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21. 发明申请

WO2013178764A1 PROCEDE ET SYSTEME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE 审中-公开
标题翻译：用于获得半导体波形的方法和系统
公开(公告)号：WO2013178764A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/EP2013/061206
申请日：2013-05-30
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： PENOT, Jean-Daniel , DREVET, Béatrice , GARANDET, Jean-Paul , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/62
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/02625 , H01L21/02664 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： L'invention porte sur un procédé d'obtention d'une tranche en matériau semi-conducteur à partir d'un substrat donneur (100) en un premier matériau semi-conducteur et comprenant dans son épaisseur une zone de fragilisation (210), caractérisé en ce qu'il comprend: le dépôt (320) d'un deuxième matériau semi-conducteur à l'état liquide simultanément sur une pluralité de zones (310) d'une face (101) du substrat donneur(100); l'étalement du deuxième matériau semi-conducteur à l'état liquide jusqu'à former une couche sur ladite face (101) du substrat donneur(100); la solidification au moins partielle de la couche du deuxième matériau semi-conducteur déposé pour épaissir le substrat donneur(100); la séparation du substrat donneur (100) au niveau de la zone de fragilisation (210). L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un panneau photovoltaïque et sur un système permettant de mettre en œuvre le procédé d'obtention du substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种用于从由第一半导体材料制成的施主衬底（100）获得半导体材料晶片的方法，并且在其厚度上包括断开区（210），其特征在于，其包括：沉积（320）在所述供体衬底（100）的面（101）的多个区域（310）上同时处于液态的第二半导体材料; 将第二半导体材料以液态扩展，直到形成在施主衬底（100）的所述面（101）上的层为止; 至少部分地固化所述第二沉积半导体材料的所述层，以使所述施主衬底（100）变厚; 在分离区（210）处分离施主衬底（100）。本发明还涉及制造光伏面板的方法和用于实现获得衬底的方法的系统。

22. 发明申请

WO2013153504A1 PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM CRISTALLISE A GROS GRAINS 审中-公开
标题翻译：制备粗粒度结晶硅层的方法
公开(公告)号：WO2013153504A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/IB2013/052800
申请日：2013-04-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , S'TILE
发明人： GARANDET, Jean-Paul , BRIZE, Virginie , PIHAN, Etienne , STRABONI, Alain , DUPONT, Florent
IPC分类号： C30B1/02 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02667 , C30B1/02 , C30B13/02 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02612 , H01L21/02628 , H01L31/03682 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Procédé de préparation d'une couche de silicium cristallisé à gros grains» La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium cristallisé formée de grains ayant une taille moyenne supérieure ou égale à 20 µm, comprenant au moins les étapes consistant à: (1) disposer d'une couche de silicium à (re)cristalliser et dont la taille moyenne des grains est inférieure 10 µm; (2) mettre en contact ladite couche de silicium à (re)cristalliser avec une composition liquide formée en tout ou partie d'au moins un solvant métallique; et (3) exposer l'ensemble à un traitement thermique propice à la (re)cristallisation de ladite couche de silicium à la taille de grains attendue, caractérisé en ce que ledit traitement thermique comprend le chauffage de l'ensemble formé par la couche de silicium au contact de ladite composition liquide à une température inférieure à 1410 °C et au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium.
摘要翻译：本发明涉及一种形成由平均粒径不小于20μm的晶粒构成的结晶硅层的方法，至少包括以下步骤：（1）提供待重结晶的硅层其平均粒径小于10μm; （2）将所述硅层重新结晶化，至少部分地由金属溶剂组成的液体组合物接触; 和（3）将所述组件暴露于适合于使所述硅的所述硅层结晶的预热晶粒度的热处理，其特征在于，所述热处理包括加热由与所述液体组合物接触的硅层组成的组件达到低于1410℃并且至少等于溶剂 - 硅相图中的共晶温度的温度。

