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21. 发明专利

TW200729401A 晶片結構及其製作方法 CHIP STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：芯片结构及其制作方法 CHIP STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200729401A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095135704
申请日：2005-09-23
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 MOU-SHIUNG LIN , 周健康 CHIEN-KANG CHOU , 羅心榮 HSIN-JUNG LO
IPC分类号： H01L
摘要：本發明針對高性能積體電路提供一後護層(post-passivation)之頂層金屬結構。積體電路包括半導體基底、一薄膜金屬結構、一保護層及一頂層金屬結構。半導體元件係形成在半導體基底內,薄膜金屬結構包括細金屬內連線連接到半導體元件上,且有一保護層形成於其上。保護層內之開孔可以暴露出細金屬內連線之連接墊。頂層金屬結構形成於保護層上,且連接到細金屬內連線,此頂層金屬結構包括頂層金屬線路,其厚度及寬度遠大於保護層下之細金屬內連線。藉由頂層金屬結構可以使保護層下之薄膜金屬結構的多個部份連接。保護層上的頂層金屬結構之電阻電容乘積値比如係遠小於保護層下之薄膜金屬結構之電阻電容乘積値。
简体摘要：本发明针对高性能集成电路提供一后护层(post-passivation)之顶层金属结构。集成电路包括半导体基底、一薄膜金属结构、一保护层及一顶层金属结构。半导体组件系形成在半导体基底内,薄膜金属结构包括细金属内连接连接到半导体组件上,且有一保护层形成于其上。保护层内之开孔可以暴露出细金属内连接之连接垫。顶层金属结构形成于保护层上,且连接到细金属内连接,此顶层金属结构包括顶层金属线路,其厚度及宽度远大于保护层下之细金属内连接。借由顶层金属结构可以使保护层下之薄膜金属结构的多个部份连接。保护层上的顶层金属结构之电阻电容乘积値比如系远小于保护层下之薄膜金属结构之电阻电容乘积値。

22. 发明专利

TW200723360A 線路元件之製程及其結構 CHIP STRUCTURE AND PROCESS FOR FORMING THE SAME 失效
简体标题：线路组件之制程及其结构 CHIP STRUCTURE AND PROCESS FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200723360A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095118566
申请日：2006-05-25
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 MOU-SHIUNG LIN , 周秋明 CHIU-MING CHOU , 周健康 CHIEN-KANG CHOU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L23/5227 , H01L23/5286 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/13022 , H01L2224/48463 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種線路元件之製程及其結構,在一半導體晶片上設置一層細連線結構及一層(或多層)之圖案化金屬層,此圖案化金屬層藉由選擇性電鍍技術形成在細連線結構上,此線路元件結構係應用在長距離線路、時脈、驅動單元及接地滙流排上,也可應用在高品質係數(Q値)的誘導器(inductors)及分流線路(bypass lines),而此種細連線結構結合多層圖案化金屬層不僅是大幅增加半導體晶片的速度,也大幅降低低電源IC元件之IC金屬連接線路之阻抗及荷載。
简体摘要：本发明提供一种线路组件之制程及其结构,在一半导体芯片上设置一层细连接结构及一层(或多层)之图案化金属层,此图案化金属层借由选择性电镀技术形成在细连接结构上,此线路组件结构系应用在长距脱机路、时脉、驱动单元及接地汇流排上,也可应用在高品质系数(Q値)的诱导器(inductors)及分流线路(bypass lines),而此种细连接结构结合多层图案化金属层不仅是大幅增加半导体芯片的速度,也大幅降低低电源IC组件之IC金属连接线路之阻抗及荷载。

