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21. 发明专利

TWI682285B 用於索引鍵值結構樹資料庫的產品、方法及機器可讀媒體有权
简体标题：用于索引键值结构树数据库的产品、方法及机器可读媒体
公开(公告)号：TWI682285B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW107128396
申请日：2018-08-15
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：包爾大衛 , BOLES, DAVID , 格夫斯約翰 M , GROVES, JOHN M. , 莫爾史蒂芬 , MOYER, STEVEN , 湯林森亞歷山大 , TOMLINSON, ALEXANDER
IPC分类号： G06F16/00

22. 发明专利

TWI681546B 反及記憶體陣列，包括半導體通道材料及氮的裝置及形成反及記憶體陣列的方法有权
简体标题：反及内存数组，包括半导体信道材料及氮的设备及形成反及内存数组的方法
公开(公告)号：TWI681546B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107122930
申请日：2018-07-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡森克里斯 M , CARLSON, CHRIS M. , 劉鴻威 , LIU, HUNG-WEI , 李傑 , LI, JIE , 帕夫洛普洛斯迪米崔歐斯 , PAVLOPOULOS, DIMITRIOS
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11543 , H01L21/20

23. 发明专利

TWI681525B 具有一控制器及一記憶體堆疊之彈性記憶體系統有权
简体标题：具有一控制器及一内存堆栈之弹性内存系统
公开(公告)号：TWI681525B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW103109311
申请日：2014-03-14
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：傑德羅喬瑟夫M , JEDDELOH, JOE M. , 基斯布蘭特 , KEETH, BRENT
IPC分类号： H01L23/50 , H01L21/8239 , G11C5/02

24. 发明专利

TWI681397B 多層自選擇記憶體裝置及其操作方法有权
简体标题：多层自选择内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI681397B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107141584
申请日：2018-11-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瑞達里安德利亞 , REDAELLI, ANDREA , 托托里伊諾珊卓 , TORTORELLI, INNOCENZO , 波羅瓦諾奧格斯提諾 , PIROVANO, AGOSTINO , 佩里茲法比歐 , PELLIZZER, FABIO
IPC分类号： G11C16/26

25. 发明专利

TWI680552B 具有貫穿基板通路核心的三維互連多晶粒電感器有权
简体标题：具有贯穿基板通路内核的三维互连多晶粒电感器
公开(公告)号：TWI680552B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW107113942
申请日：2018-04-25
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：克比凱爾 K , KIRBY, KYLE K.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522

26. 发明专利

TWI680543B 具有底部填充控制腔之半導體裝置總成有权
简体标题：具有底部填充控制腔之半导体设备总成
公开(公告)号：TWI680543B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW105106361
申请日：2016-03-02
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：查杜魯安尼庫瑪 , CHANDOLU, ANILKUMAR , 黃韋恩H , HUANG, WAYNE H. , 維哈卡沙彌爾S , VADHAVKAR, SAMEER S.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56

27. 发明专利

TW201947652A 用於處理一半導體裝置結構之工具及系統，及相關方法审中-公开
简体标题：用于处理一半导体设备结构之工具及系统，及相关方法
公开(公告)号：TW201947652A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108115334
申请日：2019-05-03
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：克東斯基麥寇 E , KOLTONSKI, MICHAEL E.
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本發明揭示一種用於製造一半導體裝置結構之系統，其包含一工具，該工具包括一室及該室內之一平台，該平台經組態以在其上接收一半導體裝置結構。該工具進一步包含與該平台可操作連通且經組態以控制該平台之一溫度之一加熱及冷卻系統。該加熱及冷卻系統包括：一冷卻系統，其包含用於容納一冷傳熱流體之一冷槽，該冷槽經組態以與該平台、傳熱流體供應管線及傳熱流體回流管線流體連通；一加熱系統，其包含用於容納具有比該冷傳熱流體高之一溫度之一熱傳熱流體之一熱槽，該熱槽經組態以與該平台、該傳熱流體供應管線及該傳熱流體回流管線流體連通；及至少一暫時儲存槽，其經組態以在將來自該平台之一熱負載自該冷卻系統或該加熱系統之一者切換至該冷卻系統或該加熱系統之另一者之後自至少該傳熱流體回流管線接收至少一些該冷傳熱流體或該熱傳熱流體。本發明亦揭示相關方法及工具。
简体摘要：本发明揭示一种用于制造一半导体设备结构之系统，其包含一工具，该工具包括一室及该室内之一平台，该平台经组态以在其上接收一半导体设备结构。该工具进一步包含与该平台可操作连通且经组态以控制该平台之一温度之一加热及冷却系统。该加热及冷却系统包括：一冷却系统，其包含用于容纳一冷传热流体之一冷槽，该冷槽经组态以与该平台、传热流体供应管线及传热流体回流管线流体连通；一加热系统，其包含用于容纳具有比该冷传热流体高之一温度之一热传热流体之一热槽，该热槽经组态以与该平台、该传热流体供应管线及该传热流体回流管线流体连通；及至少一暂时存储槽，其经组态以在将来自该平台之一热负载自该冷却系统或该加热系统之一者切换至该冷却系统或该加热系统之另一者之后自至少该传热流体回流管线接收至少一些该冷传热流体或该热传热流体。本发明亦揭示相关方法及工具。

28. 发明专利

TWI679639B 自我選擇記憶體中之程式化加強有权
简体标题：自我选择内存中之进程化加强
公开(公告)号：TWI679639B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107114369
申请日：2018-04-27
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：瑞達里安德利亞 , REDAELLI, ANDREA , 波羅瓦諾奧格斯提諾 , PIROVANO, AGOSTINO , 托托里伊諾珊卓 , TORTORELLI, INNOCENZO , 佩里茲法比歐 , PELLIZZER, FABIO
IPC分类号： G11C13/00

29. 发明专利

TWI677087B 三維記憶體裝置及其使用方法有权
简体标题：三维内存设备及其使用方法
公开(公告)号：TWI677087B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105135964
申请日：2016-11-04
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：佩里茲法比歐 , PELLIZZER, FABIO
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/8239

30. 发明专利

TWI675370B 陣列資料位元反轉有权
简体标题：数组数据比特反转
公开(公告)号：TWI675370B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107127765
申请日：2017-06-21
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：依葛爾斯查理斯 L , INGALLS,CHARLES L. , 德納爾史考特 J , DERNER,SCOTT J.
IPC分类号： G11C11/22

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