专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TW201105820A 用於乾式清潔冷卻噴頭之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD 审中-公开
简体标题：用于干式清洁冷却喷头之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD
公开(公告)号：TW201105820A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW099125955
申请日：2010-08-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：葛瑞芬凱文 , 克瑞勞可歐嘉 , 蘇杰
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/45572
摘要：本發明大體上提供一種用於清潔沉積腔室(諸如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD))之噴頭之設備及方法。在一實施例中,在不將腔室暴露至腔室外的大氣的情況下清潔噴頭(即原位清潔)。在一實施例中,通過與噴頭流體連通的冷卻系統之液體冷卻劑流受到重新導引,以繞過(bypass)噴頭,而液體冷卻劑由噴頭汲引。在一實施例中,任何殘餘的冷卻劑是從噴頭透過加壓氣體源而沖流。在一實施例中,噴頭隨後受熱至適當的清潔溫度。在一實施例中來自冷卻系統的液體冷卻劑流隨後受重新導引至噴頭,而系統受調整以供繼續處理。因此,整個噴頭清潔製程是在對通過冷卻系統的冷卻劑流之最小改變的情況下執行。
简体摘要：本发明大体上提供一种用于清洁沉积腔室(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD))之喷头之设备及方法。在一实施例中,在不将腔室暴露至腔室外的大气的情况下清洁喷头(即原位清洁)。在一实施例中,通过与喷头流体连通的冷却系统之液体冷却剂流受到重新导引,以绕过(bypass)喷头,而液体冷却剂由喷头汲引。在一实施例中,任何残余的冷却剂是从喷头透过加压气体源而冲流。在一实施例中,喷头随后受热至适当的清洁温度。在一实施例中来自冷却系统的液体冷却剂流随后受重新导引至喷头,而系统受调整以供继续处理。因此,整个喷头清洁制程是在对通过冷却系统的冷却剂流之最小改变的情况下运行。

22. 发明专利

TW201243915A 利用原位產生之聯氨或其片段以ＭＯＣＶＤ製造ＩＩＩ族氮化物材料之方法 MOCVD FABRICATION OF GROUP III-NITRIDE MATERIALS USING IN-SITU GENERATED HYDRAZINE OR FRAGMENTS THERE FROM 审中-公开
简体标题：利用原位产生之联氨或其片段以ＭＯＣＶＤ制造ＩＩＩ族氮化物材料之方法 MOCVD FABRICATION OF GROUP III-NITRIDE MATERIALS USING IN-SITU GENERATED HYDRAZINE OR FRAGMENTS THERE FROM
公开(公告)号：TW201243915A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101107910
申请日：2012-03-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：布朗卡爾 , 葛瑞芬凱文 , 布爾大衛 , 克瑞勞可歐嘉
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/0237 , C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/452 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本文中描述利用原位產生之聯氨或其片段以有機金屬化學汽相沉積(MOCVD)製造III族氮化物材料的方法。例如,用來製造III族氮化物材料的方法包含在原位(in-situ)製程中形成聯氨。聯氨或其片段會在MOCVD腔室中,與III族前驅物發生反應。由前述的反應,會形成III族氮化物層於基板上。
简体摘要：本文中描述利用原位产生之联氨或其片段以有机金属化学汽相沉积(MOCVD)制造III族氮化物材料的方法。例如,用来制造III族氮化物材料的方法包含在原位(in-situ)制程中形成联氨。联氨或其片段会在MOCVD腔室中,与III族前驱物发生反应。由前述的反应,会形成III族氮化物层于基板上。

23. 发明专利

TW201237942A Ｐ型ＩＩＩ族氮化物材料的電漿輔助ＭＯＣＶＤ製造 PLASMA-ASSISTED MOCVD FABRICATION OF P-TYPE GROUP III-NITRIDE MATERIALS 审中-公开
简体标题：Ｐ型ＩＩＩ族氮化物材料的等离子辅助ＭＯＣＶＤ制造 PLASMA-ASSISTED MOCVD FABRICATION OF P-TYPE GROUP III-NITRIDE MATERIALS
公开(公告)号：TW201237942A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW101107915
申请日：2012-03-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：布朗卡爾 , 葛瑞芬凱文 , 布爾大衛 , 克瑞勞可歐嘉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/303 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L33/007
摘要：茲描述p型III族氮化物材料的電漿輔助金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製造。例如,製造p型III族氮化物材料的方法包括產生氮基電漿。在金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)腔室中,使出自氮基電漿的含氮物種與III族前驅物和p型摻質前驅物反應。包括p型摻質的III族氮化物層接著形成在基板上。
简体摘要：兹描述p型III族氮化物材料的等离子辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)制造。例如,制造p型III族氮化物材料的方法包括产生氮基等离子。在金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室中,使出自氮基等离子的含氮物种与III族前驱物和p型掺质前驱物反应。包括p型掺质的III族氮化物层接着形成在基板上。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式