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21. 发明授权

KR101388781B1 전력 모듈용 방열 시스템 有权
标题翻译：功率模块的散热系统
公开(公告)号：KR101388781B1
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：KR1020120067387
申请日：2012-06-22
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 유도재 , 손영호 , 서범석 , 정인화
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/34 , F28D15/02
CPC分类号： F28F3/12 , F28D2021/0028 , F28F13/06 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H05K7/20927
摘要： 본 발명의 실시예는 전력 모듈용 방열 시스템에 관한 것으로서, 냉각 매체를 제1 방향과 제2 방향으로 각각 유동시키는 제1 냉각매체 유로부와 제2 냉각매체 유로부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明的实施例涉及用于功率模块的散热系统，其特征在于，它包括冷却介质在第一方向和第二方向上，每个流的第一冷却介质流道和用于第二制冷剂流路单元。

22. 发明公开

KR1020140007675A 다단 히트 싱크를 구비한 냉각 시스템 및 그 제어방법 有权
标题翻译：多级散热器，其冷却系统及其控制方法
公开(公告)号：KR1020140007675A
公开(公告)日：2014-01-20
申请号：KR1020120075121
申请日：2012-07-10
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 홍창섭 , 곽영훈 , 손영호
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/34 , G06F1/20
CPC分类号： F28F27/00 , F28F13/12 , H01L23/467 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A multistage heat sink includes at least one step surface in a surface direction to inject cooling air. The step surface is one among a stair-shaped step surface with a plurality of heat sinks with curved parts, a step surface with a plurality of streamlined heat sinks with smooth curved parts, and a step surface with a plurality of heat radiation fins with different height differences. A cooling system including the multistage heat sink increases a heat discharge amount by cooling heat with the multistage heat sink and an air injecting unit. [Reference numerals] (400) Control unit
摘要翻译：多级散热器包括在表面方向上的至少一个台阶表面以喷射冷却空气。台阶表面是具有多个具有弯曲部分的散热器的台阶状台阶表面，具有多个具有光滑弯曲部分的流线型散热器的台面，以及具有多个具有不同的散热片的台阶表面身高差异。包括多级散热器的冷却系统通过与多级散热器和空气喷射单元的冷却来增加散热量。（附图标记）（400）控制单元

23. 发明公开

KR1020140002348A 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装和制造半导体封装的方法
公开(公告)号：KR1020140002348A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020120070786
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김태현 , 조은정 , 임재현 , 채준석 , 손영호
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： Provided is a semiconductor package comprising one or more first power components; one or more second power components which are formed on the upper part of a first power component; a first lead frame which is formed on the lower part of the first power component and is electrically connected to the first power component; a second lead frame which is formed on the upper part of the first power component and the lower part of the second power component, and is connected to the first power component and a second power component; a third lead frame which is formed on the upper part of the second power component and is electrically connected to the second power component; a fourth lead frame which is electrically connected to at least one of the first power component and the second power component; and an encapsulant which exposes a part of the first lead frame to the fourth lead frame and seals the remaining.
摘要翻译：提供了包括一个或多个第一功率部件的半导体封装; 形成在第一功率部件的上部的一个或多个第二功率部件; 第一引线框架，其形成在所述第一功率部件的下部并且电连接到所述第一功率部件; 第二引线框架，其形成在第一功率部件的上部和第二功率部件的下部，并且连接到第一功率部件和第二功率部件; 第三引线框架，其形成在所述第二功率部件的上部并且电连接到所述第二功率部件; 第四引线框架，其电连接到所述第一功率部件和所述第二功率部件中的至少一个; 以及密封剂，其将所述第一引线框架的一部分暴露于所述第四引线框架并密封剩余的引线框架。

