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21. 发明专利

TWI391998B 頂板及利用此頂板之電漿處理裝置失效
简体标题：顶板及利用此顶板之等离子处理设备
公开(公告)号：TWI391998B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW097132658
申请日：2008-08-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 大見忠弘 , OHMI, TEDAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 桶作正廣 , OKESAKU, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/511
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T83/0481

22. 发明专利

TWI507568B 電子裝置製造用A1合金元件、電子裝置製造裝置以及具有陽極氧化膜之電子裝置製造用A1合金元件的製造方法有权
简体标题：电子设备制造用A1合金组件、电子设备制造设备以及具有阳极氧化膜之电子设备制造用A1合金组件的制造方法
公开(公告)号：TWI507568B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW098125495
申请日：2009-07-29
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 北野真史 , KITANO, MASAFUMI , 田原稔 , TAHARA, MINORU , 伊藤久和 , ITO, HISAKAZU , 白井孝太 , SHIRAI, KOTA , 佐伯雅之 , SAEKI, MASAYUKI
IPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00
CPC分类号： C25D11/04 , C22C21/00 , H05K1/053 , H05K2203/0315 , Y10T428/12

23. 发明专利

TWI459558B 電晶體及半導體裝置有权
简体标题：晶体管及半导体设备
公开(公告)号：TWI459558B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW096125521
申请日：2007-07-13
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 黑田理人 , KURODA, RIHITO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/085 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/28202 , H01L29/518 , H01L29/78654 , H01L29/78696

24. 发明专利

TWI453914B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI453914B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW096123244
申请日：2007-06-27
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 程煒濤 , CHENG, WEITAO
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/092 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L29/78603 , H01L29/78648

25. 发明专利

TWI411360B 淋浴板及其製造方法、以及使用該淋浴板的電漿處理裝置、電漿處理方法及電子裝置的製造方法有权
简体标题：淋浴板及其制造方法、以及使用该淋浴板的等离子处理设备、等离子处理方法及电子设备的制造方法
公开(公告)号：TWI411360B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW096126207
申请日：2007-07-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：桶作正廣 , OKESAKU, MASAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 大見忠弘 , OMI, TADAHIRO , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244

27. 发明专利

TWI391508B 迴轉式磁控濺鍍裝置有权
简体标题：掉头式磁控溅镀设备
公开(公告)号：TWI391508B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW097111690
申请日：2008-03-31
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J37/347

28. 发明专利

TWI334913B 樹脂管件及管件材料 RESIN PIPE AND PIPE MATERIAL 失效
简体标题：树脂管件及管件材料 RESIN PIPE AND PIPE MATERIAL
公开(公告)号：TWI334913B
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：TW096110735
申请日：2007-03-28
申请人：國立大學法人東北大學 , 霓佳斯股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 岩原健吾 , 深江康治
IPC分类号： F16L , B32B
CPC分类号： B32B1/08 , B29K2027/12 , B29K2995/0067 , B29L2023/005 , B32B27/08 , B32B27/304 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B2307/7244 , B32B2597/00 , C08L27/16 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C08L2666/04
摘要：於一樹脂管件中，為聚偏二氟乙烯(PVDF，polyvinylidene fluoride)可藉由添加全氟單體至其中加以軟化，以致於能夠明顯地降低氧滲透度，也能夠藉由設置一作為外層之尼龍管以降低該氧滲透度。
简体摘要：于一树脂管件中，为聚偏二氟乙烯(PVDF，polyvinylidene fluoride)可借由添加全氟单体至其中加以软化，以致于能够明显地降低氧渗透度，也能够借由设置一作为外层之尼龙管以降低该氧渗透度。

29. 发明专利

TW200409831A 具有多成分之玻璃基板用的微細加工表面處理方法审中-公开
简体标题：具有多成分之玻璃基板用的微细加工表面处理方法
公开(公告)号：TW200409831A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW093102745
申请日：2002-08-23
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C03C15/00
摘要：提供可使具有多成分之例如液晶與有機EL等的平面顯示器用之玻璃基板本身不析出結晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板之微細加工表面處理方法。其特徵在於：在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時，含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。係在含有氟化氫酸以及氟化銨之同時，含有至少一種比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸之藥劑，該比氟化氫酸之酸解離常數還大之酸的含有量為x，蝕刻玻璃基板之液溫中該藥水之對熱矽氧化膜之蝕刻速率為f(x)〔／min〕時，該藥水，在x＝x1時有極大值f(x1)，在x＝x2(但是，x1＜x2)時有極小值f(x2)，其特徵在於：在x＞x1的範圍中，含有比該氟化氫酸之酸解離常數還大之酸。
简体摘要：提供可使具有多成分之例如液晶与有机EL等的平面显示器用之玻璃基板本身不析出结晶以及不使表面粗糙而加工之具有多成分之基板之微细加工表面处理方法。其特征在于：在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时，含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。系在含有氟化氢酸以及氟化铵之同时，含有至少一种比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸之药剂，该比氟化氢酸之酸解离常数还大之酸的含有量为x，蚀刻玻璃基板之液温中该药水之对热硅氧化膜之蚀刻速率为f(x)〔／min〕时，该药水，在x＝x1时有极大值f(x1)，在x＝x2(但是，x1＜x2)时有极小值f(x2)，其特征在于：在x＞x1的范围中，含有比该氟化氢酸之酸解离常数还大之酸。

30. 发明专利

TW541356B 微細加工表面處理劑及表面處理方法失效
简体标题：微细加工表面处理剂及表面处理方法
公开(公告)号：TW541356B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW088102968
申请日：1999-02-26
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司
发明人：菊山裕久 , 宮下雅之 , 藪根辰弘 , 大見忠弘
IPC分类号： C23F
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31111 , H01L21/76814
摘要：本發明的目的在於提供一種微細加工表面處理劑以及表面處理方法，可去除形成於接觸孔底部的自然氧化膜，並且抑制孔洞的直徑擴大。
其特徵在於包括：小於0.1重量%的氫氟酸，以及47重量%以下，且40重量%以上的氟化銨。再者，包含0.001~1重量%的界面活性劑。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种微细加工表面处理剂以及表面处理方法，可去除形成于接触孔底部的自然氧化膜，并且抑制孔洞的直径扩大。其特征在于包括：小于0.1重量%的氢氟酸，以及47重量%以下，且40重量%以上的氟化铵。再者，包含0.001~1重量%的界面活性剂。

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