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21. 发明公开

EP1885059A2 Elektronenstrahlanlage zur Materialbearbeitung und Stromaddieranordnung zur schnellen Ansteuerung einer Induktivität und Bilderzeugungsvorrichtung für eine Elektronenstrahlanlage zur Materialbearbeitung 有权转让
标题翻译：用于处理材料和Stromaddieranordnung用于电感器的快速致动和图像形成设备，用于处理材料的电子束系统电子束系统
公开(公告)号：EP1885059A2
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：EP07014317.7
申请日：2007-07-20
申请人： All Welding Technologies AG
发明人： Zosel, Karsten , Hellmann, Thomas
IPC分类号： H03F3/217 , H01J37/00
CPC分类号： H03F3/217 , B23K15/0026 , B23K15/0046 , B23K15/02 , H01J37/24 , H01J37/31 , H01J37/315 , H01J2237/2485 , H01J2237/30483
摘要： Es wird eine Stromaddiereranordnung zur schnellen Ansteuerung einer Induktivität, insbesondere einer Ablenkspule einer Elektronenstrahlkanone angegeben, mit einer ersten Spannungsleiste, die dazu angepasst ist, mit einer spannungsstabilisierten Stromversorgung verbunden zu werden, einer zweiten Spannungsleiste, die dazu angepasst ist, mit einem ersten Ausgang zur Stromversorgung der Induktivität verbunden zu werden, und einer Mehrzahl von ersten schaltbaren Brücken, die jeweils einen in Reihe zwischen die erste Spannungsleiste und die zweite Spannungsleiste schaltbaren Widerstand mit einem Widerstandswert aufweisen, bei der Widerstandswerte so gewählt sind, dass ein erster Widerstand einen ersten Widerstandswert WR1 1 = R min aufweist, ein zweiter Widerstand einen zweiten Widerstandswert WR1 2 ≥ WR1 1 aufweist, und der n-te Widerstand einen n-ten Widerstandswert WR1 n ≥ WR1 n-1 aufweist.
摘要翻译：该装置具有一组电压带（U1）angepasst的成与稳压电源连接。另一组条带电压（UV）的是angepasst与用于电感器的电源输出（AL）被连接，并且电阻器展品（R11-R 1N）中的电压带之间串联连接。被选择检查的电阻的电阻值也电阻分别表现出特定的电阻值。因此独立claimsoft被包括用于在电子束系统中的成像装置。

22. 发明公开

EP1563381A2 DEFECT ANALYZER 审中-公开
标题翻译：缺陷分析仪
公开(公告)号：EP1563381A2
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：EP03783335.7
申请日：2003-11-12
申请人： FEI Company
发明人： TESHIMA, Janet , PARTIN, Daniel, E. , HUDSON, James, E.
IPC分类号： G06F11/00
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/302 , H01J37/304 , H01J37/3056 , H01J2237/24592 , H01J2237/2485 , H01J2237/2817 , H01J2237/31745 , H01L21/67253 , H01L21/67276
摘要： The present invention provides methods, devices, and systems for analyzing defects in an object such as a semiconductor wafer. In one embodiment, it provides a method of characterizing defects in semiconductor wafers during fabrication in a semiconductor fabrication facility. This method comprises the following actions. The semiconductor wafers are inspected to locate defects. Locations corresponding to the located defects are then stored in a defect file. A dual charged-particle beam system is automatically navigated to the vicinity defect location using information from the defect file. The defect is automatically identified and a charged particle beam image of the defect is then obtained. The charged particle beam image is then analyzed to characterize the defect. A recipe is then determined for further analysis of the defect. The recipe is then automatically executed to cut a portion of the defect using a charged particle beam. The position of the cut is based upon the analysis of the charged particle beam image. Ultimately, a surface exposed by the charged particle beam cut is imaged to obtain additional information about the defect.
摘要翻译：本发明提供了用于分析诸如半导体晶片等物体中的缺陷的方法，设备和系统。在一个实施例中，它提供了在半导体制造设施中制造期间表征半导体晶片中的缺陷的方法。此方法包含以下操作。检查半导体晶片以定位缺陷。然后将对应于定位缺陷的位置存储在缺陷文件中。双电荷粒子束系统使用来自缺陷文件的信息自动导航到附近的缺陷位置。自动识别缺陷并获得缺陷的带电粒子束图像。然后分析带电粒子束图像以表征缺陷。然后确定配方以进一步分析缺陷。然后使用带电粒子束自动执行配方以切割缺陷的一部分。切割的位置基于对带电粒子束图像的分析。最终，通过带电粒子束切割暴露的表面被成像以获得关于缺陷的附加信息。