24. 发明公开

KR1020140002347A 냉각 장치 无效
标题翻译：冷却装置
公开(公告)号：KR1020140002347A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020120070785
申请日：2012-06-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 오규환 , 채준석 , 손영호 , 곽영훈
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/34
CPC分类号： F28F9/00 , F28D7/0008 , F28F1/02 , F28F1/12 , F28F7/02 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： According to the embodiment of the present invention, provided is a cooling apparatus which includes a body which mounts a power module on the upper or lower side thereof; a first cooling unit which is formed in the longitudinal direction of the body to pass a first fluid and includes an inlet which is formed on one side thereof in the longitudinal direction of the body and receives the first fluid, and an outlet which is formed on the other side thereof and discharges the first fluid; and a second cooling unit which is formed in the first cooling unit to intersect the first cooling unit and through which a second fluid passes.
摘要翻译：根据本发明的实施例，提供一种冷却装置，其包括在其上侧或下侧安装功率模块的主体; 第一冷却单元，其沿主体的纵向方向形成以通过第一流体，并且包括在主体的纵向方向上的一侧形成并容纳第一流体的入口和形成在第一流体上的出口其另一侧并排出第一流体; 以及第二冷却单元，其形成在所述第一冷却单元中以与所述第一冷却单元相交并且第二流体通过所述第二冷却单元。

25. 外观设计

KR3007198130000S 有权
公开(公告)号：KR3007198130000S
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR3020120058592
申请日：2012-12-06
申请人： 삼성전기주식회사
设计人： 임재현 , 이영기 , 김태현 , 양시중 , 김종만 , 오규환 , 손영호

26. 发明授权

KR101255946B1 전력 모듈 패키지 有权
标题翻译：电源模块封装
公开(公告)号：KR101255946B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110093561
申请日：2011-09-16
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이영기 , 손영호 , 김광수 , 임창현
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/48 , H05K3/46
CPC分类号： H01L23/4334 , H01L23/3107 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/4847 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 모듈 패키지는 일면 및 타면을 갖는 제1기판과, 상기 제1기판의 일면 일 측에 접하는 제2기판 및 상기 제1기판의 일면 타 측에 접하는 제1리드프레임을 포함한다. 이때, 상기 제1기판 일면 일 측에 형성된 제1메탈층과, 상기 제1메탈층 상에 형성되어 상기 제2기판 하면과 접하는 제1접합층과, 상기 제1기판 일면 타 측에 형성된 제2메탈층 및 상기 제2메탈층 상에 형성되어 상기 제1리드프레임 하면과 접하는 제2접합층을 더 포함할 수 있다.
摘要翻译：本文公开了一种功率模块封装，包括：具有一个表面和另一个表面的第一基板; 第二基板，其接触所述第一基板的一个表面的一侧; 以及与第一基板的一个表面的另一侧接触的第一引线框架。功率模块封装还包括：形成在第一衬底的一个表面的一侧上的第一金属层; 第一接合层，形成在所述第一金属层上并与所述第二基板的下表面接触; 形成在所述第一基板的一个表面的另一侧上的第二金属层; 以及形成在所述第二金属层上并与所述第一引线框架的下表面接触的第二接合层。

27. 发明公开

KR1020120050836A 풀림방지 결합체 无效
标题翻译：松动防止装配
公开(公告)号：KR1020120050836A
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020100112283
申请日：2010-11-11
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이관호 , 한규범 , 손영호 , 최석문
IPC分类号： F16B39/26 , F16B39/06 , F16B43/00
CPC分类号： F16B39/06 , F16B39/282
摘要： PURPOSE: A loosening prevention assembly is provided to enhance a binding intensity of a fin unit by coupling the fin unit to the whole inner part of an insertion groove because a length of the pin unit is formed to be correspondent to a length of the insertion groove. CONSTITUTION: A loosening prevention assembly comprises a bolt(10), a fastening member(20), and a pin-spring washer(30). The bolt comprises a head portion(12) and a body portion(14). The body portion is perpendicularly joined to the head portion and comprises an insertion groove(14-1) formed in one direction. A hole(22) where the bolt is screw-joined is formed in the fastening member. The pin-spring washer is joined between the bolt and fastening member and comprise a spring washer unit(32), a bent unit(34), and a fin unit(36).
摘要翻译：目的：提供松动防止组件以通过将翅片单元与插入槽的整个内部部分联接来增强翅片单元的结合强度，因为销单元的长度形成为与插入槽的长度相对应。构成：松动防止组件包括螺栓（10），紧固构件（20）和销弹簧垫圈（30）。螺栓包括头部部分（12）和主体部分（14）。主体部分垂直地接合到头部，并且包括沿一个方向形成的插入槽（14-1）。在紧固构件上形成螺栓螺纹连接的孔（22）。销弹簧垫圈连接在螺栓和紧固件之间，并包括弹簧垫圈单元（32），弯曲单元（34）和翅片单元（36）。

