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21. 发明专利

TW201319755A 具有縮合系聚合物之ＥＵＶ微影用光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：具有缩合系聚合物之ＥＵＶ微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201319755A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101127984
申请日：2012-08-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 大西龍慈 , OHNISHI, RYUJI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08G73/06 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086
摘要：本發明係提供降低受到可用於使用EUV微影之裝置製作步驟之EUV的不良影響，得到良好光阻圖型之有用的EUV微影用光阻下層膜組成物、及使用該EUV微影用光阻下層膜組成物的光阻圖型形成法。本發明係含有具有以下式(1)： (式中，A1、A2、A3、A4、A5、及A6係分別表示氫原子、甲基或乙基，X1係表示式(2)、式(3)、式(4)、或式(0)：，Q係表示式(5)或式(6)： )表示之重複單位結構的聚合物、及溶劑的EUV微影用光阻下層膜形成組成物。本發明係含有具有以式(1)表示之重複單位結構的聚合物、交聯性化合物及溶劑的EUV微影用光阻下層膜形成組成物。
简体摘要：本发明系提供降低受到可用于使用EUV微影之设备制作步骤之EUV的不良影响，得到良好光阻图型之有用的EUV微影用光阻下层膜组成物、及使用该EUV微影用光阻下层膜组成物的光阻图型形成法。本发明系含有具有以下式(1)： (式中，A1、A2、A3、A4、A5、及A6系分别表示氢原子、甲基或乙基，X1系表达式(2)、式(3)、式(4)、或式(0)：，Q系表达式(5)或式(6)： )表示之重复单位结构的聚合物、及溶剂的EUV微影用光阻下层膜形成组成物。本发明系含有具有以式(1)表示之重复单位结构的聚合物、交联性化合物及溶剂的EUV微影用光阻下层膜形成组成物。

22. 发明专利

TW201308018A 含有含雙酚Ｓ聚合物之阻劑底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有含双酚Ｓ聚合物之阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201308018A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101117412
申请日：2012-05-16
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 阪本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091
摘要：〔課題〕提供使阻劑底層膜加熱硬化時，形成來自阻劑底層膜中之昇華物量為少的阻劑底層膜用之阻劑底層膜形成組成物。〔解決手段〕含有含式(1)： (式(1)中，X1及X2各自表示-CHR1OH基，或-CHR1-鍵結、-CHR1O-鍵結或者-CHR1OCHR1-鍵結，R1各自為氫原子、碳數1~10的烷基、或碳數6~30的芳基，n1及n2各自為0~3之整數)所表示的單元構造之聚合物的微影術用阻劑底層膜形成組成物。包含在半導體基板上形成阻劑底層膜之步驟、在前述阻劑底層膜上形成光阻層之步驟、使以前述阻劑底層膜與前述光阻層被覆的半導體基板進行曝光或電子線照射之步驟、在曝光或電子線照射後將光阻層顯影之步驟的光阻圖型的形成方法。
简体摘要：〔课题〕提供使阻剂底层膜加热硬化时，形成来自阻剂底层膜中之升华物量为少的阻剂底层膜用之阻剂底层膜形成组成物。〔解决手段〕含有含式(1)： (式(1)中，X1及X2各自表示-CHR1OH基，或-CHR1-键结、-CHR1O-键结或者-CHR1OCHR1-键结，R1各自为氢原子、碳数1~10的烷基、或碳数6~30的芳基，n1及n2各自为0~3之整数)所表示的单元构造之聚合物的微影术用阻剂底层膜形成组成物。包含在半导体基板上形成阻剂底层膜之步骤、在前述阻剂底层膜上形成光阻层之步骤、使以前述阻剂底层膜与前述光阻层被覆的半导体基板进行曝光或电子线照射之步骤、在曝光或电子线照射后将光阻层显影之步骤的光阻图型的形成方法。

23. 发明专利

TWI665223B 光阻上層膜形成組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光阻上层膜形成组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI665223B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW104106052
申请日：2015-02-25
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08F220/06 , G03F7/11 , H01L21/027

