专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明授权

KR101449272B1 전사기반의 임프린팅 공정을 이용한 함몰패턴 제작방법 有权
标题翻译：使用基于转移的印刷制作嵌入图案的方法
公开(公告)号：KR101449272B1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130044343
申请日：2013-04-22
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최준혁 , 이응숙 , 이지혜 , 정준호 , 정주연 , 최대근 , 김철현
IPC分类号： B29C59/02 , B29C33/42
CPC分类号： G02B5/008 , B32B37/06 , B82Y20/00 , G09F3/10 , Y10T156/1031 , Y10T156/1041
摘要： The present invention relates to an embedded pattern manufacturing method using a transfer-based imprinting process. The embedded pattern manufacturing method using a transfer-based imprinting process comprises: an adhesion layer laminating step of laminating an adhesion layer made up of photo-curable resins on a substrate; a stamp preparing step of preparing a stamp equipped with a protrusion pattern on which a thin film layer is deposited on an external surface; a thin layer transferring step of selectively transferring the thin layer on the protrusion pattern to the adhesion layer by pressurizing the stamp in conditions in which the thin film layer of the protrusion pattern and the adhesion layer are in contact; a hardening step of irradiating ultraviolet light so that the adhesion layer is hardened; and a releasing step of releasing the stamp, and is characterized by arranging the thin film layer transferred to an area embedded by stamp and the adhesion layer which is not pressurized by the stamp in the thin film layer transferring layer on an identical plane. Accordingly, the present invention provides the embedded pattern manufacturing method using a transfer-based imprinting process capable of manufacturing the embedded pattern of a uniform shape.
摘要翻译：本发明涉及使用基于转印的印刷方法的嵌入图案制造方法。使用基于转印的压印方法的嵌入图案制造方法包括：将由光固化树脂构成的粘合层层压在基板上的粘合层层压步骤; 印模准备步骤，准备装有突起图案的印模，在外表面上沉积有薄膜层; 通过在突起图案和粘合层的薄膜层接触的条件下对印模进行加压来选择性地将突起图案上的薄层转移到粘合层的薄层转印步骤; 照射紫外线使得粘附层硬化的硬化步骤; 以及释放印模的释放步骤，其特征在于将薄膜层转印到由印模嵌入的区域和在薄膜层转印层中在同一平面上未被印模加压的粘合层。因此，本发明提供了使用能够制造均匀形状的嵌入图案的基于转印的印刷工艺的嵌入图案制造方法。

22. 发明授权

KR101421047B1 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법 有权
标题翻译：使用金属辅助化学蚀刻制造硅纳米管的方法
公开(公告)号：KR101421047B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020130026170
申请日：2013-03-12
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최대근 , 김한중 , 최준혁 , 이지혜 , 정준호 , 이응숙 , 정주연
IPC分类号： B82B3/00 , B29C59/02
CPC分类号： C01B33/021 , B82B3/00 , C01P2004/13
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a silicone nanotube using metal nanopatterning and chemical etching. The method of manufacturing a silicone nanotube using metal nanopatterning and chemical etching given in the present invention includes: a preparation step of preparing a silicone layer; a stacking step of stacking a metal layer, on which a tube-shaped intaglio pattern is formed, on the top of the silicone layer; and an etching step of etching the silicone layer through a metal-assisted chemical etching process using the patterned metal to manufacture a tube-shaped silicone nanotube. Therefore, according to the present invention, provided is the method of manufacturing a silicone nanotube using metal nanopatterning and chemical etching which enables a large-area nanotube to be manufactured with reduced costs through a relatively-simple process.
摘要翻译：本发明涉及使用金属纳米图案和化学蚀刻制造硅氧烷纳米管的方法。使用本发明中提供的金属纳米图案和化学蚀刻制造硅氧烷纳米管的方法包括：制备硅氧烷层的制备步骤; 将形成有管状凹版图案的金属层层叠在硅氧烷层的顶部上的层叠工序; 以及通过使用图案化金属的金属辅助化学蚀刻工艺蚀刻硅氧烷层以制造管状硅氧烷纳米管的蚀刻步骤。因此，根据本发明，提供了使用金属纳米图案和化学蚀刻制造硅氧烷纳米管的方法，其能够通过相对简单的工艺以降低成本制造大面积纳米管。

