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21. 发明授权

KR100745368B1 개선된 데이터 입출력 경로를 갖는 반도체 메모리 장치 有权
标题翻译： 개선된데이터입출력경로를갖는반도체메모리장치
公开(公告)号：KR100745368B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020050111566
申请日：2005-11-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김남석 , 이종철 , 유학수 , 조욱래
IPC分类号： G11C7/18
摘要： A semiconductor memory device having an advanced data input/output path is provided to prevent the degradation of operation speed due to loads of peripheral circuits connected to a bit line, and to reduce chip size by reducing the number of column pass gates. In a semiconductor memory device having a data input/output path, a first and a second memory cell cluster(MCC1,MCC2) are divided in operation while sharing an equal bit line pair of the data input/output path. A third and a fourth memory cell cluster(MCC3,MCC4) are connected to a word line connected to the first and the second memory cell cluster, and are divided in operation while sharing a bit line pair different from the bit line pair. A column pass gate(84) switches one of the bit line pairs connected to the four memory cell clusters to a common sense amplifier in response to a column selection signal, in order to constitute the data input/output path.
摘要翻译：提供具有高级数据输入/输出路径的半导体存储器件以防止由于连接到位线的外围电路的负载而引起的操作速度的降低，并且通过减少列通过门的数量来减小芯片尺寸。在具有数据输入/输出路径的半导体存储器件中，第一和第二存储器单元簇（MCC1，MCC2）在共享数据输入/输出路径的等位线对的同时被分开。第三和第四存储器单元簇（MCC3，MCC4）连接到连接到第一和第二存储器单元簇的字线，并且在共享与位线对不同的位线对的同时被分开操作。为了构成数据输入/输出路径，列通过门（84）响应于列选择信号将连接到四个存储器单元簇的位线对中的一个切换到公共读出放大器。

22. 发明公开

KR1020070056565A 반도체 커패시터의 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体电容器的方法
公开(公告)号：KR1020070056565A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050115430
申请日：2005-11-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임기빈 , 이종철 , 윤경렬 , 여재현 , 정은애 , 김영선
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： A method for manufacturing a semiconductor capacitor is provided to prevent the generation of short between adjacent lower electrodes by forming a spacer containing a metallic oxide at both upper sidewalls of each lower electrode. A mold layer with opening portions is formed on a semiconductor substrate(30). A lower electrode thin film is formed along an upper surface of the resultant structure. A sacrificial layer is formed thereon. A polishing process is performed on the resultant structure until the mold layer is exposed to the outside. An upper portion of the exposed mold layer is removed from the resultant structure to expose an upper sidewall of the lower electrode thin film. A thin film having a relatively high etch selectivity compared to the mold layer and sacrificial layer is formed. A spacer(72) is formed at both upper sidewalls of the lower electrode thin film by performing an etch back process on the resultant structure.
摘要翻译：提供一种制造半导体电容器的方法，以通过在每个下电极的两个上侧壁处形成包含金属氧化物的间隔来防止在相邻的下电极之间产生短路。在半导体衬底（30）上形成具有开口部分的模制层。沿所得结构的上表面形成下电极薄膜。在其上形成牺牲层。对所得到的结构进行抛光处理，直到模具层暴露于外部。暴露的模制层的上部从所得结构中去除以暴露下部电极薄膜的上侧壁。形成与模具层和牺牲层相比具有相对高的蚀刻选择性的薄膜。通过对所得结构执行回蚀处理，在下电极薄膜的两个上侧壁处形成间隔物（72）。

23. 发明授权

KR100668083B1 백라이트 구동장치 失效
标题翻译：背光驱动装置
公开(公告)号：KR100668083B1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：KR1020040089960
申请日：2004-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경근 , 이종철 , 이정섭
IPC分类号： G02F1/133
CPC分类号： H05B41/2851 , H05B41/2855
摘要： 본 발명은, 램프와 연결된 인버터회로를 구비한 백라이트 구동 장치에 관한 것으로서, 상기 인버터회로에 접합되는 복수의 리드부를 가지며, 상기 램프에 구동전압을 공급하는 구동전압발생부를 포함하며, 상기 각 리드부는 복수의 리드단자를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 구동전압발생부의 단선 및 접합불량에 따른 오동작이 방지됨에 따라, 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있는 백라이트 구동장치가 제공된다.