23. 发明申请

WO2022195227A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PIECE EN ALLIAGE D'ALUMINIUM PAR FUSION LASER SUR LIT DE POUDRES 审中-公开
公开(公告)号：WO2022195227A1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：PCT/FR2022/050480
申请日：2022-03-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： OPPRECHT, Mathieu , GARANDET, Jean-Paul , ROUX, Guilhem
IPC分类号： B22F10/28 , B22F10/34 , B22F10/368 , B22F10/38 , B33Y10/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , C22C1/04 , C22C21/00 , C22F1/04
摘要： Procédé de fabrication comprenant les étapes suivantes : a) fournir une poudre de particules en alliage d'aluminium, b) déposer une couche de poudre sur un substrat solide ou sur une couche de poudre sous-jacente, c) faire fondre localement la couche de poudre déposée par balayage d'un faisceau laser, pour former un bain fondu comprenant une première surface en contact avec le substrat ou la couche de poudre sous-jacente, d) refroidir le bain fondu à une vitesse de refroidissement Vr pour le solidifier, du zirconium étant ajouté avant l'étape c), le zirconium représentant au moins 0,7% massique par rapport à la masse totale de l'alliage d'aluminium, la vitesse de refroidissement Vr en début de solidification au niveau de la première surface du bain fondu étant : - inférieure à Vrmax = w*9.106 -4.106 avec w le pourcentage massique de zirconium, et - strictement supérieure à Vrmin = 106 K/s.

24. 发明申请

WO2020260785A1 DISPOSITIF DE FABRICATION ADDITIVE ET SA MISE EN OEUVRE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020260785A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/FR2020/050980
申请日：2020-06-09
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , LAURENT, Jérôme , PENOT, Jean-Daniel
IPC分类号： B29C64/153 , B29C64/205 , B29C64/245 , B33Y10/00 , B33Y30/00
摘要： La divulgation concerne un dispositif (10) de fabrication additive pour la fabrication d'objets par addition successive de couches fusionnées comprenant: - un plateau (20) sur une face duquel, dite face avant (20a), un lit de poudre est destiné à être formé; - des moyens de vibration (50) configurés pour mettre le plateau en vibration selon une fréquence v comprise entre 10 Hz et 10000 Hz, et une amplitude de vibration comprise entre 1 µm et 2 mm.

25. 发明申请

WO2020104744A1 METHODE D'ANALYSE DE FUMEES D'EVAPORATION, PRODUIT PROGRAMME D'ORDINATEUR, SYSTEME D'ANALYSE ET INSTALLATION DE FABRICATION ADDITIVE ASSOCIES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020104744A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/FR2019/052727
申请日：2019-11-15
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , PARADIS, Hugues , PENOT, Jean-Daniel , VIENNE, Caroline
IPC分类号： G01N23/223 , B29C64/386
摘要： L'invention concerne une méthode d'analyse de fumées d'évaporation (7) émises durant la mise en œuvre d'un procédé de fabrication additive employant au moins une espèce chimique en tant que matière fusible, la méthode d'analyse comprenant les étapes suivantes: - émission d'au moins un faisceau (23) de rayons X pour irradier au moins une partie des fumées d'évaporation (7) émises au cours de la mise en œuvre du procédé de fabrication additive; - détection, par un détecteur (24), de photons de fluorescence émis par l'au moins une partie des fumées d'évaporation (7)irradiée par l'au moins un faisceau (23) de rayons X, et génération d'un signal de détection représentatif de l'énergie déposée par les photons de fluorescence dans le détecteur (24); et - identification, à partir du signal de détection, de tout ou partie des espèces chimiques présente dans les fumées d'évaporation (7).