24. 发明专利

TWI587095B 高密著性阻劑下層膜形成用組成物有权
简体标题：高密着性阻剂下层膜形成用组成物
公开(公告)号：TWI587095B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102108059
申请日：2013-03-07
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/092 , C08G63/6856 , C08G63/91 , C08G65/40 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31144

25. 发明专利

TWI575323B 感光性光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：感光性光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI575323B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW099143743
申请日：2010-12-14
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：堀口有亮 , HORIGUCHI, YUSUKE , 梅崎真紀子 , UMEZAKI, MAKIKO , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 岸岡高廣 , KISHIOKA, TAKAHIRO , 濱田貴廣 , HAMADA, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/56 , C08F220/18 , C08F212/14 , C08K5/07 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F220/56 , G03F7/038 , G03F7/30 , G03F7/322 , C08F2220/1858 , C08F220/58 , C08F2220/1891 , C08F2220/1833 , C08F2220/585

26. 发明专利

TWI570515B 具有縮合系聚合物之ＥＵＶ微影用光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：具有缩合系聚合物之ＥＵＶ微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI570515B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101127984
申请日：2012-08-03
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 大西龍慈 , OHNISHI, RYUJI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08G73/06 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086

27. 发明专利

TW201621462A 光阻上層膜形成組成物及使用此之半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：光阻上层膜形成组成物及使用此之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201621462A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104123889
申请日：2015-07-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/30 , C09D125/16 , C09D125/18 , C09D161/06 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/31111
摘要：本發明為一種EUV或電子線用光阻上層膜形成組成物，其係包含(a)聚合物(P)與(b)溶劑，且該溶劑係包含相對於該溶劑全體為1質量%~13質量%之碳原子數4~12之酮化合物；該EUV或電子線光阻上層膜形成組成物係為不會與光阻互混，尤其在EUV曝光時，遮蔽不佳之曝光光線，例如遮蔽UV或DUV而選擇性地僅使EUV穿透，且於曝光後能以顯像液進行顯像可能之使用於半導體裝置之製造步驟中之微影製程者。
简体摘要：本发明为一种EUV或电子线用光阻上层膜形成组成物，其系包含(a)聚合物(P)与(b)溶剂，且该溶剂系包含相对于该溶剂全体为1质量%~13质量%之碳原子数4~12之酮化合物；该EUV或电子线光阻上层膜形成组成物系为不会与光阻互混，尤其在EUV曝光时，屏蔽不佳之曝光光线，例如屏蔽UV或DUV而选择性地仅使EUV穿透，且于曝光后能以显像液进行显像可能之使用于半导体设备之制造步骤中之微影制程者。

28. 发明专利

TWI506376B 光阻下層膜形成組成物及使用其之光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻下层膜形成组成物及使用其之光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI506376B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100142037
申请日：2011-11-17
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 大西龍慈 , OHNISHI, RYUJI , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08L81/06 , C08L65/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/00 , C08L67/04 , G03F7/11

29. 发明专利

TWI481970B 塗敷組成物及圖型之形成方法有权
简体标题：涂敷组成物及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI481970B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW098125071
申请日：2009-07-24
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：丸山大輔 , MARUYAMA, DAISUKE , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANG CHING , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI
IPC分类号： G03F7/40 , C09D183/04 , C09D7/12 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02282 , C08G77/04 , C08G77/60 , C08L83/04 , G03F7/405 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/0337 , H01L21/3121 , H01L21/3122

30. 发明专利

TWI465854B 具有含芳香族縮合環之樹脂的微影用光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：具有含芳香族缩合环之树脂的微影用光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI465854B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW098112842
申请日：2009-04-17
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤谷德昌 , FUJITANI, NORIAKI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/22 , C08F12/32 , C08F226/12 , C08F232/08 , C09D125/14 , G03F7/11 , C08F212/32 , C08F2220/281 , C08F220/14 , C08F2220/282

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