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21. 发明专利

JP2015111653A 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム有权
标题翻译：场效应晶体管，显示元件，图像显示装置和系统
公开(公告)号：JP2015111653A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2014164080
申请日：2014-08-12
申请人：株式会社リコー
发明人：早乙女遼一 , 植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曽根雄司 , 新江定憲
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： G09G3/3696 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/7869 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2310/0278 , H01L27/3244
摘要：【課題】BTS試験に対する閾値電圧の変動量が小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタの提供。【解決手段】基材と、保護層と、前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、前記ゲート絶縁層と接し、前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層と対向するゲート電極とを有し、前記保護層が、Siと、アルカリ土類金属とを含有する第一の複合金属酸化物を含有する第一の保護層と、前記第一の保護層に接して形成され、アルカリ土類金属と、希土類元素とを含有する第二の複合金属酸化物を含有する第二の保護層とを有する電界効果型トランジスタである。【選択図】図3A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种场效应晶体管，该场效应晶体管的阈值电压的波动量小到BTS测试，并且显示出高的可靠性。解决方案：场效应晶体管包括：基材; 保护层; 形成在所述基材和所述保护层之间的栅极绝缘层; 形成为与栅极绝缘层接触的源电极和漏电极; 至少在源电极和漏电极之间形成并与栅绝缘层，源电极和漏电极接触的半导体层; 以及与栅极绝缘层接触的栅电极，并且经由栅极绝缘层与半导体层相对。保护层具有包含含有Si和碱土类金属的第一复合金属氧化物的第一保护层和形成为与第一保护层接触的第二保护层，并且含有含有碱土的第二复合金属氧化物金属和稀土元素。

22. 发明专利

JP2020096179A 絶縁性酸化物膜用スパッタリングターゲット、絶縁性酸化物膜の形成方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020096179A
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2019217191
申请日：2019-11-29
申请人：株式会社リコー
发明人：安部由希子 , 中村有希 , 松本真二 , 曽根雄司 , 植田尚之 , 早乙女遼一 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , C23C14/34 , H01L21/316
摘要：【課題】誘電率が高く優れた絶縁性を持つ絶縁性酸化物膜を形成可能であり、かつ、粉化しにくい絶縁性酸化物膜用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ランタン酸化物と、ベリリウム酸化物、マグネシウム酸化物、カルシウム酸化物、ストロンチウム酸化物及びバリウム酸化物の少なくともいずれかとを含む焼結体からなる絶縁性酸化物膜用スパッタリングターゲットであって、焼結体に含まれる酸素以外の元素の中でランタンのモル比率が最も高い。【選択図】なし

23. 发明专利

JP2020057661A 電界効果型トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示素子、画像表示装置、及びシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2020057661A
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：JP2018185854
申请日：2018-09-28
申请人：株式会社リコー
发明人：安藤友一 , 植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曽根雄司 , 早乙女遼一 , 新江定憲 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/368 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L27/32 , G09F9/30 , H01L29/786
摘要：【課題】画像表示装置の各表示素子に配置されて用いられる、酸化物半導体を活性層に用いた電界効果型トランジスタにおいて、小面積化が可能な電界効果型トランジスタなどの提供。【解決手段】ソース電極又はドレイン電極である第1の電極と、前記第1の電極上に配された、酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層上に配され、前記第1の電極と対となるソース電極又はドレイン電極である第2の電極と、前記活性層の側面に配されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の前記活性層側と反対側に配されたゲート電極と、を有し、前記活性層の厚みが、1μm以上であり、かつ前記活性層が、空隙を有さず、かつ上面の中央部に凹部を有さない電界効果型トランジスタである。【選択図】図1

24. 发明专利

JP6665536B2 酸化物半導体有权
公开(公告)号：JP6665536B2
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：JP2016003739
申请日：2016-01-12
申请人：株式会社リコー
发明人：植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曽根雄司 , 早乙女遼一 , 新江定憲 , 草柳嶺秀
IPC分类号： C01B13/32 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , C01G3/00 , C01G9/00 , C01G15/00 , H01L21/368 , H01L51/50 , H01L29/24 , H01L29/786

