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11. 发明申请

WO2016138468A1 SURFACE DEVICES WITHIN A VERTICAL POWER DEVICE 审中-公开
标题翻译：在垂直电源设备中的表面设备
公开(公告)号：WO2016138468A1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：PCT/US2016/019917
申请日：2016-02-26
申请人： D3 SEMICONDUCTOR LLC
发明人： HARRINGTON III, Thomas, E. , QU, Zhijun
IPC分类号： H01L21/84 , H01L29/78 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0635 , H01L27/0652 , H01L27/0922 , H01L27/1203 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要： A semiconductor device comprises a vertical power device, such as a superjunction MOSFET, an IGBT, a diode, and the like, and a surface device that comprises one or more lateral devices that are electrically active along a top surface of the semiconductor device.
摘要翻译：半导体器件包括诸如超结MOSFET，IGBT，二极管等的垂直功率器件，以及包括沿半导体器件的顶表面电活动的一个或多个横向器件的表面器件。

12. 发明公开

EP3262678A1 SURFACE DEVICES WITHIN A VERTICAL POWER DEVICE 审中-公开
标题翻译：在垂直功率器件中的表面器件
公开(公告)号：EP3262678A1
公开(公告)日：2018-01-03
申请号：EP16756505.0
申请日：2016-02-26
申请人： D3 Semiconductor LLC
发明人： HARRINGTON III, Thomas, E. , QU, Zhijun
IPC分类号： H01L21/84 , H01L29/78 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L27/0652 , H01L27/0922 , H01L27/1203 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要： A semiconductor device comprises a vertical power device, such as a superjunction MOSFET, an IGBT, a diode, and the like, and a surface device that comprises one or more lateral devices that are electrically active along a top surface of the semiconductor device.

13. 发明公开

EP0560185A1 Leistungs-Spannungsbegrenzungsschaltung 有权转让
标题翻译： Leistungs-Spannungsbegrenzungsschaltung。
公开(公告)号：EP0560185A1
公开(公告)日：1993-09-15
申请号：EP93103351.8
申请日：1993-03-03
申请人： TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH
发明人： Ryman, Lennart
IPC分类号： H01L27/082 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0825 , H01L27/0652
摘要： Es wird eine Leistungstransistorschaltung zum Erzielen einer Begrenzungsspannung angegeben, mit:

einem Leistungstransistor (T1; T2);
einer Basis-Emitter-Widerstandseinrichtung (RBEE) zwischen der Basis und dem Emitter des Leistungstransistors;
einer Z-Diodeneinrichtung (D) mit vorgegebener Durchbruchsspannung, die so gewählt ist, daß sie im ganzen Temperaturbereich, für den die Schaltung vorgesehen ist, unter der Begrenzungsspannung bleibt, welche Diodeneinrichtung in Sperrichtung zwischen Kollektor und Basis des Leistungstransistors liegt; und
einer Kollektor-Basis-Widerstandseinrichtung (RCBE), die mit der Z-Diodeneinrichtung zwischen Kollektor und Basis des Leistungstransistors in Reihe liegt;
wobei die Widerstandswerte der beiden Widerstandseinrichtungen so dimensioniert sind, daß die Kollektor-Emitterspannung bei durchgeschaltetem Leistungstransistor bei Zimmertemperatur um einige Prozent bis einige zehn prozent über der Durchbruchsspannung der Z-Diodeneinrlchtung liegt.

In dieser Schaltung läßt sich durch einen negativen Temperaturkoeffizienten der kollektor-Basis-Widerstandseinrichtung und/oder einen positiven Temperaturkoeffizienten der BasisEmitter-Widerstandseinrichtung der Temperaturgang der Durchbruchsspannung leicht so korrigieren, daß die Begrenzungsspannung konstant bleibt. Werden die Widerstandseinrichtungen so ausgebildet, daß ihre Widerstandswerte einstellbar sind, ist es auf einfache Weise möglich, Fertigungsstreuungen in der Durchbruchsspannung auszugleichen.
摘要翻译：规定用于提供限制电压的功率晶体管电路，包括：功率晶体管（T1; T2）; - 功率晶体管的基极和发射极之间的基极 - 发射极电阻器件（RBEE）; - 具有预定击穿电压的Z二极管器件（D），其被选择为使得其在提供电路的整个温度范围内保持低于限制电压，该二极管器件在收集器之间沿相反方向连接和功率晶体管的基极; 以及 - 与功率晶体管的集电极和基极之间的Z二极管器件串联连接的集电极电阻器件（RCBE）; 两个电阻器件的电阻值的尺寸设计使得当功率晶体管导通时，集电极 - 发射极电压在室温下比Z二极管器件的击穿电压高出约百分之几十。在该电路中，可以通过集电极电阻器件的负温度系数和/或基极 - 发射极电阻器件的正温度系数容易地校正击穿电压随温度的变化，使得极限电压保持恒定。如果电阻器件的构造使得它们的电阻值是可调的，则可以容易地补偿击穿电压的产生扩展。

