ光により発生し得るモアレを抑制する。【解決手段】本発明の一態様に係るレーザアニール装置は、レーザ光を発生させる光源と、レーザ光の強度分布を均一にするためのフライアイレンズと、フライアイレンズを通過したレーザ光をマスキングする投影マスクと、投影マスクを通過したレーザ光から基板の所定の範囲に照射するレーザービームを形成する投影レンズと、を備え、レーザ光がフライアイレンズを通過することによって発生する干渉縞が投影マスクを通過することによって発生し得るモアレを抑制するために、フライアイレンズの配列方向を投影マスクのマスクパターンの配列方向に対して所定角度だけ回転させて構成されている。【選択図】図1

33. 发明专利

JP2019045771A 露光装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019045771A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017170684
申请日：2017-09-05
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：米澤良
IPC分类号： H01L21/68 , G01B11/00 , G03F7/20
摘要：【課題】高精度の描画を行なうことができる。【解決手段】読取部により、二次元状に配列された複数の十字の位置を含む補正用基板パターンが描画された補正用基板を、初期状態と、前記初期状態から略90度、略180度、及び略270度回転させた状態と、のそれぞれにおいて読み取り、当該読み取った結果に基づいて描画情報を補正する補正テーブルを作成する。また、読取部によりテンプレートの十字パターンを読み取り、当該読み取った結果と補正テーブルとを比較してテンプレートの変形に関するテンプレート補正テーブルを作成する。そして、描画処理において、補正テーブルに基づいて描画情報を補正し、かつ、駆動部によりマスク保持部を移動させながら光照射部からテンプレートに向けて光を照射し、カメラで撮像された画像に基づいて光照射部の第1方向の位置ずれ及び第2方向の位置ずれを取得し、第1方向の位置ずれ及び第2方向の位置ずれと、テンプレート補正テーブルとに基づいて描画情報を補正し、かつ光照射部へ出力する信号のタイミングを調整する。【選択図】図1

34. 发明专利

JP2019042762A 蒸着マスクの製造方法及び加工マスク审中-公开
公开(公告)号：JP2019042762A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017167397
申请日：2017-08-31
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：柳川良勝 , 松山将太
IPC分类号： B23K26/00 , B23K26/066 , C23C14/04 , B23K26/384
摘要：【課題】開口寸法のばらつきを低減すると共に加工時間の短縮化を図る蒸着マスクの製造方法及び加工マスクを提供する。【解決手段】複数の貫通孔を有する蒸着マスクの製造方法であって、加工マスク1を載置した移動装置4により加工マスクを移動開始位置に設定し、加工対象物9を載置しているステージ装置7により加工対象物をレーザ光Lの照射エリアとなる加工面での貫通孔91を形成する加工位置に位置決めし、加工マスクを移動開始位置から予め定められた加工経路に従って移動させ、加工マスクの移動に伴ってマーク領域Mを光学式のセンサ5で検出する毎にレーザ光を射出し、貫通孔を形成するまで、レーザ光が射出される毎にマーク領域に対応付けられた透光領域を透過したレーザ光を加工面に縮小投影し、予め定められた個数の貫通孔の形成が終了するまで、加工マスクの移動開始位置への設定からレーザ光の加工面への縮小投影までの一連の処理を繰り返す。【選択図】図6

35. 发明专利

JP6476234B2 非接触型回路パターン検査修復装置有权
公开(公告)号：JP6476234B2
公开(公告)日：2019-02-27
申请号：JP2017112827
申请日：2017-06-07
申请人：オー・エイチ・ティー株式会社 , 株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：羽森寛 , 上田淳
IPC分类号： G09F9/00 , H05K3/00 , H05K3/22 , G02F1/13 , G02F1/1343 , G01R31/02

36. 发明专利

JP6447148B2 投影露光装置有权
公开(公告)号：JP6447148B2
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：JP2015003636
申请日：2015-01-09
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸
IPC分类号： G03F7/20

37. 发明专利

JP2018144052A レーザリフトオフ装置及びレーザリフトオフ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018144052A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017039066
申请日：2017-03-02
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：柳川良勝 , 藤森裕也 , 上之園隆秀
IPC分类号： B23K26/00 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/268 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/0622 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L27/12
摘要：【課題】被剥離層に汚染物質が付着するのを抑制して剥離し得るようにする。【解決手段】パルス制御によりエネルギー比の異なる複数のレーザ光の発振タイミングをずらすことで、エネルギーの大きい第1のレーザ光に続いてエネルギーの小さい第2のレーザ光を、異なる光路から射出するレーザ射出部2と、第1のレーザ光と第2のレーザ光とを同一光路に案内し、発振タイミングの時間差に基づいて、複数のピークを有するパルス波形のレーザ光に合成し、合成したレーザ光をラインビームにして積層体の照射領域に導く光学系3と、積層体を水平面内で移動させる搬送機構4と、積層体を順次移動させて、予め定めたタイミングでラインビームを積層体の照射領域に照射するために、レーザ射出部と搬送機構とを統合して制御する制御部5と、を備える。【選択図】図1

38. 发明专利

JP2018120106A 偏光光照射装置及び偏光光照射方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018120106A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017011797
申请日：2017-01-26
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：新井敏成 , 竹下琢郎
IPC分类号： G03F7/20 , G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/1337 , G03F7/20
摘要：【課題】光配向処理により、液晶分子のプレチルト角が小さくなるような配向膜を生成することができる。【解決手段】光源から出射され、マスクに形成された光透過領域を透過した偏光光は、ステージに載置された露光対象物に照射される。偏光光は、ステージの上面と略直交する方向に対して、略50度から略70度傾いた方向から露光対象物へ照射される。【選択図】図2

39. 发明专利

JP2018111855A 配線修正装置および配線修正方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018111855A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017002541
申请日：2017-01-11
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：鈴木良和 , 久住庸輔
IPC分类号： G09F9/00 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L51/50 , H05B33/10 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/48 , C23C16/56 , G09F9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要：【課題】レーザCVD法により形成される配線の低抵抗化を実現する配線修正装置および配線修正方法を提供する。【解決手段】CVD用原料ガスに表面を晒した修正用基板に、CVD用レーザ発振器で発振させたCVD用のレーザ光を照射して修正用基板のレーザ照射面でCVD用原料ガスを光分解させ、レーザ照射面に修正用金属を選択的に堆積させて修正用金属配線を形成する配線修正装置であって、改質用レーザ発振器を備え、改質用レーザ発振器は、CVD用のレーザ光と波長が異なる、改質用のレーザ光を発振し、修正用金属の溶融させた後に固化させることを特徴とする。【選択図】図1

40. 发明专利

JP6357312B2 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク有权
公开(公告)号：JP6357312B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2013264326
申请日：2013-12-20
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸
IPC分类号： C23C14/04
CPC分类号： C23C14/042 , B23K26/066 , B23K26/073 , C23C14/24 , C23C14/50

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