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    • 19. 发明申请
    • Oriented conductive oxide electrodes on SiO2/Si and glass
    • SiO 2 / Si和玻璃上的定向导电氧化物电极
    • US20020031686A1
    • 2002-03-14
    • US09955715
    • 2001-09-18
    • Quanxi JiaPaul N. Arendt
    • B32B009/04B32B001/00B32B013/04B32B009/06B32B015/04B32B009/00B32B019/00
    • H01L28/56H01L28/75Y10S117/902Y10S117/905Y10T428/26
    • A thin film structure is provided including a silicon substrate with a layer of silicon dioxide on a surface thereof, and a layer of cubic oxide material deposited upon the layer of silicon dioxide by ion-beam-assisted-deposition, said layer of cubic oxide material characterized as biaxially oriented. Preferably, the cubic oxide material is yttria-stabilized zirconia. Additional thin layers of biaxially oriented ruthenium oxide or lanthanum strontium cobalt oxide are deposited upon the layer of yttria-stabilized zirconia. An intermediate layer of cerium oxide is employed between the yttria-stabilized zirconia layer and the lanthanum strontium cobalt oxide layer. Also, a layer of barium strontium titanium oxide can be upon the layer of biaxially oriented ruthenium oxide or lanthanum strontium cobalt oxide. Also, a method of forming such thin film structures, including a low temperature deposition of a layer of a biaxially oriented cubic oxide material upon the silicon dioxide surface of a silicon dioxide/silicon substrate is provided.
    • 提供一种薄膜结构,其包括在其表面上具有二氧化硅层的硅衬底和通过离子束辅助沉积沉积在二氧化硅层上的立方氧化物材料层,所述立方氧化物材料层 特征为双轴取向。 优选地,立方氧化物材料是氧化钇稳定的氧化锆。 另外的双轴取向氧化钌或氧化镧镧的薄层沉积在氧化钇稳定的氧化锆层上。 在氧化钇稳定的氧化锆层和氧化镧镧氧化钴层之间采用氧化铈中间层。 此外,一层钡锶钛氧化物可以在双轴取向的氧化钌层或氧化镧锶上。 此外,提供了一种形成这种薄膜结构的方法,包括在二氧化硅/硅衬底的二氧化硅表面上的双轴取向立方氧化物材料层的低温沉积。