14. 发明专利

JPWO2017006711A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017006711A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2017527147
申请日：2016-06-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：内藤　達也 , 達也内藤
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/04 , H01L27/0629 , H01L27/0652 , H01L29/0615 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/78
摘要：トレンチの内壁の絶縁膜の信頼性を向上させる。半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチ部と、半導体基板の表面の上方に形成された、金属を含む第1表面側電極とを備え、ダミートレンチ部は、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチと、ダミートレンチの内壁に形成された絶縁膜と、ダミートレンチの内部において絶縁膜よりも内側に形成されたダミー導電部と、ダミー導電部の少なくとも一部を露出させる開口を有し、且つ、半導体基板の表面において絶縁膜を覆う保護部とを有し、第1表面側電極は、保護部の開口内に形成された部分を有し、ダミー導電部と接触する半導体装置を提供する。

15. 发明专利

JP2014207501A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014207501A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013082394
申请日：2013-04-10
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： KONO KENJI
IPC分类号： H03K17/16 , G01R19/165 , H02M7/48 , H03K17/08 , H03K17/56
CPC分类号： H03K17/168 , H01L27/0652 , H01L27/0722 , H01L27/0727 , H03K17/0828 , H03K17/567
摘要：【課題】ダイオード内蔵IGBT素子を備えた半導体装置において、ダイオード素子に流れる電流が少ない場合でも、ダイオード素子の動作をより正確に検出することが可能な構成を提供する。【解決手段】半導体装置1は、ダイオード素子22a及びIGBT素子21aを備えたダイオード内蔵IGBT素子16と、ダイオードセンス素子22b及びIGBTセンス素子21bを備えたセンス素子18とを備えている。そして、ダイオードセンス素子22bに電流が流れない場合にはスイッチ素子40がオフ動作して第2の電流経路52と他の電流経路とが非導通状態となり、ダイオードセンス素子22bに電流が流れる場合にはスイッチ素子40がオン動作して第2の電流経路52と他の電流経路とが導通状態となるように構成されている。そして、電流検出部12が第2の電流経路52の電流状態を検出している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括二极管内置IGBT元件的半导体器件的组成，其即使在二极管元件中的电流较小时也可以更成功地检测二极管元件的工作。解决方案：半导体器件1包括：二极管内置IGBT元件16，其包括二极管元件22a和IGBT元件21a; 以及包括二极管感测元件22b和IGBT感测元件21b的感测元件18。当电流不流过二极管感测元件22b时，开关元件40执行OFF操作，并且第二电流路径52和另一个电流路径变得不导通。并且当电流在二极管感测元件22b中流动时，开关元件40执行导通操作，并且第二电流路径52和另一个电流路径变为导通。半导体装置1还包括检测第二电流路径52的当前状态的电流检测部12。

16. 发明公开

EP0935290A3 Power semiconductor device and method 审中-公开
标题翻译：功率半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：EP0935290A3
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：EP99101852.4
申请日：1999-01-28
申请人： MOTOROLA, INC.
发明人： Meyer, Robert Anton , Kraus, Robert , Eshaghi, Majid
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/088 , F02P3/04
CPC分类号： F02P3/0453 , H01L27/0629 , H01L27/0652
摘要： A power semiconductor device (10) and a method for increasing the turn-on time and the turn-off time of the power semiconductor device (10). The power semiconductor device (10) has a first stage (14) and a second stage (16), wherein a transconductance of the first stage (14) is less than a transconductance of the second stage (16). The turn-on time of the power semiconductor device (10) is increased by turning on the first stage (14) before turning on the second stage (16). In addition, the turn-off time of the power semiconductor device (10) is increased by turning off the first stage (14) before turning off the second stage (16).

17. 发明公开

EP0836230A3 Power transistor 失效
标题翻译： Leistungstransistor
公开(公告)号：EP0836230A3
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：EP97307833.0
申请日：1997-10-03
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Ueuchi, Gen
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L29/73 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0248 , H01L27/0652 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00015
摘要： A planar-type transistor is formed by selectively diffusing a base layer on a surface of a silicon substrate that will act as a collector layer, and then selectively diffusing an emitter layer on the base layer. In addition, the collector layer on the front surface of the planar-type transistor chip is provided with a current detecting electrode, while the back surface of the silicon substrate is provided with a collector electrode. As the transistor is turned on and current flows through the collector, voltage is induced between the collector electrode and the current detecting electrode according to the collector current because of the resistance of the silicon substrate. Therefore, the transistor can quickly and precisely detect the collector current and transmits the detected current as a current detecting signal from the current detecting electrode to a control IC. A power transistor which surely prevents destruction by a surge and allows for reduction of the transistor chip in size can be offered in this manner.
摘要翻译：通过选择性地扩散作为集电极层的硅衬底的表面上的基底层，然后选择性地扩散基底层上的发射极层，形成平面型晶体管。此外，平面型晶体管芯片的前表面上的集电极层设置有电流检测电极，而硅衬底的背面设置有集电极。当晶体管导通并且电流流过集电极时，由于硅衬底的电阻，所以根据集电极电流在集电极与电流检测电极之间产生电压。因此，晶体管可以快速且精确地检测集电极电流，并将检测到的电流作为电流检测信号从电流检测电极发送到控制IC。可以以这种方式提供功率晶体管，其确保防止浪涌的破坏并允许减小晶体管芯片的尺寸。