28. 发明授权

KR101443969B1 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：印刷电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR101443969B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020120120409
申请日：2012-10-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김진수 , 손영호 , 강정은
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/60 , H05K3/28
CPC分类号： H01L24/32 , H01L2224/27013
摘要： 인쇄회로기판의 제조 방법은 회로 패턴이 형성된 인쇄회로기판 상에 반도체 소자와 전기적으로 연결되는 상기 회로 패턴의 랜드 영역을 형성하는 단계; 상기 랜드 영역을 제외한 영역을 솔더 레지스트(Solder Resist)로 도포하는 단계; 상기 랜드 영역의 사이 및 주변의 상기 솔더 레지스트가 제거되면, 솔더 레지스트 오픈 영역이 형성되고, 상기 랜드 영역으로부터 상기 솔더 레지스트 오픈 영역을 사이에 두고 일정 거리 떨어진 위치에 일정 높이의 솔더 레지스트 댐이 형성되는 단계; 및 상기 솔더 레지스트 댐으로부터 일정 거리 떨어진 위치에 상기 인쇄회로기판을 관통하는 관통홀을 형성하는 단계를 포함한다.

29. 发明授权

KR101434039B1 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体模块及其制造方法
公开(公告)号：KR101434039B1
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020120121229
申请日：2012-10-30
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 손영호 , 서범석 , 박민규 , 이영기
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/25 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/2201 , H01L2224/221 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/2501 , H01L2224/25105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82105 , H01L2924/00014 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 본 발명은 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 구현예에 따른 전력 반도체 모듈은, 리드 프레임, 절연층에 형성된 회로 배선을 구비한 베이스 기판, 상기 회로 배선에 접촉하여 배치된 복수의 전력 반도체 소자들, 및 복수의 기판들을 적층하여 형성되고, 내부에 형성된 도전성의 커넥트 라인을 이용하여 상기 전력 반도체 소자들과 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결시키는 다층 기판을 포함한다.

30. 发明公开

KR1020140055017A 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법 有权
标题翻译：功率半导体模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140055017A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120121229
申请日：2012-10-30
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김광수 , 손영호 , 서범석 , 박민규 , 이영기
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L24/25 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/2201 , H01L2224/221 , H01L2224/2402 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/2501 , H01L2224/25105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82105 , H01L2924/00014 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： The present invention relates to a power semiconductor module and a manufacturing method thereof. A power semiconductor module according to an embodiment of the present invention includes a lead frame, a base substrate which comprises a circuit line formed on an insulating layer, a plurality of power semiconductor devices which touch the circuit line, and a multilayer substrate which is formed by stacking a plurality of substrates and electrically connects the lead frame and the power semiconductor devices by using a conductive connect line formed in an inner part.
摘要翻译：功率半导体模块及其制造方法技术领域本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。根据本发明的实施例的功率半导体模块包括引线框架，基底基板，其包括形成在绝缘层上的电路线，接触电路线的多个功率半导体器件和形成的多层基板通过堆叠多个基板并且通过使用形成在内部中的导电连接线来将引线框架和功率半导体器件电连接。

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