23. 发明公开

KR1020140068721A 미세 패턴 및 투명 도전막의 제조 방법 有权
标题翻译：超精细图案和透明导电层的制作方法
公开(公告)号：KR1020140068721A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136561
申请日：2012-11-28
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최대근 , 이수한 , 정준호 , 이지혜 , 최준혁 , 김한중
IPC分类号： H01B13/00 , H01L51/56 , H01L31/0224 , G02F1/1343
摘要： A method of fabricating for an ultra fine pattern according to the present invention includes a step of forming a metal layer on a substrate, a step of forming an organic-inorganic complex layer on the metal layer, a step of forming a mask pattern by imprinting the organic-inorganic complex, a step of performing a thermal process on the mask pattern, a step of forming an ultra fine pattern by etching the metal layer, and a step of removing the etch mask. The size of the make pattern is reduced by the thermal process.
摘要翻译：根据本发明的超精细图案的制造方法包括在基板上形成金属层的步骤，在金属层上形成有机 - 无机复合层的步骤，通过压印形成掩模图案的步骤有机 - 无机络合物，对掩模图案进行热处理的步骤，通过蚀刻金属层形成超细图案的步骤以及去除蚀刻掩模的步骤。制造图案的尺寸通过热处理而降低。

24. 发明授权

KR101399909B1 콜로이드 광결정막 제조장치 및 이를 이용한 콜로이드 광결정막 제조방법 有权
标题翻译：胶体光电晶体膜的制造装置及其使用方法
公开(公告)号：KR101399909B1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020120096184
申请日：2012-08-31
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최대근 , 이수한 , 김한중 , 이지혜 , 정주연 , 최준혁 , 정준호
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要： 콜로이드 광결정막 제조장치 및 이를 이용한 콜로이드 광결정막 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 콜로이드 광결정막 제조장치는 상부가 개방된 하우징; 하우징 내에 배치되는 기판거치대; 및 기판거치대와 결합하여 상기 기판거치대의 높낮이를 조절하는 높이조절부를 포함한다.

25. 发明授权

KR101399439B1 금속박막의 선택적 제거에 의한 패턴형성 방법 有权
标题翻译：通过选择性去除形成金属薄膜图案的方法
公开(公告)号：KR101399439B1
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120078893
申请日：2012-07-19
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최준혁 , 이응숙 , 이지혜 , 최대근 , 정주연 , 정준호
IPC分类号： C23C26/00 , B82B3/00
摘要： 본 발명은 기판의 금속박막 패터닝 과정에서 제거해야 할 영역을 선택적으로 제거하여 다양한 기대 효과를 얻을 수 있는 금속박막의 선택적 제거에 의한 패턴형성 방법에 관한 것으로서, 기판에 금속박막층을 증착하는 증착단계, 상기 기판과 상기 금속박막층간의 영역 중 적어도 일부의 접합력이 증가되도록 돌출되는 돌출패턴을 갖는 스탬프를 상기 금속박막층에 접촉하여 가압하는 가압단계, 상기 금속박막층에서 상기 돌출패턴에 의하여 가압 되지 않는 영역을 선택적으로 제거하여 패턴을 형성하는 패턴형성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

26. 发明公开

KR1020140012331A 금속박막의 선택적 제거에 의한 패턴형성 방법 有权
标题翻译：通过选择性去除形成金属薄膜图案的方法
公开(公告)号：KR1020140012331A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020120078893
申请日：2012-07-19
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최준혁 , 이응숙 , 이지혜 , 최대근 , 정주연 , 정준호
IPC分类号： C23C26/00 , B82B3/00
摘要： The present invention relates to a method for forming a pattern of a metal thin film by selective removal capable of obtaining various effects by selectively removing sections to be removed in a metal thin film patterning process of a substrate. The method comprises: a deposition step of depositing a metal thin film layer on the substrate; a compression step of compressing a stamp having a protrusion pattern, which protrudes to partially increase bonding force between the substrate and the metal thin film layer, to the metal thin film layer; and a pattern forming step of forming the pattern by selectively removing the sections of the metal thin film layer which are not compressed by the protrusion pattern. [Reference numerals] (AA) START; (BB) END; (S110) Anti-adhesive treatment step; (S120) Deposition step; (S130) Compression step; (S140) Pattern formation step; (S141) Bonding step; (S142) Removal step
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过选择性去除形成金属薄膜图案的方法，该方法能够通过在衬底的金属薄膜构图工艺中选择性地除去待除去的部分而获得各种效果。该方法包括：在衬底上沉积金属薄膜层的沉积步骤; 压缩步骤，压缩具有凸起图案的印模，所述凸起图案突出以部分地增加所述基板和所述金属薄膜层之间的结合力，所述压缩步骤到所述金属薄膜层; 以及图案形成步骤，通过选择性地去除未被突起图案压缩的金属薄膜层的部分来形成图案。（附图标记）（AA）START; （BB）END; （S110）防粘处理工序; （S120）沉积步骤; （S130）压缩步骤（S140）图案形成步骤; （S141）接合工序; （S142）去除步骤

27. 发明授权

KR101335642B1 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101335642B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020120014530
申请日：2012-02-13
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최대근 , 최준혁 , 이지혜 , 정주연 , 정준호 , 이응숙 , 김한중
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
摘要： 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 위에 위치하며 빈 공간을 포함하는 공기층, 공기층 위에 형성되어 있는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 빈 공간은 밀폐된 복수의 공간 또는 채움 입자 사이의 공극이다.

