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21. 发明公开

KR1020070029409A 감광액 공급 장치 无效
标题翻译：提供光电组合物的装置
公开(公告)号：KR1020070029409A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：KR1020050084172
申请日：2005-09-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이정훈 , 김경미 , 최남욱 , 윤상웅 , 이창호
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/6715 , B05B1/005 , B05C11/10 , G03F7/70916 , H01L21/67098 , H05B1/0233
摘要： A photoresist solution supplier is provided to prevent the coagulation of photoresist residues by restraining the photoresist residues from being vaporized from an end portion of a nozzle using a thinner composition stored in a thinner storing unit. A photoresist solution supplier includes a nozzle for supplying a photoresist solution onto a substrate, an inner space and a heater. The inner space(122) is used for storing the nozzle. The inner space includes a thinner storing unit(150) for storing a thinner composition capable of preventing the vaporization of photoresist residues at an end portion of the nozzle. The heater(180) is used for vaporize the thinner composition.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂溶液供应者以通过使用更薄的组合物存储在更薄的存储单元中来限制光致抗蚀剂残留物从喷嘴的端部蒸发而防止光致抗蚀剂残留物的凝结。光致抗蚀剂溶液供应商包括用于将光致抗蚀剂溶液供应到基底，内部空间和加热器上的喷嘴。内部空间（122）用于存储喷嘴。内部空间包括较薄的存储单元（150），用于存储能够防止喷嘴端部处的光致抗蚀剂残留物蒸发的较薄组合物。加热器（180）用于蒸发较薄的组合物。

22. 发明授权

KR100660016B1 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：感光树脂，具有感光树脂的光电组合物和使用光电组合物形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR100660016B1
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050013598
申请日：2005-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한석 , 윤상웅 , 김영호
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392
摘要： 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 상기 감광성 수지는 적어도 5개의 탄소를 포함하는 소수성 말단기와 탈 차단그룹을 포함한다. 특히, 상기 감광성 수지는 6000 내지 9500의 중량 평균 분자량을 갖는다. 상기 감광성 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용함으로서 반응성 결함 감소되며, 세정공정 이후 패턴이 선폭이 균일한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

23. 发明授权

KR100620439B1 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：具有光敏聚合物的光敏聚合物，具有光敏聚合物的光电组合物和使用光电组合物形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR100620439B1
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：KR1020050004099
申请日：2005-01-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 류진아 , 김부득 , 김재호 , 김영호 , 김경미 , 윤상웅
IPC分类号： G03F7/027
CPC分类号： G03F7/0392
摘要： 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 폴리머는 하기 일반식 (1)의 반복 단위로 이루어지며 1000 내지 100000의 분자량을 갖는다. 노광된 부위 및 노광되지 않은 부위의 포토레지스트막의 현상액에 대한 용해도 차이를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 보다 미세한 패턴을 정확하게 형성함과 동시에, 라인 에지 러프니스를 최소화할 수 있다.
......(1)
(상기 일반식 (1)에 있어서, R은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 산 분해성 탄화수소기이다.)

24. 发明公开

KR1020060092591A 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：光敏树脂，包含其的光致抗蚀剂组合物，以及使用其的光致抗蚀剂图案形成方法
公开(公告)号：KR1020060092591A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020050013598
申请日：2005-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한석 , 윤상웅 , 김영호
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045
摘要： 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 상기 감광성 수지는 적어도 5개의 탄소를 포함하는 소수성 말단기와 탈 차단그룹을 포함한다. 특히, 상기 감광성 수지는 6000 내지 9500의 중량 평균 분자량을 갖는다. 상기 감광성 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용함으로서 반응성 결함 감소되며, 세정공정 이후 패턴이 선폭이 균일한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
摘要翻译：在感光性树脂，含有该感光性树脂的光致抗蚀剂组合物以及使用其的光致抗蚀剂图案的制造方法中，感光性树脂包含含有至少5个碳原子的疏水性端基和脱嵌段性基团。特别是，感光性树脂的重均分子量为6000〜9500。通过使用含有光敏树脂的光刻胶组合物，反应缺陷减少，并且在清洁处理之后，可以形成具有均匀线宽的光刻胶图案。