24. 发明公开

KR1020070004193A 막 형성 방법 및 이를 이용하는 커패시터 제조 방법 无效
标题翻译：形成层的方法和使用其制造电容器的方法
公开(公告)号：KR1020070004193A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059585
申请日：2005-07-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태종 , 최재형 , 김봉현 , 정정희 , 오세훈 , 최정식 , 이종철
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要： A film forming method and a capacitor forming method using the same are provided to sufficiently eliminate metal precursor chemically and physically absorbed on a substrate by repeatedly performing a purging and pumping process. A source gas containing a precursor is supplied onto a substrate(100) disposed in a process chamber(10) to form a precursor film(112) on the substrate. The process chamber is purged to remove the source gas from the process chamber. The process chamber is pumped out to eliminate the precursor physically absorbed on the precursor film. The purging and pumping process is repeated. Then, an oxidant is supplied onto the precursor film.
摘要翻译：提供一种成膜方法和使用该成膜方法的电容器形成方法，以通过反复进行清洗和泵送过程来充分消除化学和物理上吸收在基板上的金属前体。将含有前体的源气体供给到设置在处理室（10）中的基板（100）上，以在基板上形成前体膜（112）。净化处理室以从处理室中除去源气体。泵出处理室以除去物理吸收在前体膜上的前体。清洗和泵送过程重复。然后，将氧化剂供给到前体膜上。

25. 发明授权

KR100653702B1 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：闪存装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100653702B1
公开(公告)日：2006-12-04
申请号：KR1020040067639
申请日：2004-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최한메 , 이종철 , 이승환 , 최대식 , 박기연 , 김영선 , 유차영 , 김성태
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/513 , H01L29/7881
摘要： 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해서, 활성 영역들을 갖는 반도체 기판을 준비한다. 상기 활성 영역들의 상부를 가로질러서 달리도록 반도체 기판 상에 복수 개의 게이트 패턴들이 배치된다. 상기 게이트 패턴들은 차례로 적층된 부유 게이트 패턴, 게이트 층간 유전막 패턴 및 제어 게이트 패턴을 갖는다. 이때에, 상기 게이트 층간 유전막 패턴은 하프늄 산화막 및 알루미늄 산화막을 적어도 2번 이상 교대로 반복해서 적층된 것이다.
누설전류, 하프늄 산화막

26. 发明授权

KR100623177B1 높은 유전율을 갖는 유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有高介电常数的介电结构，形成电介质结构的方法，包括电介质结构的非易失性半导体存储器件以及制造非易失性半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR100623177B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020050006547
申请日：2005-01-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종철 , 김성태 , 김영선 , 유차영 , 박영근 , 여재현 , 김윤석 , 임하진 , 최재형 , 남갑진
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/022 , H01L21/02142 , H01L21/02156 , H01L21/02175 , H01L21/28273 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L27/11502 , H01L27/11521
摘要： 높은 유전율을 갖는 유전체 구조물 및 이를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치가 개시된다. 기판 상에 터널 산화막 패턴을 형성한 후, 터널 산화막 패턴 상에 플로팅 게이트를 형성한다. 플로팅 게이트 상에 금속 실리콘 산화물로 이루어진 제1 유전층 패턴 및 금속 실리콘 산질화물로 이루어진 제2 유전층 패턴을 포함하는 유전체 구조물을 형성한 다음, 유전체 구조물 상에 컨트롤 게이트를 형성한다. 유전체 구조물이 적어도 하나의 금속 실리콘 산화물층 및 금속 실리콘 산질화물층을 구비하기 때문에, 상기 유전체 구조물은 높은 유전율을 가지면서도 열처리 공정 동안 거의 손상을 입지 않는 우수한 내열성을 가지며, 이러한 유전체 구조물을 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치는 높은 캐패시턴스 및 낮은 누설 전류 등의 우수한 전기적 특성을 가진다.

27. 发明公开

KR1020060070007A 플래시 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非挥发性半导体存储器件及其制造使用该非易失性二极管存储器件的非易失性半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020060070007A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020040108624
申请日：2004-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종철 , 김성태 , 김영선 , 유차영 , 박영근 , 최재형 , 여재현 , 최한메 , 남갑진
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L29/513 , H01L29/7881 , H01L27/11531
摘要： 향상된 유전율을 가지면서도 얇은 두께를 갖는 유전층을 구비하는 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 터널 산화막 패턴 및 플로팅 게이트를 순차적으로 형성한 후, 펄스 레이저 증착 공정을 이용하여 플로팅 게이트 상에 III족 전이 금속으로 도핑된 금속 산화물로 이루어진 유전층 패턴을 형성한다. 유전층 상에는 컨트롤 게이트가 형성된다. 스칸듐, 이트륨 또는 란탄과 같은 III족 전이 금속이 도핑된 금속 산화물을 사용하여 크게 향상된 유전율을 가지면서도 현저하게 감소된 두께를 갖는 유전층 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 펄스 레이저 증착 공정으로 표면 균일도 및 치밀성이 향상된 유전층 패턴을 형성하기 때문에, 유전층 패턴으로부터 발생되는 누설 전류를 크게 감소시킬 수 있다.