18. 发明公开

EP0810503A1 An integrated circuit with a device having a predetermined reverse conduction threshold and a thermal compensation device with Vbe multipliers 失效
标题翻译：一种集成电路与装置具有由Vbe的乘法器装置上的一定反向电压阈值和温度补偿装置
公开(公告)号：EP0810503A1
公开(公告)日：1997-12-03
申请号：EP96830276.0
申请日：1996-05-14
申请人： CO.RI.M.ME. CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO
发明人： Scaccianoce, Salvatore
IPC分类号： G05F1/00 , H01L27/02 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0211 , H01L27/0652
摘要： A monolithic, integrated semiconductor circuit comprising a high-voltage device (210) with a predetermined reverse-conduction threshold, typically a chain of Zener diodes (220-240) has, connected in series therewith, a thermal compensation device (250) constituted by a plurality of Vbe multipliers connected in series with one another. Each of the Vbe multipliers is formed by a resistive divider (R1i, R2i) and a low-voltage transistor (Ti) or two or more low-voltage transistors in a Darlington configuration.
摘要翻译：一种单片集成半导体电路包括高电压设备（210）与预定的反向导通的阈值，典型地，齐纳二极管的链（220-240）已经串联连接有与，由构成热补偿装置（250）串联连接彼此的Vbe乘法器的复数。 Vbe的乘法器中的每一个由一个电阻分压器（R 1I，R 2I）和一个低电压晶体管（Ti）的或两种或更多种低电压晶体管在达林顿结构形成。

19. 发明申请

WO2017006711A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2017006711A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/JP2016/067595
申请日：2016-06-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：内藤　達也
IPC分类号： H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L27/0629 , H01L27/0652 , H01L27/0727 , H01L29/0615 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/78
摘要：トレンチの内壁の絶縁膜の信頼性を向上させる。半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチ部と、半導体基板の表面の上方に形成された、金属を含む第１表面側電極とを備え、ダミートレンチ部は、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチと、ダミートレンチの内壁に形成された絶縁膜と、ダミートレンチの内部において絶縁膜よりも内側に形成されたダミー導電部と、ダミー導電部の少なくとも一部を露出させる開口を有し、且つ、半導体基板の表面において絶縁膜を覆う保護部とを有し、第１表面側電極は、保護部の開口内に形成された部分を有し、ダミー導電部と接触する半導体装置を提供する。
摘要翻译：本发明提高了沟槽内壁上的绝缘膜的可靠性。提供一种半导体器件，其配备有：半导体衬底; 形成在半导体衬底的前表面上的虚拟沟槽部分; 以及第一前表面侧电极，其形成在所述半导体衬底的前表面上方并且包含金属。虚拟沟槽部分具有形成在半导体衬底的前表面中的虚拟沟槽; 形成在所述虚拟沟槽的内壁上的绝缘膜; 在比绝缘膜更靠内侧的一侧形成的虚设导电部，所述虚设导电部形成在所述虚设沟槽中; 以及保护部，其具有裸露导电部的至少一部分露出的开口，并且覆盖半导体基板的前表面上的绝缘膜。第一前表面侧电极具有形成在保护部分的开口中的部分，所述第一前表面侧电极与虚设导电部分接触。

20. 发明申请

WO2002075780A2 ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：WO2002075780A2
公开(公告)日：2002-09-26
申请号：PCT/IB2002/000826
申请日：2002-03-15
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , PHILIPS CORPORATE INTELLECTUAL PROPERTY GMBH
发明人： KLEE, Mareike, K. , KIEWITT, Rainer , JU, Mike , GERMER, Wilfried , BRAND, Hans-Wolfgang
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/55 , H01L21/31691 , H01L27/0629 , H01L27/0652 , H01L27/0676
摘要： The invention relates to an electronic device provided with an electronic component which comprises an integrated circuit arrangement which has a semiconducting substrate, active components, and passive components such as capacitors with high and with low capacitance values and/or resistors. The invention further relates to a transmitter, a receiver, an electronic component, a peripheral circuit, a power supply circuit, a filter module, and an integrated circuit arrangement.
摘要翻译：本发明涉及一种具有电子部件的电子设备，该电子部件包括集成电路装置，该集成电路装置具有半导体基板，有源部件和无源部件，例如具有高和低电容值和/或电阻器的电容器。本发明还涉及发射机，接收机，电子部件，外围电路，电源电路，滤波器模块和集成电路装置。

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