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热词
    • 21. 发明专利
    • 加熱冷却調理器
    • 加热/冷却烹饪机
    • JP2015002955A
    • 2015-01-08
    • JP2013131791
    • 2013-06-24
    • 住友電気工業株式会社Sumitomo Electric Ind Ltd
    • KITABAYASHI KEIJIMIKUMO AKIRAITAKURA KATSUHIRONIIMA KENJINAKADA HIROHIKO
    • A47J37/06
    • 【課題】調理プレートの温度を急速に冷却させることができる上、調理プレートの下方の部材が過熱することのない加熱調理器を提供する。【解決手段】食材の加熱冷却調理器であって、食材を載せて加熱調理する調理面10aを有する加熱調理部10と、調理面10a側とは反対側に設けた冷却プレート20とを具備している。冷却プレート20は、加熱調理部10の下面に当接する位置と加熱調理部10の下面から離間する位置との間で往復動自在であるのが好ましい。また、冷却プレート20は、加熱調理部10に当接する側の面に介在層33を有してもよい。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够快速降低烹饪板的温度的加热烹调器,并且其中烹调板下方的构件不会过热。解决方案:食品加热/冷却炊具包括具有 在其上放置和烹饪食物材料的烹饪表面10a和设置在与烹饪表面10a侧相对的一侧的冷却板20。 优选地,冷却板20在其接触加热烹饪部10的下表面的位置与其与加热烹饪部10的下表面分离的位置之间是可往复运动的。此外,冷却板20可以包括插入 在与热烹饪部10接触的一侧的表面上的层33。
    • 22. 发明专利
    • Substrate support member
    • 基座支持会员
    • JP2009253061A
    • 2009-10-29
    • JP2008099980
    • 2008-04-08
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • NIIMA KENJIKURISU KENICHIOKADA HIROSHINISHIOKA TAKAONAKADA HIROHIKONAKANISHI SHUSUKEMIKUMO AKIRANATSUHARA MASUHIRO
    • H01L21/02C23C16/458C23C16/46H01L21/205
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate support member which can maintain high temperature uniformity and thermal efficiency even under heat treatment conditions at high temperature, are not damaged, and has sufficient corrosion resistance.
      SOLUTION: The substrate support member 42A is installed inside a reaction vessel 41 of a semiconductor manufacturing device 40A to be used for the heat treatment of a substrate W, the inside of which is provided with a space having a heating element 44A to be conducted and heated, and the substrate support member 42A consists of a material containing nickel by 95 wt.% or more. Among surfaces of the substrate support member 42A, a corrosion resistance film 45 consisting of nickel fluoride is formed at least on the surface exposed inside the reaction vessel.
      COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:即使在高温下的热处理条件下也能够保持高温均匀性和热效率的基板支撑构件,不会被损坏,并且具有足够的耐腐蚀性。 解决方案:衬底支撑构件42A安装在半导体制造装置40A的反应容器41内,用于衬底W的热处理,衬底W的内部设置有具有加热元件44A至 被导入和加热,并且基板支撑构件42A由含有95重量%以上的镍的材料构成。 在基板支撑构件42A的表面中,至少在暴露在反应容器内的表面上形成由氟化镍构成的耐腐蚀膜45。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
    • 23. 发明专利
    • Semiconductor manufacturing apparatus, and wafer holder therefor
    • 半导体制造设备及其制造商
    • JP2007201128A
    • 2007-08-09
    • JP2006017296
    • 2006-01-26
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • NATSUHARA MASUHIROAWAZU TOMOYUKINIIMA KENJINAKADA HIROHIKO
    • H01L21/205H01L21/3065
    • H01L21/68735
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer holder that can heat-treat a wafer uniformly at high temperature and cannot be damaged, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus mounted with the wafer holding body. SOLUTION: The contact area of the wafer placement surface of a wafer holder and a wafer is in the relationship of A>B, when the radius of the wafer is set to R, the contact area at the outer-periphery side area from 1/√2R distance from the center of the wafer is set to A, and the contact area at the inner-periphery side is set to B. For obtaining the relationship, a contact section in contact with the wafer is formed on the wafer placement surface, and the shape of the contact is preferably set to be in an annular projection shape or an emboss-like projection shape. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种能够在高温下均匀地热处理晶片并且不会被损坏的晶片保持器,并且提供安装有晶片保持体的半导体制造装置。 解决方案:晶片保持器和晶片的晶片放置表面的接触面积是A> B的关系,当晶片的半径设定为R时,外周侧区域的接触面积 从晶片中心的1 /√2R距离设定为A,将内周侧的接触面积设定为B.为了获得该关系,在晶片上形成与晶片接触的接触部 接触面的形状优选设定为环状的突出形状或凸起状的凸起状。 版权所有(C)2007,JPO&INPIT
    • 25. 发明专利
    • Semiconductor heater
    • 半导体加热器
    • JP2005302855A
    • 2005-10-27
    • JP2004113851
    • 2004-04-08
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • HIIRAGIDAIRA HIROSHINAKADA HIROHIKONIIMA KENJI
    • G01R31/26C23C16/00G01R31/30H01L21/00H01L21/02H01L21/66H01L21/68H01L21/683H05B3/06H05B3/10H05B3/20H05B3/68H05B3/74
    • H01L21/67109H01L21/67103
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor heater which can uniformly heat only one or a plurality of chips and bring the other chip to an on-standby state in a temperature controlled as low as possible at the time of measuring electric characteristics of many chips formed on a large area wafer. SOLUTION: The semiconductor heater comprises a heating unit for mounting and heating a processing object, a supporting unit for supporting the heating unit, and a cooling module which is in contact with the supporting unit. The heating unit and supporting unit are desirably combined in a plurality of numbers to form planes identical with processing object mounting surfaces of a plurality of the heating units. A heat shielding material is desirably arranged under the supporting unit. Moreover, the heating unit is desirably formed of a ceramic heater. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
    • 要解决的问题:提供一种半导体加热器,其能够均匀地加热一个或多个芯片,并且在测量电特性时使其它芯片处于处于尽可能低的温度控制的待机状态 在大面积晶圆上形成许多芯片。 解决方案:半导体加热器包括用于安装和加热加工对象的加热单元,用于支撑加热单元的支撑单元和与支撑单元接触的冷却模块。 加热单元和支撑单元优选地以多个数字组合以形成与多个加热单元的加工对象安装表面相同的平面。 隔热材料理想地布置在支撑单元的下方。 此外,加热单元理想地由陶瓷加热器形成。 版权所有(C)2006,JPO&NCIPI
    • 26. 发明专利
    • Semiconductor manufacturing apparatus
    • 半导体制造设备
    • JP2005209825A
    • 2005-08-04
    • JP2004013736
    • 2004-01-22
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • NIIMA KENJINAKADA HIROHIKONATSUHARA MASUHIRO
    • H01L21/02C23C16/00C23C16/458C23C16/46H01L21/00
    • H01L21/67109C23C16/4586C23C16/46
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing apparatus which improves the cooling rate of a heater and the uniformity of the temperature distribution of the heater.
      SOLUTION: The semiconductor manufacturing apparatus comprises a heater for heat treating a semiconductor wafer and a cooling block for cooling the heater. The cooling block has a through-hole for inserting an insert with leaving a distance of 50 mm or less from the inner surface of the through-hole to the insert. The block is installed on the opposite surface to the wafer mounting surface of the heater contactably with and separably from the opposite surface. The insert is a feed electrode for feeding a heater circuit with power or a temperature measuring means, etc.
      COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
    • 解决的问题:提供一种提高加热器的冷却速度和加热器的温度分布的均匀性的半导体制造装置。 解决方案:半导体制造装置包括用于热处理半导体晶片的加热器和用于冷却加热器的冷却块。 冷却块具有用于插入从通孔的内表面留下距离为50mm或更小的插入件的通孔到插入件。 该块被安装在与加热器的晶片安装表面相对的表面上,并且与相对表面可分离地安装。 插入件是用于给加热器电路供电或温度测量装置等的馈电电极。版权所有(C)2005,JPO&NCIPI
    • 27. 发明专利
    • Heater member for placing object to be heated on, and heating treatment apparatus
    • 用于放置对象的加热器部件和加热处理装置
    • JP2005158270A
    • 2005-06-16
    • JP2003390448
    • 2003-11-20
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • NATSUHARA MASUHIRONAKADA HIROHIKONIIMA KENJI
    • H05B3/20H01L21/00H01L21/205H01L21/3065H05B3/10H05B3/14H05B3/28H05B3/74
    • H01L21/67103H05B3/143
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve energy savings by reducing input power, eliminate the risk of damage caused by thermal stress, enhance the wiring design flexibility for a heat generating circuit section, and achieve higher reliability by improving the uniform heating performance and eliminating a short circuit in a heater member for placing an object to be heated on to perform heat treatment, and a heat treatment apparatus using the same. SOLUTION: A low emissivity film 10 made of a material lower in emissivity than a heater substrate 2 is formed at least all over a surface of the heater substrate 2 for placing an object to be heated on. By patterning the low emissivity film 10, it is possible to change the exposure rate of the heater substrate 2 at the surface for placing an object to be heated on. Specifically, it is possible to obtain a emissivity distribution such that the emissivity becomes smaller from a center portion of the surface for placing an object to be heated on toward an outer periphery thereof. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
    • 要解决的问题:通过降低输入功率实现节能,消除热应力造成的损害风险,提高发热电路部分的布线设计灵活性,通过提高均匀的加热性能和更高的可靠性, 消除用于放置待加热物体的加热器构件进行热处理的短路,以及使用该短路的热处理装置。 解决方案:由发热体低于加热器基板2的材料制成的低辐射率膜10至少形成在加热器基板2的整个表面上,用于放置被加热物体。 通过图案化低发射率膜10,可以改变加热器基板2在用于放置待加热物体的表面处的曝光率。 具体地,可以获得发射率分布,使得发射率从用于将被加热物放置到其外周的表面的中心部分变小。 版权所有(C)2005,JPO&NCIPI
    • 28. 发明专利
    • Optical heating module and photoprinting device with the module mounted
    • 光学加热模块和光电装置与模块安装
    • JP2005022097A
    • 2005-01-27
    • JP2003186938
    • 2003-06-30
    • Sumitomo Electric Ind Ltd住友電気工業株式会社
    • NIIMA KENJINAKADA HIROHIKONATSUHARA MASUHIRO
    • B41J2/01
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To enable photoprinting of a high level even when recording papers are plain papers by drying ink droplets discharged onto the recording paper in a short time without applying heat damage to a photoprinting head, ink and the like in an inkjet type photoprinting device, and by preventing bleeding and excessive permeation of ink.
      SOLUTION: A light energy generating means 1 is positionally isolated from an irradiation means 4 and the photoprinting head 5 by a light energy transmission means 3. At the same time, an emission end 4b of the irradiation means 4 is branched, and disposed between head parts 6 arranged in a movement direction of the photoprinting head 5 or disposed at both ends of a head unit constituted of the head parts. The light energy emitted from the emission end 4b can also be inclined to be directly irradiated to a hitting point of the ink droplets on the recording paper 8.
      COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
    • 要解决的问题:即使在通过干燥在短时间内排出到记录纸上的墨滴而将记录纸记录为普通纸而不对照相印刷头,油墨等造成热损伤的情况下也能够进行高水平的照相印刷 喷墨型照相印刷装置,并防止油墨渗色和过度渗透。 解决方案:光能发生装置1通过光能传输装置3与照射装置4和照相打印头5位置隔离。同时,照射装置4的发射端4b被分支,并且 设置在沿着照相打印头5的移动方向布置的头部6或者设置在由头部构成的头单元的两端。 从发射端4b发射的光能也可以倾斜以直接照射到记录纸8上的墨滴的击中点。(C)2005年,JPO和NCIPI
    • 29. 发明专利
    • 加熱調理プレート
    • 烹饪板
    • JP2015016265A
    • 2015-01-29
    • JP2013147125
    • 2013-07-12
    • 住友電気工業株式会社Sumitomo Electric Ind Ltd
    • NIIMA KENJIKITABAYASHI KEIJIITAKURA KATSUHIROMIKUMO AKIRANAKADA HIROHIKO
    • A47J37/06
    • 【課題】調理面において優れた均熱性を有し、且つ設定温度の変更を行っても温度ばらつきを抑えながら目的とする温度に到達させることが可能な加熱調理プレートを提供する。【解決手段】食材を載せて加熱調理する調理面11aを有する天板11と、天板11において調理面11aとは反対側の下面又は天板11の内部に調理面11aに対して平行に設けられた抵抗発熱体14とを備えた加熱調理プレート10であって、抵抗発熱体14を真下から調理面11aに投影したときの抵抗発熱体14の回路パターンの投影面積が、調理面11aの面積から抵抗発熱体14が配されていない外周縁部の面積を除いた面積に占める割合をA(%)、天板11の室温における熱伝導率をk(W/mK)、天板11の厚さをt(mm)とした時、A>400/(kt)0.4の不等式を満たす。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种在烹饪表面上具有优异的热均匀性的烹饪板,即使当设定温度改变时也能够在抑制温度变化的同时达到目标温度。解决方案:烹饪板10包括:顶板11,其具有 其上放置食物的加热烹调用的烹调面11a; 以及电阻加热元件14,其与烹饪表面11a平行设置在顶板11的与烹饪表面11a相对的底表面或顶板11的内侧上。当电路图案的投影面积的比例 当电阻加热元件14从烹饪表面11a的右下部突出到不包括电阻加热元件14的外围边缘部分的区域以外的区域时的电阻加热元件14从烹饪区域排出 表面11a被定义为A(%),顶板11在室温下的导热率定义为k(W / mK),顶板11的厚度定义为t(mm),不等式 A> 400 /(kt)。
    • 30. 发明专利
    • 加熱調理プレート
    • 烹饪板
    • JP2015016264A
    • 2015-01-29
    • JP2013147124
    • 2013-07-12
    • 住友電気工業株式会社Sumitomo Electric Ind Ltd
    • NIIMA KENJIKITABAYASHI KEIJIITAKURA KATSUHIROMIKUMO AKIRANAKADA HIROHIKO
    • A47J37/06H05B3/72
    • 【課題】調理面において優れた均熱性を有し、且つ設定温度の変更を行っても温度ばらつきを抑えながら目的とする温度に到達させることが可能な加熱調理プレートを提供する。【解決手段】調理面11aを有する熱伝導率k(W/mK)、厚さt(mm)の天板11と、天板11の下面又は内部に調理面11aに対して平行に設けられた抵抗発熱体14とを備えた加熱調理プレート10であって、抵抗発熱体14は線状部と折り返し部とが交互に繰り返される回路パターン又は線状部が渦巻き状に周回する回路パターンを有しており、これら回路パターンのうち、線状部だけで構成される領域において、線状部の延在方向に直交する長さ100mmの線分を横切る線状部の平均本数をN(本)とした時、N>150/(k1/5t)の不等式を満たす。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种在烹饪表面上具有优异的热均匀性的烹饪板,即使当设定温度变化时也能够在抑制温度变化的同时达到目标温度。蒸煮板10包括:顶板11,其具有 烹调表面11a,热导率为k(W / mK),厚度为t(mm); 以及电阻加热元件14,其与烹饪表面11a平行地设置在顶板11的下表面或内侧。电阻加热元件14包括线性部分和折叠部分交替重复的电路图案或 其中线性部分以螺旋形式围绕在其周围。 在仅由这些电路图案的直线部分构成的区域中,当与沿着延伸方向的直线部分正交的100mm长度的线段的直线部分的平均线数假定为N(行数 ),满足N> 150 /(kt)的不等式。