专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明授权

KR101416030B1 유기반사방지막 형성용 폴리머 및 이를 포함하는 조성물 有权
标题翻译：用于抗反射涂层的聚合物及其组合物
公开(公告)号：KR101416030B1
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020060132668
申请日：2006-12-22
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 노효정 , 박종경 , 김정식 , 김현진 , 김재현
IPC分类号： C08G77/00 , C08G77/38 , C08J5/22 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/091 , C08G77/045 , C08G77/38 , C09D183/04 , G03F7/0752 , Y10S438/952
摘要： 주사슬에 실록산기를 가지는 유기반사방지막 형성용 폴리머 및 이를 포함하는 유기반사방지막 형성용 조성물이 개시된다. 상기 유기반사방지막 형성용 폴리머는 하기 화학식으로 표시된다.

상기 화학식 1에서, R은 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬, 탄소수 1 내지 10의 알코올기 또는 에폭시기이고, R
1 은 각각 독립적으로 수소, 또는 이며, n은 1 내지 50이고, 상기 R
2 는 탄소수 1 내지 20의 알킬, 사이클로알킬, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 12의 아릴알킬기이며, R
3 는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알코올기 또는 에폭시기이고, POSS는 다면체의 올리고실세스퀴옥산(polyhedral oligosilsesquioxane)이다.
유기반사방지막, 폴리실록산, 언더컷팅, 노칭

22. 发明授权

KR101332227B1 유기 반사방지막 형성용 단량체, 중합체 및 이를 포함하는유기 조성물 有权
标题翻译：单体，用于形成有机抗反射涂层的聚合物和包含其的有机组合物
公开(公告)号：KR101332227B1
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020060119257
申请日：2006-11-29
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 노효정 , 박종경 , 김정식 , 김현진 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , C07D303/42 , C08G2/30
CPC分类号： G03F7/091 , C08K5/13 , C08K5/549 , G03F7/0752 , Y10S438/952
摘要： 포토리소그래피 공정 시에 포토레지스트 막 하부에서 발생된 정재파(standing wave)의 영향으로 패턴이 붕괴(collapse)되는 것을 방지하기 위하여, 피식각층과 포토레지스트막 사이에서 노광원을 흡수하는 유기 반사방지막 형성용 단량체, 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 중합체는 (여기서, R
1 은 수소, 메틸 또는 에틸기이고, R
2 는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬렌기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기이며, POSS는 다면체 올리고머 실세스퀴옥산이고, 상기 m은 2 내지 110의 정수이다.)로 표시되는 반복단위를 포함하며, 유기 반사방지막의 식각률을 개선하고, 유기 반사방지막의 형성을 용이하게 하며, 기판과의 접착력을 개선하는 역할을 한다.
유기 반사방지막, ArF, 식각률, 고굴절률

23. 发明授权

KR101115089B1 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 有权
标题翻译：用于形成有机防反射膜的有机聚合物和含有其的有机组合物
公开(公告)号：KR101115089B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020050017291
申请日：2005-03-02
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/091
摘要： 포토리소그래피 공정에서, 노광원을 흡수하기 위하여 피식각층과 포토레지스트막 사이에 위치하는, 유기 반사방지막을 형성하기 위한 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체는 및 (여기서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다)으로 표시되는 반복단위를 포함하며, 유기 반사방지막의 식각률을 개선하고, 유기 반사방지막의 형성을 용이하게 하며, 기판과의 접착력을 개선하는 역할을 한다.
유기 반사방지막
摘要翻译：在光刻过程中的图像，这是位于为了吸收曝光光源，用于形成有机防反射膜和含有该材料的有机组合物中的有机聚合物的蚀刻层和光致抗蚀剂膜之间中公开。用于形成有机抗反射层的有机聚合物

24. 发明授权

KR101104628B1 전자선 리소그래피용 고분자 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물 失效
标题翻译：用于电子束光刻的聚合物和包含其的化学放大正型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101104628B1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：KR1020040104287
申请日：2004-12-10
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 임광휘 , 유민자 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/039
摘要： 감도 및 해상도가 우수하고, 라인 에지 러프니스를 개선하며, 코팅 후 지연 안정성, 노광 후 지연 안정성 등의 레지스트의 성능안정성이 우수하고, 전자선 조사장치의 진공 챔버 내에서의 방치에 따른 레지스트 선폭변동의 안정성을 개선하는, 하기 화학식으로 표시되는 전자선 리소그래피용 고분자 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물이 개시된다.

