专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

DE19800574A1 未知
公开(公告)号：DE19800574A1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：DE19800574
申请日：1998-01-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： MUENZEL HORST DR , BAUMANN HELMUT DR DR , GRAF ECKHARD
IPC分类号： G01P9/04 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01P15/08 , H01L23/02 , H01L29/84 , H01L23/04 , H01L21/50 , H01L49/00
摘要： The invention relates to a component having at least one micromechanical surface structure structured on a silicon substrate and a capping wafer which covers the at least one surface structure. The invention provides for the capping wafer (14) to be embodied by a glass wafer (24).

22. 发明专利

DE19680590D2 未知
公开(公告)号：DE19680590D2
公开(公告)日：1997-08-21
申请号：DE19680590
申请日：1996-07-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： MUENZEL HORST , OFFENBERG MICHAEL , HEYERS KLAUS , ELSNER BERNHARD , LUTZ MARKUS , SKAPA HELMUT , VOSSENBERG HEINZ-GEORG , BUCHAN NICHOLAS , GRAF ECKHARD
IPC分类号： G01P15/08 , H01L29/84 , H01L49/00
摘要： PCT No. PCT/DE96/01236 Sec. 371 Date Oct. 27, 1997 Sec. 102(e) Date Oct. 27, 1997 PCT Filed Jul. 9, 1996 PCT Pub. No. WO97/04319 PCT Pub. Date Feb. 6, 1997A method for producing acceleration sensors is proposed, in which a silicon layer that is deposited in an epitaxial application system is used. Above sacrificial layers (2) applied to the substrate (1), the material grows in the form of a polysilicon layer (6), which has a certain surface roughness. By application of a photoresist and by a wet etching process, this surface roughness is eliminated. Alternatively, chemical-mechanical smoothing is contemplated.

23. 发明专利

DE102010000895B4 Verfahren zum Herstellen eines Durchkontaktes eines Halbleiterbauelements mit einem umgebenden ringförmigen Isolationsgraben und entsprechendes Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE102010000895B4
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：DE102010000895
申请日：2010-01-14
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： REINMUTH JOCHEN , GRAF ECKHARD
IPC分类号： H01L21/764 , B81B1/00 , B81C1/00 , H01L21/768
摘要： Verfahren zum Herstellen eines Durchkontaktes (14) eines Halbleiterbauelements (1) mit einem umgebenden ringförmigen Isolationsgraben (12) mit den Schritten:Bereitstellen von einem leitfähigen Substrat (10);Aufbringen einer dielektrischen Schicht (26) auf die Oberseite des Substrats (10);Bilden von einer Öffnung (40; 44) in der dielektrischen Schicht (26) in einem Bereich (38), wo der Durchkontakt (14) herzustellen ist;Aufbringen wenigstens einer Metallschicht (28) in dem Bereich (38), wo der Durchkontakt (14) herzustellen ist und in einem Bereich (42), wo der Isolationsgraben (12) herzustellen ist;Ausbilden eines Gitters (24) mit Gitteröffnungen (36) in der wenigstens einen Metallschicht (28) in dem Bereich (42), wo der Isolationsgraben (12) herzustellen ist;Öffnen der dielektrischen Schicht (26) in dem Bereich (42), wo der Isolationsgraben (12) herzustellen ist;Ausbilden des Isolationsgrabens (12) unterhalb des Gitters (24) durch ein Ätzverfahren, wobei das Gitter (24) als Maske verwendet wird; undVerschließen der Gitteröffnungen (36) über dem Graben (24).

