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21. 发明申请

US20160126355A1 Thin film transistors with metal oxynitride active channels for electronic displays 审中-公开
标题翻译：具有用于电子显示器的金属氮氧化物活性通道的薄膜晶体管
公开(公告)号：US20160126355A1
公开(公告)日：2016-05-05
申请号：US14121896
申请日：2014-11-03
申请人： Ishiang Shih , Andy Shih , Cindy Qiu , Julia Qiu , Yi-Chi Shih , Chunong Qiu
发明人： Ishiang Shih , Andy Shih , Cindy Qiu , Julia Qiu , Yi-Chi Shih , Chunong Qiu
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/3262 , H01L29/78696
摘要： In one embodiment of the invention, a high electron mobility thin film transistor with a plurality of gate insulating layers and a metal oxynitride active channel layer is provided for forming a backplane circuit for pixel switching in an electronic display, to reduce unwanted ON state series resistance in the metal oxynitride active channel layer and minimize unwanted power dissipation in the backplane circuit.Another embodiment of the invention provides a high electron mobility thin film transistor structure with a plurality of metal oxynitride active channel layers and a gate insulating layer for forming a backplane circuit for pixel switching in an electronic display, to reduce unwanted ON state series resistance in the metal oxynitride active channel layer and to minimize unwanted power dissipation in the backplane circuit.In yet another embodiment of the invention a high electron mobility thin film transistor structure with a plurality of gate insulating layers and a plurality of metal oxynitride active channel layers for forming a backplane circuit for pixel switching in an electronic display, to reduce unwanted ON state series resistance in the metal oxynitride active channel layers and to minimize unwanted power dissipation in the backplane circuit.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，提供具有多个栅极绝缘层和金属氧氮化物有源沟道层的高电子迁移率薄膜晶体管，用于形成用于电子显示器中的像素切换的背板电路，以减少不需要的导通状态串联电阻在金属氮氧化物有源沟道层中，并且使背板电路中的不需要的功率消耗最小化。本发明的另一个实施例提供了具有多个金属氧氮化物有源沟道层的高电子迁移率薄膜晶体管结构和用于形成用于电子显示器中的像素切换的背板电路的栅极绝缘层，以减少在电子显示器中的不需要的导通状态串联电阻金属氧氮化物有源沟道层，并最大限度地减少背板电路中的不需要的功耗。在本发明的另一个实施例中，具有多个栅极绝缘层和多个金属氧氮化物有源沟道层的高电子迁移率薄膜晶体管结构，用于形成用于电子显示器中的像素切换的背板电路，以减少不需要的导通状态系列金属氮氧化物有源沟道层中的电阻，并且使背板电路中的不需要的功率消耗最小化。

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