23. 发明专利

TW200713503A 連續電鍍製作線路元件之方法及線路元件結構 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE 审中-公开
简体标题：连续电镀制作线路组件之方法及线路组件结构 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE
公开(公告)号：TW200713503A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095126894
申请日：2006-07-24
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 MOU-SHIUNG LIN , 羅心榮 HSIN-JUNG LO , 周秋明 CHIU-MING CHOU , 周健康 CHIEN-KANG CHOU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/2885 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0231 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05083 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48844 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01004
摘要：本發明提供一種形成覆蓋有聚醯亞胺(polyimide,PI)連續電鍍結構之方法,其係包括(a)提供一半導體基底;(b)在該半導體基底上形成一黏著/阻障層;(c)在該黏著/阻障層上形成複數金屬線路層(metal trace);(d)在該些金屬線路層中選擇一目標區域做為接墊,並在該接墊上形成一金屬層;(e)去除未被覆蓋之該黏著/阻障層;以及(f)形成一聚醯亞胺在該半導體基底上,並暴露出該金屬層。
简体摘要：本发明提供一种形成覆盖有聚酰亚胺(polyimide,PI)连续电镀结构之方法,其系包括(a)提供一半导体基底;(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层;(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metal trace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫,并在该接垫上形成一金属层;(e)去除未被覆盖之该黏着/阻障层;以及(f)形成一聚酰亚胺在该半导体基底上,并暴露出该金属层。

24. 发明专利

TW200711091A 連續電鍍製作線路元件之方法及線路元件結構 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE 审中-公开
简体标题：连续电镀制作线路组件之方法及线路组件结构 METHOD FOR FORMING A DOUBLE EMBOSSING STRUCTURE
公开(公告)号：TW200711091A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095126895
申请日：2006-07-24
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 MOU-SHIUNG LIN , 羅心榮 HSIN-JUNG LO , 周秋明 CHIU-MING CHOU , 周健康 CHIEN-KANG CHOU
IPC分类号： H01L , H05K
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/2885 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0231 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05083 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05644 , H01L2224/1147 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48844 , H01L2924/00011 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01004
摘要：本發明提供一種形成覆蓋有聚醯亞胺(polyimide,PI)之連續電鍍結構之方法,其係包括(a)提供一半導體基底;(b)在該半導體基底上形成一黏著/阻障層;(c)在該黏著/阻障層上形成複數金屬線路層(metal trace);(d)在該些金屬線路層中選擇一目標區域做為接墊,並在該接墊上形成一金屬層;(e)去除未被覆蓋之該黏著/阻障層;以及(f)形成一聚醯亞胺在該半導體基底上,並暴露出該金屬層。
简体摘要：本发明提供一种形成覆盖有聚酰亚胺(polyimide,PI)之连续电镀结构之方法,其系包括(a)提供一半导体基底;(b)在该半导体基底上形成一黏着/阻障层;(c)在该黏着/阻障层上形成复数金属线路层(metal trace);(d)在该些金属线路层中选择一目标区域做为接垫,并在该接垫上形成一金属层;(e)去除未被覆盖之该黏着/阻障层;以及(f)形成一聚酰亚胺在该半导体基底上,并暴露出该金属层。

25. 发明专利

TW200703452A 線路元件製程及其結構 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：线路组件制程及其结构 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200703452A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095122894
申请日：2006-06-23
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 MOU-SHIUNG LIN , 周健康 CHIEN-KANG CHOU , 陳科宏 KE-HUNG CHEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L21/2885 , H01L21/563 , H01L21/76801 , H01L21/76885 , H01L23/3114 , H01L23/5223 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05183 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45176 , H01L2224/45183 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48864 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/48869 , H01L2224/83851 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599
摘要：本發明提供一種線路元件結構製程及其結構,其係提供一基板,在在基板上設置至少一第一金屬柱及第二金屬柱,此第一金屬柱的最大橫向尺寸除以第一金屬柱及第二金屬柱的高度之比値係小於4,且第一金屬柱的高度係介於20微米至300微米之間,且第一金屬柱之中心點至第二金屬柱之中心點之間的距離係介於10微米至250微米之間。本發明因可將金屬柱體之間距縮小至250微米以下,且可達成針孔數目少於400個的目標。並能有效改善積體電路的性能,且可大幅降低低電源IC元件之IC金屬連接線路之阻抗及荷載。
简体摘要：本发明提供一种线路组件结构制程及其结构,其系提供一基板,在在基板上设置至少一第一金属柱及第二金属柱,此第一金属柱的最大横向尺寸除以第一金属柱及第二金属柱的高度之比値系小于4,且第一金属柱的高度系介于20微米至300微米之间,且第一金属柱之中心点至第二金属柱之中心点之间的距离系介于10微米至250微米之间。本发明因可将金属柱体之间距缩小至250微米以下,且可达成针孔数目少于400个的目标。并能有效改善集成电路的性能,且可大幅降低低电源IC组件之IC金属连接线路之阻抗及荷载。

