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    • 21. 发明专利
    • Laserdiodenvorrichtung
    • DE102020215038A1
    • 2022-06-02
    • DE102020215038
    • 2020-11-30
    • BOSCH GMBH ROBERT
    • STEUER BENJAMINPINTER STEFAN
    • H01S5/022H01S5/02218H01S5/023H01S5/0232
    • Die Erfindung betrifft eine Laserdiodenvorrichtung (la), welche wenigstens eine Laserdiode (8) umfasst, wobei die Laserdiode (8) als Kantenemitter ausgebildet ist. Zusätzlich umfasst die Laserdiodenvorrichtung (1a) ein Gehäuse (2a) mit einem transparenten, optischen Fenster (7), wobei das transparente, optische Fenster (7) einem Boden (4) des Gehäuses (2a) gegenüberliegend angeordnet ist. Das Gehäuse (2a) ist dazu ausgebildet, die Laserdiode (8) gegenüber einer äußeren Umgebung der Laserdiodenvorrichtung (1a), insbesondere hermetisch, abzudecken. Das transparente, optische Fenster (7) ist dazu ausgebildet, wenigstens einen von der Laserdiode (8) erzeugten Laserstrahl (18) in die äußere Umgebung zu transmittieren. Die Laserdiodenvorrichtung (1a) weist zusätzlich ein separat zu dem Gehäuse (2a) angeordnetes Befestigungselement (9) auf, wobei das Befestigungselement (9) an dem Boden (4) des Gehäuses (2a) oder an dem optischen Fenster (7) angeordnet ist. Das Befestigungselement (9) ist dazu ausgebildet, die Laserdiode (8) derart innerhalb des Gehäuses (2a) zu befestigen, dass der wenigstes eine von der Laserdiode (8) erzeugte Laserstrahl (18) unmittelbar in die äußere Umgebung transmittiert wird.
    • 22. 发明专利
    • Laserdiodenvorrichtung und Datenbrillensystem
    • DE102020212422A1
    • 2022-04-07
    • DE102020212422
    • 2020-10-01
    • BOSCH GMBH ROBERT
    • STEUER BENJAMINPINTER STEFANBUSCH MAXIMILIANHENN TOBIASGRABMAIER FLORIAN
    • H01S5/022G02B27/01G02B27/18
    • Die Erfindung geht aus von einer Laserdiodenvorrichtung mit zumindest einer Substrateinheit, welche zumindest ein Trägersubstrat umfasst und welche insbesondere zumindest ein Plateauelement aufweist, mit zumindest einer Gehäuseeinheit, welche zumindest eine Gehäusekappe aufweist, welche mit dem Trägersubstrat verbunden ist, und mit zumindest einem Laserelement zu einem Erzeugen zumindest eines Hauptlaserstrahls, welches, insbesondere an dem zumindest einen Plateauelement, in der zumindest einen Gehäusekappe angeordnet ist, und welches dazu ausgebildet ist, zumindest einen dem zumindest einen Hauptlaserstrahl entgegengerichteten Nebenlaserstrahl zu erzeugen.Es wird vorgeschlagen, dass die Laserdiodenvorrichtung- eine Strahlblockiereinheit aufweist, welche in der Gehäuseeinheit angeordnet ist und welche dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Nebenlaserstrahl innerhalb der zumindest einen Gehäuseeinheit zumindest zum Großteil zu blockieren, und/oder- eine Strahlabsorbiereinheit aufweist, welche in der Gehäuseeinheit angeordnet ist und welche dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Nebenlaserstrahl innerhalb der zumindest einen Gehäuseeinheit zumindest im Wesentlichen zu absorbieren, und/oder- eine Strahlablenkeinheit aufweist, welche dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Nebenlaserstrahl zumindest im Wesentlichen aus einem von dem zumindest einen Hauptlaserstrahl eingenommenen Bereich zu wegzulenken.