26. 发明申请

WO2015063689A1 SUBSTRAT COMPOSITE A BASE DE SILICIUM PRESENTANT DES ZONES ACTIVES SEPAREES PAR DES ZONES D'ISOLATION ELECTRIQUE COMPORTANT UN FEUILLARD EN CARBURE DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：具有包含硅碳带的电气绝缘区分隔的活性区的硅基复合衬底
公开(公告)号：WO2015063689A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/IB2014/065671
申请日：2014-10-28
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , CHAINTREUIL, Nicolas , DREVET, Béatrice , EUSTATHOPOULOS, Nicolas , FASIELLO, Annalaura , PILAT, Eric , VESCHETTI, Yannick
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/047 , Y02E10/50
摘要： La présente invention concerne un substrat composite (1) à base de silicium, présentant, dans un plan vertical de coupe, des zones actives (10) de silicium dopé p et/ou dopé n, chacune des zones actives s'étendant sur toute l'épaisseur (e) du substrat, deux zones actives étant séparées entre elles par au moins une zone d'isolation électrique (20) formée d'un feuillard en carbure de silicium (21), brasé entre deux couches (22) de carbure de silicium adjacentes auxdites zones actives, par des joints de brasure (23).Elle concerne encore un procédé de fabrication d'un tel substrat composite.
摘要翻译：本发明涉及一种在垂直截面中具有p掺杂和/或n掺杂硅的有源区（10）的硅基复合衬底（1），每个有源区延伸穿过整个厚度（e ），两个活性区域通过钎焊在邻近活性区域的两个碳化硅层（22）之间的碳化硅条（21）形成的至少一个电绝缘区（20）彼此分离，使用钎焊接头（23）。本发明还涉及这种复合基板的制造方法。

27. 发明申请

WO2014041261A1 DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE RESTAURATION DES CELLULES SOLAIRES À BASE DE SILICIUM AVEC TRANSDUCTEUR ULTRASON 审中-公开
标题翻译：使用超声波传感器恢复基于硅的光伏太阳能电池的装置和方法
公开(公告)号：WO2014041261A1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：PCT/FR2013/000241
申请日：2013-09-16
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES (C.E.A.)
发明人： DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas , GARANDET, Jean-Paul , GIDON, Pierre , TANAY, Florent , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/182 , H01L31/186 , H02S99/00 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T29/41
摘要： Le dispositif de restauration d'au moins une cellule solaire photovoltaïque à base de silicium, comporte un support (1 ) de ladite cellule (2), une source de chaleur (20) configurée pour chauffer la cellule solaire photovoltaïque (2), et des moyens de génération (3) de porteurs de charge dans la cellule (2). Pour mieux accélérer la cinétique de restauration de ladite cellule solaire (2), le dispositif comporte un transducteur ultrason (20) destiné à générer des ondes ultrasonores se propageant dans la cellule solaire photovoltaïque (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于恢复至少一个硅基光伏太阳能电池的装置，其包括所述电池（2）的载体（1），构造成加热光伏太阳能电池（2）的热源（20），以及用于在单元（2）中产生电荷承载的装置（3）。为了更好地加速所述太阳能电池（2）的恢复动力学，该装置包括用于产生在光伏太阳能电池（2）中传播的超声波的超声换能器（20）。

28. 发明申请

WO2020079041A1 PROCEDE ET DISPOSITIF DE CONTROLE DE LA QUALITE D'UN LIT DE POUDRES DANS LES PROCEDES DE FABRICATION ADDITIVE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020079041A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/EP2019/078029
申请日：2019-10-16
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , PENOT, Jean-Daniel , DECITRE, Jean-Marc , LEGOUPIL, Samuel
IPC分类号： B29C64/393 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , G01N27/90 , B22F3/105
摘要： La présente invention concerne un dispositif et un procédé de contrôle de la qualité d'un lit de poudres dans un système de fabrication additive. Le procédé comprend des étapes consistant à: - mesurer un signal électrique représentatif de valeurs de courants de Foucault, reçu en réponse à une excitation électromagnétique variable dans le temps produite par un émetteur sur une zone à inspecter d'une couche d'un lit de poudres; - évaluer la température de la couche du lit de poudres au voisinage de la zone inspectée; - corriger les valeurs du signal électrique représentatif de valeurs de courants de Foucault représentées par ledit signal électrique mesuré, en fonction des valeurs de température obtenues par l'évaluation de la température; - comparer les valeurs corrigées à des valeurs de référence; et - déterminer en fonction du résultat de la comparaison, la présence ou non de défaut dans ladite zone inspectée.