24. 发明专利

DE102010039298A1 Verfahren zum Füllen von Hohlräumen in Wafern, entsprechend gefülltes Sackloch und Wafer mit entsprechend gefüllten Isolationsgräben 未知
公开(公告)号：DE102010039298A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：DE102010039298
申请日：2010-08-13
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SCHLOSSER ROMAN , FREY JENS , WEBER HERIBERT , GRAF ECKHARD
IPC分类号： H01L21/768 , B81C1/00 , H01L21/76 , H01L23/538
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Füllen von Hohlräumen (20) in Wafern, wobei die Hohlräume (20) zu einer vorbestimmten Oberfläche des Wafers hin offen sind, mit folgenden Schritten: Aufbringen eines lackartigen Füllmaterials (30) auf die vorbestimmte Oberfläche des Wafers; Ausheizen des Wafers bei einer ersten Temperatur; Austreiben von in dem Füllmaterial (30) eingeschlossenen Gasblasen durch Ausheizen des Wafers unter Vakuum bei einer zweiten Temperatur, welche gleich der ersten oder höher als die erste Temperatur ist; und Aushärten des Füllmaterials (30) durch Ausheizen des Wafers bei einer dritten Temperatur, welche höher als die zweite Temperatur ist. Ferner betrifft die Erfindung ein mit einem solchen Verfahren gefülltes Sackloch (20B) und allgemeiner 3D-Hohlräume sowie einen Wafer mit mittels eines solchen Verfahrens gefüllten Isolationsgräben (20A) einer Silizium-Durchkontaktierung.

25. 发明专利

ITMI20111490A1 PROCEDIMENTO ATTO AL RIEMPIMENTO DI CAVITA' IN WAFER, FORO CIECO CORRISPONDENTEMENTE RIEMPITO E WAFER CON SCANALATURE DI ISOLAMENTO CORRISPONDENTEMENTE RIEMPITE 未知
公开(公告)号：ITMI20111490A1
公开(公告)日：2012-02-14
申请号：ITMI20111490
申请日：2011-08-04
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FREY JENS , GRAF ECKHARD , SCHLOSSER ROMAN , WEBER HERIBERT

26. 发明专利

DE102010029504A1 Bauelement mit einer Durchkontaktierung und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102010029504A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：DE102010029504
申请日：2010-05-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： GONSKA JULIAN , SCHLOSSER ROMAN , FREY JENS , WEBER HERIBERT , GRAF ECKHARD
IPC分类号： H01L23/50 , B81B7/02 , B81C3/00 , H01L21/60
摘要： Es wird eine vorteilhafte Möglichkeit zur Realisierung von elektrisch sehr zuverlässigen und mechanisch äußerst stabilen Durchkontaktierungen bei Bauelementen vorgeschlagen, deren Funktionalität in einem Schichtaufbau auf einem leitfähigen Substrat (100) realisiert ist. Die auf die Bauelementrückseite geführte Durchkontaktierung (Vertical Interconnect Access VIA) (3), die zur elektrischen Kontaktierung von im Schichtaufbau realisierten Funktionselementen (18) dient, umfasst einen Anschlussbereich im Substrat (100), der sich über die gesamte Substratdicke erstreckt und durch einen sich ebenfalls über die gesamte Substratdicke erstreckenden, grabenförmigen Isolationsrahmen (2) gegenüber dem angrenzenden Substrat (100) elektrisch isoliert ist. Erfindungsgemäß ist der grabenförmige Isolationsrahmen (2) mit einem elektrisch isolierenden Polymer (21) verfüllt.

27. 发明专利

DE102007019647A1 未知
公开(公告)号：DE102007019647A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：DE102007019647
申请日：2007-04-26
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SCHEUERER ROLAND , WEBER HERIBERT , GRAF ECKHARD
IPC分类号： B81C1/00 , B81B1/00
摘要： A method for producing a micromechanical component is proposed, a trench structure being substantially completely filled up by a first filler layer, and a first mask layer being applied on the first filler layer, on which in turn a second filler layer and a second mask layer are applied. A micromechanical component is also proposed, the first filler layer filling up the trench structure of the micromechanical component and at the same time forming a movable sensor structure.

