专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP6795803B2 センサ素子、測定装置、センサ素子の製造方法、電子回路素子、および量子情報素子有权
公开(公告)号：JP6795803B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2018037624
申请日：2018-03-02
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：水落憲和 , 加藤宙光 , 牧野俊晴 , 山崎聡
IPC分类号： C30B29/04 , G01N24/00 , H01L29/82 , G01R33/02

22. 发明专利

JP2019152524A センサ素子、測定装置、センサ素子の製造方法、電子回路素子、および量子情報素子审中-公开
公开(公告)号：JP2019152524A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018037624
申请日：2018-03-02
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：水落憲和 , 加藤宙光 , 牧野俊晴 , 山崎聡
IPC分类号： C30B29/04 , G01N24/00 , H01L29/82 , G01R33/02
摘要：【課題】ダイヤモンド結晶構造中の炭素−空孔中心が負電荷の状態に安定するダイヤモンドを有するセンサ素子を提供する。【解決手段】センサ素子が有するダイヤモンドを、n型にリンドープされており、かつ窒素−空孔中心を結晶構造中に含んでいるダイヤモンドとすることにより、ダイヤモンド格子中の炭素−空孔中心が中性状態になる確率が減少し、窒素−空孔中心が負電荷の状態に安定する。【選択図】図1

23. 发明专利

JP6124373B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6124373B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/812

25. 发明专利

JP6236609B2 光子出力装置、及び光子出力方法有权
公开(公告)号：JP6236609B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013526825
申请日：2012-07-24
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：水落憲和 , 山崎聡 , 牧野俊晴 , 加藤宙光 , 竹内大輔 , 小倉政彦
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , H01L33/34
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/0054 , H01L33/58

26. 发明专利

JP6179959B2 白色発光素子有权
公开(公告)号：JP6179959B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2015505615
申请日：2014-03-17
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：牧野俊晴 , 山崎聡 , 大串秀世 , 小倉政彦 , 加藤宙光 , 竹内大輔
IPC分类号： H01L33/34 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/343 , H01L33/34 , H01L33/50 , H01L33/508

27. 发明专利

JP2016103651A ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：金刚石半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016103651A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015253889
申请日：2015-12-25
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 竹内大輔 , 山崎聡 , 波多野睦子 , 岩崎孝之
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L27/098 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/337
摘要：【課題】デバイス設計の自由度を大幅に高めるとともに、効率的に製造可能なダイヤモンド半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド基板1と、ダイヤモンド基板1の{001}の結晶面を有する基板面上に略垂直に隆起して配されるダイヤモンド段差部と、n型のリンドープダイヤモンド領域5a、5bと、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bと、を有す。ダイヤモンド段差部は、側面が{110}の結晶面を有する第1段差部3と、側面が{100}の結晶面を有する第2段差部4a、4bとが一体に形成され、リンドープダイヤモンド領域5a,5bは、第1段差部3の段差形状の底角を起点に第1段差部3の側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成され、ダイヤモンド絶縁領域6a、6bは、第2段差部4a、4bの側面及びダイヤモンド基板1の基板面を成長基面として結晶成長させて形成される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够显着提高器件设计自由度和有效制造的金刚石半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：一种金刚石半导体器件，包括：金刚石衬底1 ; 在金刚石基板1的具有{001}晶面的基板表面上基本上垂直地突出并布置的金刚石阶梯部分; n型磷掺杂金刚石区域5a和5b; 和金刚石绝缘区域6a和6b。在金刚石阶梯部分中，其一侧具有{110}晶面的第一台阶部分3和其侧面具有{100}晶面的第二台阶部分4a和4b一体形成。掺杂荧光体的金刚石区域5a和5b通过使用第一台阶部分3的阶梯状底角作为起始点并使用第一台阶部分3的侧面和钻石的基板表面进行晶体生长而形成底物1作为生长基底表面。金刚石绝缘区域6a和6b通过使用第二台阶部分4a和4b的侧面和金刚石基板1的基板表面作为生长基底表面进行晶体生长而形成。图3

28. 发明专利

JP5846458B2 ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：金刚石半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5846458B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2014183208
申请日：2014-09-09
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：加藤宙光 , 牧野俊晴 , 小倉政彦 , 大串秀世 , 山崎聡
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L33/34 , C23C16/27 , H01L33/16
CPC分类号： H01L21/02527 , H01L21/02376 , H01L21/02433 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/045 , H01L33/34

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式