23. 发明申请

WO2014112205A1 計測検査装置审中-公开
标题翻译：测量检测装置
公开(公告)号：WO2014112205A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/JP2013/081535
申请日：2013-11-22
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：李　ウェン , 高橋　弘之 , 鈴木　誠 , 川野　源
IPC分类号： H01J37/22 , H01J37/24 , H01J37/28 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/244 , H01J37/265 , H01J2237/221 , H01J2237/2448 , H01J2237/2485 , H01J2237/2809
摘要：走査型電子ビーム方式の計測検査装置に関し、走査速度に対応して高精度な計測・検査を実現できる技術を提供する。本計測検査装置における二次電子信号検出系は、複数の走査速度の走査制御に対応しており、走査制御による試料（１１０）への電子ビームの照射による二次電子信号（ＳＥ）を検出する検出器（１０７）と、その出力を電流－電圧変換して前置増幅するプリアンプ（３０）と、二次電子信号検出部（５０）として、プリアンプ（３０）の出力を入力しアナログ処理増幅するアナログ信号処理増幅部５１、及びその出力をアナログ・デジタル変換するＡＤＣ（５２）と、その出力をもとに計測または検査の画像を生成する画像処理部（２０５）とを有する。制御部（２１０）は、走査速度などに応じて、アナログ信号処理増幅部（５１）内のＬＰＦ（１２）を含む各部を切り替え制御する。
摘要翻译：提供了一种与扫描电子束测量检查装置相关的技术，由此可以以各种扫描速度实现高精度的测量和检查。该测量检查装置中的二次电子信号检测系统能够以多个扫描速度进行扫描控制，并且包括：检测器（107），其从电子束对样品的投影检测二次电子信号（SE）（110）; 前置放大器（30），其电流电压转换检测器的输出并对其进行预放大; 模拟信号处理/放大部分（51），其接收前置放大器（30）的输出和模拟处理的输入并对其进行放大;以及ADC（52），其将其输出模拟数字转换为二次电子信号检测部（50）; 以及基于其输出生成测量或检查的图像的图像处理部（205）。控制部分（210）根据扫描速度等控制包括模拟信号处理/放大部分（51）内的LPF（12）的每个部分。

24. 发明申请

WO2009054605A1 POWER SUPPLY FOR ELECTRON GUN AND ELECTRON MICROSCOPE HAVING THE SAME 审中-公开
标题翻译：电子枪及其电子显微镜的电源
公开(公告)号：WO2009054605A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/KR2008/004831
申请日：2008-08-20
申请人： SEC CO., LTD. , KIM, Heung-Bok , KWAK, Kyeong-Il , JEON, Byung-Chul , KIM, Jong-Hyun
发明人： KIM, Heung-Bok , KWAK, Kyeong-Il , JEON, Byung-Chul , KIM, Jong-Hyun
IPC分类号： H01J29/46
CPC分类号： H01J37/241 , H01J37/242 , H01J37/243 , H01J37/28 , H01J2237/2485
摘要： A power supply for supplying an electric power to an electron gun, which is used in an electron microscope, and an electron microscope having the same are disclosed. The power supply includes a base board, and at least one sub-board vertically mounted on the base board to supply an electric power to an anode electrode, a filament for emitting electrons, and a grid. The at least one sub-board can include a first sub-board to supply an accelerating volatage to the anode electrode, a second sub-board to supply a heating current to the filament, and a third sub-board to supply a grid volatage to the grid.
摘要翻译：公开了一种用于向电子显微镜中使用的电子枪供电的电源以及具有该电源的电子显微镜。该电源包括基板和至少一个垂直安装在基板上的子板，以向阳极，用于发射电子的灯丝以及栅格供应电力。所述至少一个子板可以包括用于向阳极提供加速电压的第一子板，用于向灯丝供应加热电流的第二子板以及用于向电池提供电网电压的第三子板网格。

25. 发明申请

WO2007013170A1 自己診断機能を有する半導体デバイス製造検査装置审中-公开
标题翻译：具有自诊断功能的半导体器件制造检验设备
公开(公告)号：WO2007013170A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2005/013946
申请日：2005-07-29
申请人：ファブソリューション株式会社 , 山田恵三
发明人：山田恵三
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/28 , G01R31/307 , H01J37/265 , H01J2237/2485 , H01J2237/2817
摘要：　本発明の課題は、半導体デバイスに関しての測定精度を効率的に維持することができる自己診断機能を有する半導体デバイス製造検査装置を提供することにある。　本発明の自己診断機能を有する半導体デバイス製造検査装置は、電子ビーム等のプローブを測定サンプルに出射するプローブ発生装置と、前記プローブ発生装置の動作を制御するプローブ発生制御装置と、前記プローブ発生装置及び前記プローブ発生制御装置を少なくとも含む各種装置のそれぞれの動作を示す情報を入力して記憶するデータベースとを有することを特徴とする。
摘要翻译：可以提供具有能够有效地保持关于半导体器件的测量精度的自我诊断功能的半导体器件制造检查装置。具有自诊断功能的半导体器件制造检查装置包括：用于将诸如电子束的探针发射到待测样品的探针产生装置; 探针生成控制装置，用于控制探针生成装置的动作; 以及数据库，用于输入和存储指示至少包括探针生成装置和探针生成控制装置的各种装置的操作的信息。