28. 发明公开

KR1020130092922A 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：有机发光二极管显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130092922A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020120014530
申请日：2012-02-13
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최대근 , 최준혁 , 이지혜 , 정주연 , 정준호 , 이응숙 , 김한중
IPC分类号： H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5203 , H01L51/5218 , H01L51/5237 , H01L51/5262 , H01L51/5296 , H01L51/56
摘要： PURPOSE: An organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof are provided to simplify manufacturing processes by forming an air layer without an additional process. CONSTITUTION: An air layer (300) including an empty space (30) is formed on a substrate (111). The empty space is an air gap between the filling particles or a plurality of sealed spaces. A first electrode (710) is formed on the air layer. A light emitting layer (720) is formed on the first electrode. A second electrode (730) is formed on the light emitting layer.
摘要翻译：目的：提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，通过在没有附加工艺的情况下形成空气层来简化制造工艺。构成：在基板（111）上形成包括空的空间（30）的空气层（300）。空的空间是填充颗粒或多个密封空间之间的气隙。第一电极（710）形成在空气层上。在第一电极上形成发光层（720）。在发光层上形成第二电极（730）。

29. 发明公开

KR1020130026159A Ｔｉ-Ｎｂ-Ｘ계 타이타늄 합금의 에칭방법 有权
标题翻译：蚀刻基于TI-NB-X的钛合金的方法
公开(公告)号：KR1020130026159A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：KR1020110089606
申请日：2011-09-05
申请人： 한국기계연구원
发明人： 이동근 , 이지혜 , 이용태
IPC分类号： C23F1/26 , C23F1/44
CPC分类号： C23F1/44 , C09K13/04 , C23F1/26
摘要： PURPOSE: An etching method of Ti - Nb - X group titanium alloy is provided to clearly observe grain boundary by reducing over-etching phenomenon which is presented when etching sample after heat treatment. CONSTITUTION: An etching method of Ti - Nb - X group titanium alloy etches by soaking alloy in etchant including 2 - 15 wt% of nitric acid(HNO3), 1 - 20 wt% of hydrofluoric acid(HF), and rest water. If an alloy material is heat-treated, the ally etches by soaking in etchant including 3 - 10 wt% of HNO3, 1 - 10 wt% of HF, and rest water. In an immersion process, the etchant is stirred for 2-15 second. The etchant which is adhered in the immersion process is completely removed through rinse step between immersion process while repeating the immersion process. X is one kind or more which is selected from Zr, Ge, Si, V, Ta and Sn.
摘要翻译：目的：提供Ti-Nb-X族钛合金的蚀刻方法，通过减少在热处理后刻蚀样品时出现的过蚀刻现象，清楚地观察晶界。构成：通过在包括2-15重量％硝酸（HNO 3），1-20重量％氢氟酸（HF）和静止水的蚀刻剂中浸渍合金来蚀刻Ti-Nb-X族钛合金蚀刻方法。如果对合金材料进行热处理，则通过在含有3〜10重量％的HNO 3，1-10重量％的HF和静止水的蚀刻剂中浸泡而进行的相互蚀刻。在浸渍过程中，将蚀刻剂搅拌2-15秒。浸渍过程中粘附的蚀刻剂通过浸渍过程之间的冲洗步骤完全去除，同时重复浸渍过程。 X是选自Zr，Ge，Si，V，Ta和Sn中的一种以上。

30. 发明公开

KR1020130009448A 블록공중합체 정렬을 이용한 나노 구조물 제조방법 有权
标题翻译：使用嵌段共聚物配对制备纳米结构的方法
公开(公告)号：KR1020130009448A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020110070576
申请日：2011-07-15
申请人： 한국기계연구원
发明人： 최대근 , 정준호 , 이지혜 , 최준혁 , 정주연 , 이응숙
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B82B3/0038 , B82Y40/00 , C08J3/24
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of nanostructure using block copolymer queue is provided to manufacture nanostructures by a single process. CONSTITUTION: A manufacturing method of nanostructure using block copolymer queue comprises the following steps: laminating a reactive layer(120) on a substrate(110); forming a plurality of convex portions(131) on the reactive layer to be separated from each other; forming a free pattern(140) by etching and redeposition; removing the convex portions; removing the reactive layer remained on a substrate between the neighboring free patterns; and arranging block copolymer pattern(150) between the neighboring free patterns.
摘要翻译：目的：提供使用嵌段共聚物排列的纳米结构的制造方法，通过单一工艺制造纳米结构。构成：使用嵌段共聚物排列的纳米结构的制造方法包括以下步骤：将反应层（120）层压在基材（110）上; 在所述反应层上形成多个待分离的凸部（131）; 通过蚀刻和再沉积形成自由图案（140）; 去除凸部; 去除残留在相邻自由图案之间的衬底上的反应层; 以及在相邻的自由图案之间布置嵌段共聚物图案（150）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式