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21. 外观设计

USD681565S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD681565S1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US29423246
申请日：2012-05-30
申请人： Hui-chun Yeh , Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko
设计人： Hui-chun Yeh , Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko

22. 外观设计

USD681562S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD681562S1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US29418974
申请日：2012-04-24
申请人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh
设计人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh

23. 外观设计

USD689447S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD689447S1
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：US29418973
申请日：2012-04-24
申请人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh
设计人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh

24. 外观设计

USD687396S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD687396S1
公开(公告)日：2013-08-06
申请号：US29431404
申请日：2012-09-06
申请人： Chao-Hsing Chen , Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Yi-Wen Ku
设计人： Chao-Hsing Chen , Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Yi-Wen Ku

25. 外观设计

USD681569S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD681569S1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US29425030
申请日：2012-06-19
申请人： Hui-chun Yeh , Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko
设计人： Hui-chun Yeh , Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko

26. 外观设计

USD681560S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD681560S1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US29418970
申请日：2012-04-24
申请人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh
设计人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh

27. 发明申请

US20130011949A1 METHOD FOR MANUFACTURING HIGH EFFICIENCY LIGHT-EMITTING DIODES 有权
标题翻译：制造高效发光二极管的方法
公开(公告)号：US20130011949A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：US13618774
申请日：2012-09-14
申请人： Chien-Kai CHUNG , Ta-Cheng Hsu , Jung-Min Hwang , Min-Hsun Hsieh , Ya-Lan Yang , De-Shan Kuo , Tsun-Kai Ko , Chien-Fu Shen , Ting-Chia Ko , Schang-Jin Hon
发明人： Chien-Kai CHUNG , Ta-Cheng Hsu , Jung-Min Hwang , Min-Hsun Hsieh , Ya-Lan Yang , De-Shan Kuo , Tsun-Kai Ko , Chien-Fu Shen , Ting-Chia Ko , Schang-Jin Hon
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/005 , H01L21/02057 , H01L21/3043 , H01L33/0095
摘要： A method of manufacturing a light-emitting device comprising the steps of cutting a substrate by a laser beam to form a cavity in the substrate and generate a by-product directly on the substrate by the cutting, and removing the by-product by a chemical solution containing an acid under a predetermined cleaning temperature.
摘要翻译：一种制造发光器件的方法，包括以下步骤：通过激光束切割衬底以在衬底中形成空腔，并通过切割直接在衬底上产生副产物，并通过化学物质除去副产物溶液在预定的清洁温度下含有酸。

28. 外观设计

USD681559S1 Light-emitting diode array 有权
公开(公告)号：USD681559S1
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：US29418968
申请日：2012-04-24
申请人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh
设计人： Chien-Fu Shen , Tsun-Kai Ko , Hui-Chun Yeh

29. 发明申请

US20110227120A1 LIGHT-EMITTING DEVICE 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：US20110227120A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：US13152026
申请日：2011-06-02
申请人： Yu-Chen YANG , Li-Ping Jou , Jui-Hung Yeh , Chien-Fu Shen
发明人： Yu-Chen YANG , Li-Ping Jou , Jui-Hung Yeh , Chien-Fu Shen
IPC分类号： H01L33/60
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/641 , H01L2224/48463 , H01L2933/0083
摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104 μm2 and 6.2×104 μm2.
摘要翻译：发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。此外，第一焊盘和第二焊盘中的至少一个的面积在1.5×10 4μm2和6.2×10 4μm2之间。

30. 发明申请

US20080303047A1 Light-emitting diode device and manufacturing method therof 审中-公开
标题翻译：发光二极管器件及其制造方法
公开(公告)号：US20080303047A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：US12153098
申请日：2008-05-14
申请人： Chien-Fu Shen , De-Shan Kuo , Cheng-Ta Kuo
发明人： Chien-Fu Shen , De-Shan Kuo , Cheng-Ta Kuo
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/22
摘要： A light-emitting diode (LED) device and manufacturing methods thereof are disclosed, wherein the LED device comprises a substrate, a plurality of micro-lens, a reflector, a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, a second conductivity type semiconductor layer, a first electrode and a second electrode. The substrate has a plurality of micro-lens on its upper surface. The first conductivity type semiconductor layer is on the upper surface of the substrate. The active layer and the second conductivity type semiconductor layer are sequentially on a portion of the first conductivity type semiconductor layer. The first electrode is on the other portion of the first conductivity type semiconductor layer uncovered by the active layer. The second electrode is on the second conductivity type semiconductor layer. The reflector layer is on a lower surface of the substrate.
摘要翻译：公开了一种发光二极管（LED）器件及其制造方法，其中LED器件包括衬底，多个微透镜，反射器，第一导电类型半导体层，有源层，第二导电类型半导体层，第一电极和第二电极。基板在其上表面上具有多个微透镜。第一导电型半导体层位于基板的上表面上。有源层和第二导电类型半导体层依次位于第一导电类型半导体层的一部分上。第一电极位于由有源层未覆盖的第一导电类型半导体层的另一部分上。第二电极在第二导电类型半导体层上。反射层位于基板的下表面上。

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