    • 27. 发明专利
    • Verfahren zum Herstellen von Schrägflächen in einem Substrat und Wafer mit Schrägfläche
    • DE102010062009B4
    • 2019-07-04
    • DE102010062009
    • 2010-11-26
    • BOSCH GMBH ROBERT
    • PINTER STEFAN
    • B81C1/00B81B1/00G02B26/08
    • Verfahren zum Herstellen von schrägen Flächen (112) in einem Substrat (11), umfassend:Bereitstellen eines Substrats (11) mit einer ersten Hauptoberfläche (12), einer der ersten Hauptoberfläche (12) gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche (13) und einer Dicke (14);Ausbilden einer ersten Ausnehmung (102) im Bereich einer ersten Fläche auf der ersten Hauptoberfläche (12) bis zu einer ersten Tiefe (104) in dem Substrat (11);Ausbilden einer zweiten Ausnehmung (103) im Bereich einer zweiten Fläche der zweiten Hauptoberfläche (13) bis zu einer zweiten Tiefe (105) in dem Substrat (11), wobei die zweite Fläche lateral gegenüber der ersten Fläche verschoben ist und wobei die Summe der ersten Tiefe (104) und der zweiten Tiefe (105) größer als die Dicke (14) des Substrats (11) ist und wobei die erste und zweite Ausnehmung (102, 103) einen überlappenden Bereich aufweisen;Aufbringen einer ersten flexiblen Membran (117) auf der ersten Hauptoberfläche (12) über der ersten Ausnehmung (102);Aufbringen einer zweiten flexiblen Membran (118) auf der zweiten Hauptoberfläche (13) über der zweiten Ausnehmung (103); undHerstellen eines Unterdrucks innerhalb der ersten und zweiten Ausnehmung (102; 103), bis die erste flexible Membran (117) und die zweite flexible Membran (118) sich mit ihren jeweils dem Substrat (11) zugewandten Oberflächen berühren.
    • 28. 发明专利
    • Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung
    • DE102009045541B4
    • 2019-03-14
    • DE102009045541
    • 2009-10-09
    • BOSCH GMBH ROBERT
    • PINTER STEFANFRITZ JOACHIMFRIESE CHRISTOPH
    • B81C1/00B81B7/02B81C3/00
    • Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung mit den Verfahrensschritten:a) Anordnen von MEMS-Strukturen und damit verbundenen Bondanschlussflächen jeweils in Reihen auf einem MEMS-Wafer (25, 70);b) Bilden von ersten und zweiten Ausnehmungen (18, 29, 53; 30, 54) in einem eine Siliziumseite (14) und eine Glasseite (15) aufweisenden Kappenwafer (13, 50, 60), wobei die ersten und zweiten Ausnehmungen (18, 29, 53; 30, 54) durch die Siliziumseite (14) mittels eines Trockenätzprozesses geätzt werden, welcher bei einer Glasoberfläche der Glasseite (15) stoppt und bei welchem eine Ätzbreite mit einer Ätztiefe zunimmt;c) Zusammenfügen von MEMS-Wafer (25, 70) und Kappenwafer (13, 50, 60) zu einem Waferverbund (32) mittels eines Bondprozesses zwischen den Bondanschlussflächen (27, 28, 73) des MEMS-Wafers (25, 70) und davon kontaktierten Flächen des Kappenwafers (13, 50, 60), wobei nach dem Zusammenfügen von Kappenwafer (13, 50, 60) und MEMS-Wafer (25, 70) die ersten Ausnehmungen (18, 29, 53) über den MEMS-Strukturen des MEMS-Wafers (25, 70) liegen und die zweiten Ausnehmungen (30, 54) über den Bondanschlussflächen (27, 28, 73) liegen;d) Freisägen der Bondanschlussflächen (27, 28, 73) und der zweiten Ausnehmungen (30, 54) durch Sägen der Glasseite (15) des Kappenwafers (13, 50, 60) über den zweiten Ausnehmungen (30, 54) und den Bondanschlussflächen (27, 28, 73) mittels mindestens eines abgeschrägten ersten Sägeblatts (33, 34,75); unde) Vereinzeln des Waferverbunds (32) durch Sägen des MEMS-Wafers (25, 70) neben den Bondanschlussflächen (27, 28, 73) mittels eines im Vergleich zu dem mindestens einen abgeschrägten ersten Sägeblatt (33, 34,75) schmaleren zweiten Sägeblatts (40).