상기 화학식에서 R
* , R
** , R
1 , R
2 , R
3 , R
4, n, x, y 및 z는 명세서에서 정의한 바와 같다.

화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물, 포토레지스트.

25. 发明公开

KR1020080037139A 술포닐기를 포함하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를포함하는 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：含有SUFFYYLY GROUP的聚合物单体，其聚合物和包括它们的光催化剂组合物
公开(公告)号：KR1020080037139A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020060103783
申请日：2006-10-25
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 유근종 , 김상정 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C309/00 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/24 , C07C2603/74 , C07D209/48 , C07D221/06 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/30 , C08F12/32 , C08F212/14 , C09D125/18 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , G03F7/0397 , C08F212/08
摘要： A photoresist monomer is provided to allow pattern formation by an ultraviolet light source even without any photo acid generator and improve line edge roughness. A photoresist monomer including a sulfonyl group is represented by the following formula 1, wherein R* is hydrogen or a methyl group, R1 and R2 independently are a C1-20 alkyl group, cycloalkyl group, C6-20 aryl group or C7-20 arylalkyl group with or without a ketone group, any one of R1 and R2 does not have a functional group, and R1 and R2 are bound to each other to form a ring. A photoresist composition includes a polymer comprising the monomer represented by the formula 1, a photo acid generator that generates an acid, and an organic solvent. The photo acid generator and organic solvent are contained in amounts of 0.1-20 parts by weight and 300-5000 parts by weight based on 100 parts by weight of the photoresist polymer, respectively.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂单体以允许通过紫外光源形成图案，即使没有任何光酸产生剂并且改善线边缘粗糙度。包括磺酰基的光致抗蚀剂单体由下式1表示，其中R *是氢或甲基，R 1和R 2独立地是C 1-20烷基，环烷基，C 6-20芳基或C 7-20芳烷基具有或不具有酮基的基团，R 1和R 2中的任一个不具有官能团，并且R 1和R 2彼此结合形成环。光致抗蚀剂组合物包括包含由式1表示的单体的聚合物，产生酸的光酸产生剂和有机溶剂。相对于光致抗蚀剂聚合物100重量份，光产酸剂和有机溶剂的含量分别为0.1-20重量份和300-5000重量份。

26. 发明授权

KR100778243B1 ＡｒＦ 포토레지스트용 유기 반사방지막 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：用于ArF光电元件的有机底部防反射膜及其制备方法
公开(公告)号：KR100778243B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020020030404
申请日：2002-05-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김재현 , 김덕배 , 강윤호 , 오창일 , 김상정
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 본 발명은 다양한 방사선을 사용하는 포토리소그래피 공정에서 백그라운드 기판으로부터 반사의 악영향을 효과적으로 감소시키는 언더코팅층을 형성할 수 있는 하기 화학식 1로 표시되는 광 흡수제를 포함하는 ArF 포토레지스트용 유기 반사방지막 코팅액 조성물과 이 조성물을 이용한 ArF 포토레지스트용 유기 반사방지막 및 그의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]

상기 화학식 1의 식에서, X는 수소, 또는 메틸이고; R
1 내지 R
15 는 이들 중에서 적어도 어느 하나는 수산기이고, 나머지는 각각 독립적으로 또는 동시에, 수소; 할로겐; 니트로기; 아미노기; 수산기를 함유하거나 함유하지 않는 탄소수 1 내지 3의 알킬기; 카보닐기를 함유하거나 함유하지 않는 탄소수 1 내지 3의 알콕시기; 벤젠; 또는 탄소수 5 내지 6의 시클로알킬이다.
광 흡수제, 유기 반사방지막, 포토리소그래피, 포토레지스트, 해상도

27. 发明公开

KR1020060026785A 유기 반사방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자 패턴의 형성방법 无效
标题翻译：用于形成有机抗反射膜的组合物和使用该组合物形成半导体器件图案的方法
公开(公告)号：KR1020060026785A
公开(公告)日：2006-03-24
申请号：KR1020040075653
申请日：2004-09-21
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김수상 , 김상정 , 정우성 , 김재현
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004 , H01L21/312
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/00 , G03F7/0045
摘要： 포토리소그래피 공정에서, 노광원을 흡수하기 위하여 피식각층과 포토레지스트막 사이에 위치하는 유기 반사방지막을 형성하기 위한 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의 형성방법이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 조성물은 하기 화학식으로 표시되는 광흡수제, 유기 중합체 및 용매를 포함한다. 상기 광흡수제는 ArF 등 다양한 노광원의 흡수도, 유기 중합체 등 고분자 물질과의 상용성, 유기 반사방지막 형성용 조성물의 용매에 대한 용해도 및 광가교제와의 가교 반응성이 우수하다.