26. 发明专利

TW200703451A 線路元件製程及其結構 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：线路组件制程及其结构 CIRCUIT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200703451A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095122893
申请日：2006-06-23
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 MOU-SHIUNG LIN , 周健康 CHIEN-KANG CHOU , 陳科宏 KE-HUNG CHEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L21/2885 , H01L21/563 , H01L21/76801 , H01L21/76885 , H01L23/3114 , H01L23/5223 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05173 , H01L2224/05176 , H01L2224/05183 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45176 , H01L2224/45183 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48864 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/48869 , H01L2224/83851 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599
摘要：本發明提供一種線路元件製程及其結構,其係提供一基板,在在基板上設置至少一第一金屬柱及第二金屬柱,此第一金屬柱的最大橫向尺寸除以第一金屬柱及第二金屬柱的高度之比値係小於4,且第一金屬柱的高度係介於20微米至300微米之間,且第一金屬柱之中心點至第二金屬柱之中心點之間的距離係介於10微米至250微米之間。本發明因可將金屬柱體之間距縮小至250微米以下,且可達成針孔數目少於400個的目標。並能有效改善積體電路的性能,且可大幅降低低電源IC元件之IC金屬連接線路之阻抗及荷載。
简体摘要：本发明提供一种线路组件制程及其结构,其系提供一基板,在在基板上设置至少一第一金属柱及第二金属柱,此第一金属柱的最大横向尺寸除以第一金属柱及第二金属柱的高度之比値系小于4,且第一金属柱的高度系介于20微米至300微米之间,且第一金属柱之中心点至第二金属柱之中心点之间的距离系介于10微米至250微米之间。本发明因可将金属柱体之间距缩小至250微米以下,且可达成针孔数目少于400个的目标。并能有效改善集成电路的性能,且可大幅降低低电源IC组件之IC金属连接线路之阻抗及荷载。

27. 发明专利

TWI269420B 堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程 STACKED CHIP PACKAGE AND PROCESS THEREOF 有权
简体标题：堆栈型芯片封装结构及其封装制程 STACKED CHIP PACKAGE AND PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TWI269420B
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：TW094114203
申请日：2005-05-03
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 林世雄 LIN, SHIH HSIUNG , 陳盈智 CHEN, YING CHIH , 周秋明 CHOU, CHIU MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/525 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/49 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/92147 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06558 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：一種堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程，其係於晶片上形成一重配置線路，並藉由此重配置線路提供較佳位置之重配置接墊，以便於打線導線之連接。其中，針對具有不同線路佈局之接墊的晶片，此堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程可選擇性地形成重配置線路於第一晶片上或第二晶片上。藉由此堆疊型晶片封裝結構及其封裝製程可簡化晶片之製作過程，並可達到降低生產成本、縮減體積、提高生產效率、效能及整體良率之目的。
简体摘要：一种堆栈型芯片封装结构及其封装制程，其系于芯片上形成一重配置线路，并借由此重配置线路提供较佳位置之重配置接垫，以便于打线导线之连接。其中，针对具有不同线路布局之接垫的芯片，此堆栈型芯片封装结构及其封装制程可选择性地形成重配置线路于第一芯片上或第二芯片上。借由此堆栈型芯片封装结构及其封装制程可简化芯片之制作过程，并可达到降低生产成本、缩减体积、提高生产效率、性能及整体良率之目的。