28. 发明公开

KR1020050117286A 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법 失效
标题翻译：在原子层分层方法中形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020050117286A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020040042551
申请日：2004-06-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종철 , 임기빈 , 김성태 , 김영선 , 유차영 , 최한메 , 남갑진
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45531 , C23C16/4554 , C23C16/45553 , C23C16/515 , H01L21/02274 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31691 , H01L28/40 , H01L28/65
摘要： In a method of forming a layer using an atomic layer deposition process, after a substrate is loaded into a chamber, a reactant is provided onto the substrate to form a preliminary layer. Atoms in the preliminary layer are partially removed from the preliminary layer using plasma formed from an inert gas such as an argon gas, a xenon gas or a krypton gas, or an inactive gas such as an oxygen gas, a nitrogen gas or a nitrous oxide gas to form a desired layer. Processes for forming the desired layer may be simplified. A highly integrated semiconductor device having improved reliability may be economically manufactured so that time and costs required for the manufacturing of the semiconductor device may be reduced.

29. 发明公开

KR1020030088642A 반도체 패키지 수납 장치 无效
标题翻译：用于接收半导体封装的装置
公开(公告)号：KR1020030088642A
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：KR1020020026462
申请日：2002-05-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수찬 , 선용균 , 김현호 , 이준호 , 이종철 , 하승수 , 유재형 , 이병천
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: An apparatus for receiving a semiconductor package is provided with a guide for aligning the recipience position of the semiconductor packages. CONSTITUTION: An apparatus for receiving a semiconductor package(10) includes a main body(210) and a guide(220). The main body(210) is provided with a pocket(212) for receiving the semiconductor package(10). The guide(220) is formed on the pocket(212). The guide(220) further includes a guide groove(222) for aligning the recipience position of the semiconductor package(10), wherein the guide groove(222) tapers down.
摘要翻译：目的：一种用于接收半导体封装的设备设置有用于对准半导体封装的接受位置的引导件。构成：用于接收半导体封装（10）的装置包括主体（210）和引导件（220）。主体（210）设置有用于接收半导体封装（10）的凹槽（212）。引导件（220）形成在口袋（212）上。引导件（220）还包括用于对准半导体封装（10）的接受位置的引导槽（222），其中引导槽（222）逐渐变细。

30. 发明公开

KR1020030062550A 스탠바이전원을 갖는 전기장치 无效
标题翻译：具备电源供电的电气系统
公开(公告)号：KR1020030062550A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020002797
申请日：2002-01-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종철
IPC分类号： H04N5/63
CPC分类号： H04N21/4436 , H04N5/63 , Y02B70/16
摘要： PURPOSE: An electric system having a standby power supply is provided to control the operation of a main power source part by a driving power generated from a standby power source part, thereby reducing the number of required parts and realizing a simple circuit arrangement. CONSTITUTION: An electric system having a standby power supply includes an AC rectifying part(510) for rectifying an AC commercial power to output a first DC power, a standby power source part(600) for generating a driving power from the first DC power to carry out a first SMPS operation by the driving power and output a second DC power according to a winding rate, a main power source part(500) for carrying out a second SMPS operation by the driving power and converting the first DC power to a second DC power according to the winding rate to supply to a load, a mode conversion part(700) for supplying or blocking the driving power from the standby power source part to the main power source part in response to a mode conversion control signal, and a microcomputer(900) supplied with the second DC power and outputting the mode conversion control signal to the mode conversion part according to a mode conversion command detected by monitoring external inputs.
摘要翻译：目的：提供一种具有备用电源的电气系统，以通过从待机电源部分产生的驱动电力来控制主电源部分的操作，从而减少所需部件的数量并实现简单的电路布置。构成：具有待机电源的电气系统包括用于整流交流商用电力以输出第一直流电力的交流整流部分（510），用于从第一直流电力产生驱动电力的备用电源部分（600）通过驱动电力执行第一SMPS操作并根据卷绕速率输出第二直流电力;主电源部分（500），用于通过驱动电力执行第二SMPS操作，并将第一DC电力转换为第二根据提供给负载的卷绕速度的直流电力，用于响应于模式转换控制信号从备用电源部分向主电源部分提供或阻断驱动电力的模式转换部分（700），以及微型计算机（900）提供第二直流电源，并根据通过监视外部输入检测的模式转换命令将模式转换控制信号输出到模式转换部分。

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