29. 发明申请

WO2016092093A1 PAVAGE DE GERMES UTILISÉS DANS UN CREUSET POUR LA SOLIDIFICATION DIRIGÉE DE SILICIUM COMPORTANT DES GERMES DÉSORIENTÉS VIS À VIS DU GERME ADJACENT 审中-公开
标题翻译：用于固定用于定向固化含有与相邻种子分离的种子的硅的种子的倾斜
公开(公告)号：WO2016092093A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/EP2015/079482
申请日：2015-12-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： PIHAN, Etienne , GARANDET, Jean-Paul , PLASSAT, Nelly
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/14
摘要： La présente invention concerne un assemblage organisé de monocristaux de silicium adjacents pour la solidification dirigée d'un lingot selon une direction de solidification, dont les monocristaux orientés, observés sur une section perpendiculaire à la direction de solidification Z sont tels que la désorientation d'un monocristal orienté avec un monocristal adjacent est supérieure à 8°, le plus petit angle entre une normale au joint séparant le monocristal d'un monocristal orienté adjacent et les directions dudit monocristal adjacent est supérieur à 4°, le plus petit angle entre la direction Z et les directions dudit monocristal est inférieur à 25° et/ou le plus petit des angles entre la direction Z et les directions du monocristal est inférieur à 10°, et la distance de projection dans un plan perpendiculaire à la direction Z, de la plus grande dimension dudit monocristal, mesurée parmi les plans {111} et suivant les directions , est inférieure à 40 mm.
摘要翻译：本发明涉及相邻硅单晶的有组织的组件，用于沿着凝固方向定向固化锭，其在垂直于凝固方向Z的截面上观察到的取向单晶使得定向具有相邻单晶的单晶大于8°，分离单晶与相邻取向单晶的接头的法线与所述相邻单晶的方向<111>之间的最小角度大于4°，所述单晶的方向Z和方向<100>之间的最小角度小于25°，和/或单晶方向Z和方向<111>之间的最小角度小于10°，以及在垂直于方向Z的平面垂直于垂直于所述单晶的最大尺寸的平面中的投影距离在平面{111}之间并沿着d 方向<110>，小于40 mm。

30. 发明申请

WO2016075092A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN DE TYPE N 审中-公开
标题翻译：制造N型单晶硅硅酸盐的方法
公开(公告)号：WO2016075092A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/EP2015/076101
申请日：2015-11-09
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： DUBOIS, Sébastien , DANEL, Adrien , GARANDET, Jean-Paul , MARTEL, Benoît , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/02 , C30B15/20
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium monocristallin de type n, à concentration en donneurs thermiques à base d'oxygène contrôlée, comprenant au moins les étapes consistant en: (i) disposer d'un bain de silicium fondu comprenant un ou plusieurs agents dopants de type n, ledit bain étant supplémenté par au moins du germanium (Ge) et/ou de l'étain (Sn) en une teneur ajustée pour inhiber la formation de tout ou partie des donneurs thermiques dans le lingot de silicium attendu; et (ii) procéder au tirage du lingot de silicium à partir du bain de l'étape (i) par une méthode de tirage de type Czochralski, la vitesse de tirage initiale V 1 étant réduite à une vitesse V 2 =V 1 /b, avec b compris entre 10 et 1,2, lorsque la fraction solidifiée en silicium, f s , atteint une valeur critique prédéterminée. Elle concerne également un lingot de silicium monocristallin obtenu selon ce procédé, et son utilisation pour la fabrication d'une cellule photovoltaïque par un procédé basse température.
摘要翻译：本发明涉及一种制备具有监测浓度的氧基热供体的n型单晶硅锭的方法，该方法至少包括以下步骤：（i）提供包含一种或多种n型掺杂剂，所述浴至少与锗（Ge）和/或锡（Sn）补充，其水平适于抑制预期硅锭中全部或部分热供体的形成; 和（ii）通过切克劳斯拉夫法（Czochralski drawing）从步骤（i）的浴中拉出硅锭，将初始拉伸速度V1降低到速度V2 = V1 / b，其中b在10和1.2之间，当固化硅分数fs达到预定的临界值。本发明还涉及根据所述方法获得的单晶硅锭及其用于通过低温方法制造光伏电池的用途。

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