25. 发明公开

KR1020030093842A 커패시터의 하부전극 형성방법 无效
标题翻译：形成电容器存储节点的方法
公开(公告)号：KR1020030093842A
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR1020020031722
申请日：2002-06-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김도영 , 정회식 , 김영호 , 윤상웅 , 이홍 , 문상식
IPC分类号： H01L27/108
摘要： PURPOSE: A method for forming storage node of capacitor is provided to improve storage capacitance thereof by forming duplicate lower electrode. CONSTITUTION: On a semiconductor substrate, an isolation layer(225) is formed. Etching a desired portion of the isolation layer is performed to form the first aperture which partly opens the top surface of the substrate. The first polysilicon layer(250a) is formed successively on the side wall of the first aperture and the bottom portion thereof. After filling the first aperture with an insulation material(255a), the second aperture is formed such that it surrounds the side wall of the first aperture. The second polysilicon layer is deposited successively onto the side wall of the first aperture and its bottom portion. The isolation layer and insulation material formed on the substrate and included by the first and second apertures is removed to form the storage node.
摘要翻译：目的：提供一种形成电容器存储节点的方法，通过形成重复的下电极来提高其电容。构成：在半导体衬底上形成隔离层（225）。执行蚀刻隔离层的所需部分以形成部分地打开衬底顶表面的第一孔。第一多晶硅层（250a）依次形成在第一孔的侧壁及其底部。在用绝缘材料（255a）填充第一孔之后，第二孔形成为使得其围绕第一孔的侧壁。第二多晶硅层依次沉积在第一孔及其底部的侧壁上。形成在基板上并由第一和第二孔包括的隔离层和绝缘材料被去除以形成存储节点。

26. 发明公开

KR1020010002449A 현상액 성분 분석 장치 无效
标题翻译：分析解决方案组件的设备
公开(公告)号：KR1020010002449A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990022262
申请日：1999-06-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이홍 , 윤상웅 , 김영호 , 이창호
IPC分类号： G01N1/10
摘要： PURPOSE: A device for analyzing components of developing solution is provided to accurately analyze the component of the developing solution used in a semiconductor manufacturing process. CONSTITUTION: A device for analyzing components of developing solution(110,124)) used in a semiconductor manufacturing process includes a sampler(114) sampling the developing solution, a GPC(Gel Permeation Chromatography) separator(116) separating the sampled developing solution according to the size of particles, a HPLC(High Performance Liquid Chromatography) separator(130) separating the particles separated in the GPC separator by using the difference of polarities, an analyzing apparatus(122) analyzing the particles input from the GPC separator and the HPLC separator, and valves(118,120) switching the particles output from the GPC separator for inputting the particles to the HPLC separator.
摘要翻译：目的：提供一种用于分析开发解决方案组件的设备，以准确分析半导体制造过程中使用的显影液的成分。构成：在半导体制造工艺中使用的用于分析显影液（110,124）的组件的装置包括对显影液采样的采样器（114），将凝胶渗透色谱分离器（116）分离出来的分离器通过使用极性差分离在GPC分离器中分离的颗粒的HPLC（高效液相色谱）分离器（130），分析从GPC分离器输入的颗粒和HPLC分离器的分析装置（122）以及阀（118,120）将从GPC分离器输出的颗粒切换成用于将颗粒输入到HPLC分离器。

27. 发明公开

KR1020060088805A 초 광대역의 신호 생성기 有权
标题翻译：超宽带信号发生器
公开(公告)号：KR1020060088805A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050037291
申请日：2005-05-03
申请人： 삼성전자주식회사 , 조지아 테크 리서치 코오포레이션
发明人： 무코파타야라자르시 , 누팅크세바스찬 , 박윤서 , 윤상웅 , 우상현 , 강현일 , 이창호 , 라스카조이
IPC分类号： H03B5/08
CPC分类号： H03B5/1231 , H03B5/1203 , H03B5/124 , H03B5/1256 , H03B2200/007
摘要： 본 발명은 초 광대역(Ultra Wide Band)의 주파수 범위에 걸친 고조파(Harmonic) 신호를 이용하여 원하는 주파수의 신호를 생성하는 신호 생성기에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명에 따른 초 광대역의 신호 생성기는, 비선형의 동작 범위에서 서로 전력이 유사한 고조파 신호들을 생성하고, 인덕터의 값이 조절 가능한 능동 인덕터; 상기 조절 가능한 능동 인덕터에서 생성된 고조파 신호들을 고주파의 주파수 대역으로 주파수 천이하여 증폭하여 출력하는 발진 수단; 및 상기 발신 수단에서 출력되는 고조파 신호들 중 어느 하나를 선택하여 출력하는 필터를 구비하는 것을 특징으로 한다.
초 광대역, 고조파, VCO, 필터, 능동 인덕터