26. 发明授权

EP3089196B1 RATE ENHANCED PULSED DC SPUTTERING SYSTEM 有权转让
公开(公告)号：EP3089196B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：EP16165652.5
申请日：2016-04-15
申请人： Advanced Energy Industries, Inc.
发明人： Pelleymounter, Douglas
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/34
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3438 , H01J37/3444 , H01J37/3467 , H01J2237/2485 , H01J2237/327 , H01J2237/332
摘要： A pulsed direct current sputtering system and method are disclosed. The system has a plasma chamber with two targets, two magnetrons and one anode, a first power source, and a second power source. The first power source is coupled to the first magnetron and the anode, and provides a cyclic first-power-source voltage with a positive potential and a negative potential during each cycle between the anode and the first magnetron. The second power source is coupled to the second magnetron and the anode, and provides a cyclic second-power-source voltage. The controller phase-synchronizes and controls the first-power-source voltage and second-power-source voltage to apply a combined anode voltage, and phase-synchronizes a first magnetron voltage with a second magnetron voltage, wherein the combined anode voltage applied to the anode has a magnitude of at least 80 percent of a magnitude of a sum of the first magnetron voltage and the second magnetron voltage.

27. 发明公开

EP2360712A3 Particle beam system 有权转让
标题翻译：粒子束
公开(公告)号：EP2360712A3
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：EP11001143.4
申请日：2011-02-11
申请人： Carl Zeiss NTS GmbH
发明人： Biberger, Josef , Pulwey, Ralph
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/24 , H01J37/26 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/045 , H01J37/24 , H01J37/26 , H01J2237/0432 , H01J2237/2485 , H01J2237/28 , H01J2237/317
摘要： A particle beam system includes a particle beam source for generating a particle beam, a high voltage source, a beam blanker system with deflection plates 56, 57, and a control circuit. The control circuit provides a first current path 67 between the two deflection plates, wherein a switch 70, a node 72 connected to the high voltage source and a switch 76 are arranged in this order in the first current path starting from the deflection plate 56. The control circuit provides a second current path 85 between the deflection plate 56 and the deflection plate 57, wherein in the second current path, starting from the deflection plate 56, a series connection 88 comprising a voltage source 91 a switch 90, a node 86 connected to the high voltage source and a series connection 92 comprising a voltage source 95 and a switch 94 are arranged in this order.

28. 发明授权

EP2530483B1 System and method for compensating for magnetic noise 有权
标题翻译：系统和方法，用于补偿磁噪声
公开(公告)号：EP2530483B1
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：EP11179310.5
申请日：2011-08-30
申请人： Applied Materials Israel Ltd.
发明人： Chirko, Konstantine , Litman, Alon , Nachum, Yoav
IPC分类号： G01R33/025 , H01J37/02
CPC分类号： G01R33/025 , H01J37/28 , H01J2237/0266 , H01J2237/2485

29. 发明公开

EP2530483A1 System and method for compensating for magnetic noise 有权
标题翻译：系统和Verfahren zur Kompensierung von magnetischem Rauschen
公开(公告)号：EP2530483A1
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：EP11179310.5
申请日：2011-08-30
申请人： Applied Materials Israel Ltd.
发明人： Chirko, Konstantine , Litman, Alon , Nachum, Yoav
IPC分类号： G01R33/025 , H01J37/02
CPC分类号： G01R33/025 , H01J37/28 , H01J2237/0266 , H01J2237/2485
摘要： A system and method for noise compensation of a charged particle beam location includes one or more sensors 11-15 that are spaced apart from each other for sensing magnetic noises within at least one predefined frequency band thereby to provide magnetic noise measurements with synchronous detection of the location of a charged particle beam. Based on the magnetic noise measurements and on relationships between values of the magnetic noises and particle beam location errors, magnetic noise compensations signals are generated. An object is then scanned by a particle beam in response to a desired particle beam scan pattern and the magnetic noise compensation signals.
摘要翻译：用于带电粒子束位置的噪声补偿的系统和方法包括彼此间隔开的一个或多个传感器11-15，用于感测至少一个预定频带内的磁噪声，由此提供磁噪声测量，同时检测带电粒子束的位置。基于磁噪声测量以及磁噪声和粒子束位置误差之间的关系，产生磁噪声补偿信号。然后响应于期望的粒子束扫描图案和磁噪声补偿信号，通过粒子束扫描物体。

30. 发明公开

EP1914786A3 Charged particle beam system 审中-公开
标题翻译：粒子束
公开(公告)号：EP1914786A3
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：EP07254112.1
申请日：2007-10-17
申请人： JEOL Ltd.
发明人： Sawada, Hidetaka , Hosokawa, Fumio
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/26
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/26 , H01J2237/1534 , H01J2237/2485 , H01J2237/28
摘要： An aberration corrector (24, 35, 41, 51) is offered which can correct higher-order aberrations with a relatively small number of components. Let N 1 be the aberration order at a first location. Let S 1 be the symmetry at the first location (11). Let N 2 be the aberration order at a second location (12). Let S 2 be the symmetry at the second location. The produced combination aberration satisfies the following condition set 1. order = N 1 + N 2 - 1 symmetry = S 1 + S 2 or S 1 - S 2
That is, two aberration-correcting elements (aberration-introducing elements) (42, 43, 52, 53) corresponding to the first and second locations, respectively, are prepared. An aberration satisfying the condition set 1 is corrected by making use of the produced combination aberration.

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