상기 화학식에서, X 및 R
1 내지 R
15 는 명세서에서 정의한 바와 같다.

ArF, 방사선, 흡수도, 건식 식각공정, 유기 반사방지막, 반도체 소자 패턴, 광흡수제, 유기 중합체, 상용성

28. 发明公开

KR1020050103584A 감광성 고분자 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형포토레지스트 조성물 无效
标题翻译：光敏聚合物树脂和含有其的化学放大光刻胶组合物
公开(公告)号：KR1020050103584A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：KR1020040028793
申请日：2004-04-26
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김덕배 , 김상정 , 김화영 , 제갈진 , 김재현
IPC分类号： G03F7/039
摘要： 해상도가 우수하여 단파장의 노광원 하에서도 미세한 회로 패턴을 형성할 수 있는 감광성 고분자 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 감광성 고분자 수지는 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]

상기 식에서, R은 수소 또는 메틸기, R
1 은 , 또는 이고, R
2 는 클로로, 브로모, 하이드록시, 사이아노, t-부톡시, CH
2 NH
2 , CONH
2 , CH=NH, CH(OH)NH
2 또는 C(OH)=NH이며, R
3 는 수소 또는 메틸기이고, 1-xy, x, y는 상기 감광성 화합물을 구성하는 각 반복단위의 중합도로서, x, y는 각각 0.1∼0.8이고, n은 1 또는 2이다.

29. 发明公开

KR1020030092667A ＡｒＦ 포토레지스트용 유기 반사방지막 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：有机抗反射涂层用于ARF光刻胶及其制备
公开(公告)号：KR1020030092667A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020030405
申请日：2002-05-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김재현 , 김덕배 , 강윤호 , 오창일 , 김상정
IPC分类号： G03F7/004
摘要： PURPOSE: Provided is an organic anti-reflection coating composition, which decreases an adverse effect of reflection from a background substrate in a photolithography process using various radiations, gives excellent resolution and has no loss in thickness by the photoresist solvent. CONSTITUTION: The organic anti-reflection coating composition for an ArF photoresist is characterized by comprising the compound of the formula 1 as a light absorbing agent, wherein each R is independently or simultaneously hydrogen, hydroxy, halogen, nitro group, amino group, a C1-C8 alkyl group optionally containing a hydroxy group, a C1-C8 alkoxy group optionally containing a carbonyl group, benzene, a C5-C6 cycloalkyl group, an arylalkyl group, or an alkylaryl group, provided that at least one of them is not a hydrogen.
摘要翻译：目的：提供一种有机防反射涂料组合物，其在使用各种辐射的光刻工艺中减少来自背景基板的反射的不利影响，提供优异的分辨率并且通过光致抗蚀剂溶剂不会损失厚度。构成：用于ArF光致抗蚀剂的有机防反射涂料组合物的特征在于包含式1的化合物作为光吸收剂，其中每个R独立地或同时是氢，羟基，卤素，硝基，氨基，C1 任选含有羟基的C 1-8烷基，任选含有羰基的C 1 -C 8烷氧基，苯，C 5 -C 6环烷基，芳烷基或烷芳基，条件是它们中的至少一个不是氢。

30. 发明授权

KR101324202B1 술포닐기를 포함하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를포함하는 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：用于包括磺酰基的光致抗蚀剂的单体，其聚合物和包含其的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101324202B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020060103783
申请日：2006-10-25
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이정열 , 유근종 , 김상정 , 이재우 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C309/00 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/24 , C07C2603/74 , C07D209/48 , C07D221/06 , C08F12/22 , C08F12/26 , C08F12/30 , C08F12/32 , C08F212/14 , C09D125/18 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , C08F212/08
摘要： 술포닐기를 포함하는 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물이 개시된다. 상기 포토레지스트 모노머는 하기 화학식으로 표시된다.

상기 식에서, R
* 은 수소 또는 메틸기이고, R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 케톤기를 포함하거나 포함하지 않는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기이며, R
1 과 R
2 중 어느 하나의 작용기는 존재하지 않을 수 있고, R
1 과 R
2 는 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
포토레지스트, 라인에지러프니스

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式