28. 发明专利

TWI301647B 晶片構裝及其製程 CHIP PACKAGE AND PROCESS FOR THE SAME 有权
简体标题：芯片构装及其制程 CHIP PACKAGE AND PROCESS FOR THE SAME
公开(公告)号：TWI301647B
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW093128389
申请日：2004-09-20
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/73204 , H01L2924/014
摘要：本發明之晶片構裝及其製程,係將半導體晶片之厚金屬線路
直接接觸地大面積連接另一電路連接構件之線路,或是透過含有
聚合物及金屬粒子的導電層大面積地連接另一電路連接構件之線
路,藉以降低半導體晶片之厚金屬線路與電路連接構件之線路間
的電阻。若是大面積電性連接之半導體晶片之厚金屬線路與電路
連接構件之線路係作為訊號傳輸之用時,則半導體晶片之厚金屬
線路與電路連接構件之線路可以提供較穩定的訊號傳輸;若是大
面積電性連接之半導體晶片之厚金屬線路與電路連接構件之線路
係作為電源滙流排或接地滙流排之用時,則半導體晶片之厚金屬
線路及/或電路連接構件之線路可以提供較穩定的電源電壓或接地
電壓。
简体摘要：本发明之芯片构装及其制程,系将半导体芯片之厚金属线路直接接触地大面积连接另一电路连接构件之线路,或是透过含有聚合物及金属粒子的导电层大面积地连接另一电路连接构件之线路,借以降低半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路间的电阻。若是大面积电性连接之半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路系作为信号传输之用时,则半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路可以提供较稳定的信号传输;若是大面积电性连接之半导体芯片之厚金属线路与电路连接构件之线路系作为电源汇流排或接地汇流排之用时,则半导体芯片之厚金属线路及/或电路连接构件之线路可以提供较稳定的电源电压或接地电压。

29. 发明专利

TW200816499A 晶片封裝結構及其製程 CHIP-PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF 审中-公开
简体标题：芯片封装结构及其制程 CHIP-PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW200816499A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095134734
申请日：2006-09-20
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 林世雄 LIN, SHIN HSIUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種晶片封裝結構包含一晶片、一環狀凸起、多個凸塊及一透明基板,其中晶片具有一感光區域,其位於晶片之一主動表面上,而環狀凸起與多個凸塊係配置於晶片之主動表面上,且環狀凸起係圍繞著感光區域之外圍。透明基板係與環狀凸起接合,其中晶片、透明基板及環狀凸起係構成一密閉空間。環狀凸起之材質例如包含一黏著性聚合物、環氧樹脂或印刷電路板之一焊罩層所用之材質。透明基板之材質例如包含一玻璃。
简体摘要：一种芯片封装结构包含一芯片、一环状凸起、多个凸块及一透明基板,其中芯片具有一感光区域,其位于芯片之一主动表面上,而环状凸起与多个凸块系配置于芯片之主动表面上,且环状凸起系围绕着感光区域之外围。透明基板系与环状凸起接合,其中芯片、透明基板及环状凸起系构成一密闭空间。环状凸起之材质例如包含一黏着性聚合物、环氧树脂或印刷电路板之一焊罩层所用之材质。透明基板之材质例如包含一玻璃。

30. 发明专利

TW200816373A 線路元件及其製程 CIRCUIT COMPONENT AND PROCESS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：线路组件及其制程 CIRCUIT COMPONENT AND PROCESS FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200816373A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW095136114
申请日：2006-09-29
申请人：米輯電子股份有限公司 MEGICA CORPORATION
发明人：林茂雄 LIN, MOU SHIUNG , 李進源 LEE, JIN YUAN , 周健康 CHOU, CHIEN KANG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種線路元件及其製程,其係透過保護層上方的金屬線路或平面,使保護層下方的內部電路將訊號傳送至同一晶片上的數個元件或電路單元,或是透過保護層上方的金屬線路或平面將電源電壓或接地參考電壓分配至同一晶片上的數個元件或電路單元。
简体摘要：本发明系提供一种线路组件及其制程,其系透过保护层上方的金属线路或平面,使保护层下方的内部电路将信号发送至同一芯片上的数个组件或电路单元,或是透过保护层上方的金属线路或平面将电源电压或接地参考电压分配至同一芯片上的数个组件或电路单元。

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