28. 发明专利

DE10006035A1 Micro-mechanical component production, used as sensor element or actuator element, comprises providing functional element and/or functional layer with protective layer 未知
公开(公告)号：DE10006035A1
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：DE10006035
申请日：2000-02-10
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FISCHER FRANK , HEIN PETER , GRAF ECKHARD
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L29/84
摘要： Production of a micro-mechanical component (100) comprises providing a functional element (12) and/or functional layer (13a, 13b, 13c) with a protective layer in a region which is arranged (in)directly next to a first sacrificial layer. The material of the protective layer is selected so that an etching process and/or etching medium for etching the sacrificial layer attacks the protective layer with a reduced etching rate. An independent claim is also included for the micro-mechanical component comprising a sensor and/or actuator element as the component with a functional element (12) and/or functional layer (13a, 13b, 13c) having a gap with a large width, i.e. a large aspect ratio.

29. 发明专利

DE102018222804A1 Mikromechanische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102018222804A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：DE102018222804
申请日：2018-12-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： GRAF ECKHARD , RUMPF HOLGER , FREY JENS , REINMUTH JOCHEN , RITZAU KURT-ULRICH , BREITLING ACHIM
IPC分类号： B81B1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00
摘要： Die Erfindung geht aus von einer mikromechanischen Vorrichtung mit einem Siliziumsubstrat (100), mit einer darüber liegenden Oxidschicht (200) und mit einer darüber liegenden mikromechanischen Funktionsschicht (300), welche sich parallel zu einer Haupterstreckungsebene (10) erstrecken, wobei wenigstens in der mikromechanischen Funktionsschicht (300) und der Oxidschicht (200) eine Kaverne (320) ausgebildet ist. Der Kern der Erfindung besteht darin, dass in der Oxidschicht (200) und/oder der mikromechanischen Funktionsschicht (300) ein Zugangskanal (250) ausgebildet ist, welcher sich von der Kaverne (320) ausgehend parallel zur Haupterstreckungsebene (10) erstreckt und sich dabei in einer Projektionsrichtung (20) senkrecht zur Haupterstreckungsebene (10) gesehen bis in einen Zugangsbereich (400) außerhalb der Kaverne (320) erstreckt.Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung.

30. 发明专利

DE102010039057B4 Sensormodul 未知
公开(公告)号：DE102010039057B4
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：DE102010039057
申请日：2010-08-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FREY JENS , WEBER HERIBERT , GRAF ECKHARD
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00 , G01P15/08 , H01L25/16
摘要： Sensormodul,aufweisend eine Substratanordnung mit mehreren übereinander angeordneten und jeweils über eine Waferbondverbindung (190, 191) verbundenen Substraten (111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118),wobei die Substratanordnung wenigstens ein erstes und ein zweites Sensorsubstrat (112, 113, 115, 116, 118) umfasst,wobei das erste Sensorsubstrat eine erste und das zweite Sensorsubstrat eine zweite Sensorstruktur (120, 121, 150, 160, 181) aufweist,wobei die erste und zweite Sensorstruktur (120, 121, 150, 160, 181) zum Erfassen unterschiedlicher Eigenschaften ausgebildet sind,wobei wenigstens die erste Sensorstruktur eine mikromechanische Funktionsstruktur (120, 121, 150, 160) umfasst,wobei das Sensormodul Kontaktstempel (131, 132, 133, 134, 140, 155, 165, 166, 185) zum Kontaktieren der Substratanordnung aufweist, wobei die Kontaktstempel (131, 132, 133, 134, 140, 155, 165, 166, 185) Substratmaterial von Substraten der Substratanordnung aufweisen.und wobei ein Kontaktstempel in Form einer Durchkontaktierungsstruktur (134, 140) ausgebildet ist, welche von einer unverfüllten Grabenstruktur (148) umgeben ist und Material von wenigstens zwei verschiedenen Substraten der Substratanordnung aufweist.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式