28. 发明公开

KR1020060074193A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：光致抗蚀剂组合物及使用其的图案形成方法
公开(公告)号：KR1020060074193A
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040112844
申请日：2004-12-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태영 , 김명선 , 윤상웅 , 김영호 , 김부득
IPC分类号： G03F7/027
摘要： 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 포토레지스트 조성물은 감광성 폴리머 수지, 광과 반응하여 산을 생성하며, 소수성기(Hydrophobic Group)를 갖는 광산 발생제 및 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 노광공정시 포토레지스트에서 과 생성된 산의 확산속도의 증가를 방지함으로서 형성되는 포토레지스트 패턴의 상부 손실을 방지할 수 있다.

29. 发明公开

KR1020040021278A 반도체 소자의 시편 제작방법 无效
标题翻译：制造半导体器件样品的方法
公开(公告)号：KR1020040021278A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020052883
申请日：2002-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김부득 , 윤상웅 , 이창호 , 이시용 , 김영훈 , 류진아 , 유재은
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a sample of a semiconductor device is provided to easily observe the section of the sample with a polyimide. CONSTITUTION: A polyimide layer is formed on a substrate(S100). The polyimide layer is rapidly cooled by dipping a liquid nitrogen the resultant structure(S110). Cracks are generated in the substrate(S120). By cutting the resultant structure to vertical direction, a sample is then formed(S130).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的样品的方法，以便用聚酰亚胺容易地观察样品的截面。构成：在基板上形成聚酰亚胺层（S100）。通过将液氮浸渍在所得结构中来快速冷却聚酰亚胺层（S110）。在基板中产生裂纹（S120）。通过将所得结构切割成垂直方向，然后形成样品（S130）。

30. 发明公开

KR1020030068729A 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：用于形成抗反射光吸收层的组合物和使用组合物的半导体器件的图案的形成方法
公开(公告)号：KR1020030068729A
公开(公告)日：2003-08-25
申请号：KR1020020008324
申请日：2002-02-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤상웅 , 정회식 , 류진아 , 김영호
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0382 , G03F7/095
摘要： PURPOSE: A composition for forming anti-reflective light absorbing layer and a method for forming the pattern of a semiconductor device by using the composition are provided, to enable both photoresist layer and anti-reflective layer to be developed after the exposure of the photoresist layer, thereby omitting the removing process of the anti-reflective layer by etching. CONSTITUTION: The composition comprises a polymer having a (meth)acrylate repeating unit; 10-60 wt% of a diazoquinone-based light absorbing group chemically combined with the (meth)acrylate repeating unit; 0.1-1.0 wt% of a photoacid generator; 4-20 wt% of a crosslinking agent which crosslinks the polymer by heat and is de-crosslinked from the crosslinked polymer by an acid; and 0.1-1.0 wt% of a catalyst for promoting the crosslinking of the polymer. Preferably the polymer has the light absorbing repeating unit represented by the formula 4, wherein R1 is H or a methyl group; and D is a light absorbing group; and the light absorbing group is any one represented by the formula 1.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成抗反射光吸收层的组合物和通过使用该组合物形成半导体器件的图案的方法，以使光致抗蚀剂层和抗反射层能够在光致抗蚀剂层曝光之后显影从而省略了通过蚀刻去除抗反射层的过程。构成：组合物包含具有（甲基）丙烯酸酯重复单元的聚合物; 10-60重量％的与（甲基）丙烯酸酯重复单元化学结合的重氮醌基吸光基团; 0.1-1.0重量％的光酸产生剂; 4-20重量％的交联剂，其通过加热交联聚合物并通过酸从交联聚合物脱交; 和0.1-1.0重量％的用于促进聚合物交联的催化剂。优选地，聚合物具有由式4表示的光吸收重复单元，其中R 1是H或甲基; D为光吸收组; 光吸收组为式1表示的任意一种。

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