26. 发明专利

JP6607309B2 電界効果型トランジスタの製造方法有权
公开(公告)号：JP6607309B2
公开(公告)日：2019-11-20
申请号：JP2018505964
申请日：2017-03-14
申请人：株式会社リコー
发明人：松本真二 , 植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 曽根雄司 , 早乙女遼一 , 新江定憲 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/368 , H01L21/316 , H01L21/336

27. 发明专利

JP2019179862A 電界効果型トランジスタの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019179862A
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2018068636
申请日：2018-03-30
申请人：株式会社リコー
发明人：新江定憲 , 安藤友一 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曽根雄司 , 植田尚之 , 早乙女遼一 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要：【課題】酸化物層を時間効率良く形成することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】基板に備えられた、酸化物層を有する電界効果型トランジスタを、複数の基板に対して製造する、電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記酸化物層を形成する酸化物層形成工程を含み、前記酸化物層形成工程が、 1単位である所定数の基板に対して、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布して形成された未乾燥膜を第1の時間で乾燥させて乾燥膜を形成することを行う乾燥処理と、前記1単位が複数集まった複数単位の基板に対して、一度に、前記乾燥膜を前記第1の時間よりも長い第2の時間で加熱する加熱処理と、前記乾燥処理を経た基板を前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達するまで一時的に保管する一時保管処理と、を含む。【選択図】図1B

28. 发明专利

JP2019165082A 表示素子及びその製造方法、表示装置、システム审中-公开
公开(公告)号：JP2019165082A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018051315
申请日：2018-03-19
申请人：株式会社リコー
发明人：安藤友一 , 植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曽根雄司 , 早乙女遼一 , 新江定憲 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H01L27/32 , H05B33/10 , G09F9/30 , H01L21/336
摘要：【課題】簡易な構造により、寄生容量を低減しつつ蓄積容量を確保することが可能な表示素子を提供すること。【解決手段】本表示素子は、光制御素子の光出力を制御する電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタの状態を保持する蓄積容量と、を有する表示素子であって、前記電界効果型トランジスタのゲート電極と接続された走査線と、前記ゲート電極及び前記走査線を被覆する第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に平面視で前記走査線と交差するように配置された、前記電界効果型トランジスタのソース電極と接続されたデータ線と、第1電極と、第2層間絶縁膜を介して前記第1電極と対向配置された第2電極と、を備え、前記第2電極が前記電界効果型トランジスタのドレイン電極と接続された蓄積容量と、を有し、前記第1層間絶縁膜の膜厚は、前記第2層間絶縁膜の膜厚よりも厚い。【選択図】図8

29. 发明专利

JP2019165053A 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、システム、及び製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019165053A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018050608
申请日：2018-03-19
申请人：株式会社リコー
发明人：松本真二 , 植田尚之 , 安藤友一 , 中村有希 , 安部由希子 , 曽根雄司 , 早乙女遼一 , 新江定憲 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H01L27/32 , H01L21/336
摘要：【課題】ソース・ドレイン電極とゲート電極の重畳部の寄生容量を低減し、性能に優れた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体からなる活性層と、前記ゲート電極と前記活性層との間に設けられたゲート絶縁膜と、を備え、前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極は第1重畳部を有し、前記活性層のチャネル領域と前記ゲート電極は第2重畳部を有し、前記第1重畳部の前記ゲート絶縁膜の膜厚T1と、前記第2重畳部の前記ゲート絶縁膜の膜厚T2について、T1>T2であることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図1

30. 发明专利

JP6579215B2 p型酸化物製造用組成物、及びp型酸化物の製造方法有权
公开(公告)号：JP6579215B2
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：JP2018074467
申请日：2018-04-09
申请人：株式会社リコー
发明人：安部由希子 , 植田尚之 , 中村有希 , 松本真二 , 曽根雄司 , ▲高▼田美樹子 , 早乙女遼一
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L21/368 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H01L27/32 , H05B33/14 , C01G3/00 , H01L29/786 , H01L29/24

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