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11. 发明授权

CN103681528B 半导体封装件及其制法与中介板结构有权
公开(公告)号：CN103681528B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210356327.3
申请日：2012-09-21
申请人：矽品精密工业股份有限公司
发明人：庄冠纬 , 林畯棠 , 廖怡茜 , 赖顗喆
IPC分类号： H01L23/24 , H01L21/58
CPC分类号： H01L21/486 , H01L21/31111 , H01L21/4853 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49872 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/08235 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要：一种半导体封装件及其制法与中介板结构，该半导体封装件制法，包括切割一基材以形成多个中介板，再分别置放各该中介板于一承载件的多个开口上，且任二该开口之间具有间距，待形成第一封装胶体以包覆该些中介板后，再移除该承载件，之后再结合至少一半导体组件于该中介板上。借由先切割该基材，以选择良好的中介板重新排设，可避免于封装后半导体组件与不良的中介板一并报废。

12. 发明授权

CN1162920C 热电转换材料及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1162920C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN98811689.8
申请日：1998-08-05
申请人：住友特殊金属株式会社
发明人：山下治 , 贞富信裕 , 西乡恒和
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/22 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：包括通过将各种杂质添加到Si中而获得的一种p-型半导体或者一种n-型半导体的一种新的、硅基热电转换材料。本发明的材料是载流子浓度是1017到1020M/m3、并且包括Si和0.001-0.5原子%的Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Hg，B，Al，Ga，In，Tl中的一种或者多个元素，或N，P，As，Sb，Bi，O，S，Se，Te中一种或者多个元素的一种p-型半导体或者一种n-型半导体，本发明的另一种材料是载流子浓度是1019到1021(M/m3)、并且包括Si和含量的原子百分比是0.5原子%到10原子%的上述元素中的一种或者多个元素的一种p-型半导体或者一种n-型半导体。

13. 发明公开

CN1280707A 硅基导电材料及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1280707A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN98811697.9
申请日：1998-08-14
申请人：住友特殊金属株式会社 , 春山俊一
发明人：春山俊一 , 山下治 , 贞富信裕 , 西乡恒和
IPC分类号： H01L35/14 , H01L21/44 , H01L35/34 , H01L29/43 , H01L21/28
CPC分类号： H01L35/22 , H01B1/04 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要：在室温下,其电阻率为10－3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料,而且还能够进行生产并且进行处理,这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素,可以获得电阻率为10－6(Ω.m)或者更低的导电材料,这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术,可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状,一种棒状,或者一种线状,而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状,它可以用于很多需要导电的应用中,包括需要一种导电片材料的应用中。

14. 发明公开

CN104103626A 混合碳－金属互连结构有权
公开(公告)号：CN104103626A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410127366.5
申请日：2014-03-31
申请人：英特尔公司
发明人： H-J·巴斯
IPC分类号： H01L23/532
CPC分类号： H01L51/0048 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/768 , H01L21/76805 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49872 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L29/1606 , H01L2221/1094 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：本发明公开了混合碳－金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳－金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中，装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层，该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层，其中石墨烯层在金属互连层上直接形成，金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。

15. 发明公开

CN104037153A 3D封装件及其形成方法有权
公开(公告)号：CN104037153A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310239320.8
申请日：2013-06-17
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：张进传 , 林俊成 , 余振华
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/367 , H01L23/481 , H01L23/49541 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49872 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/92224 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：本发明公开了一种封装件，包括中介层，中介层包括没有通孔的第一衬底、位于第一衬底上方的再分布线和位于再分布线上方并与再分布线电连接的多个第一连接件。第一管芯位于多个第一连接件上方并与多个第一连接件接合。第一管芯包括第二衬底和位于第二衬底中的通孔。第二管芯位于多个连接件上方并与多个连接件接合。第一管芯和第二管芯通过再分布线彼此电连接。多个第二连接件位于第一管芯和第二管芯上方。多个第二连接件通过第二衬底中的通孔电连接至多个第一连接件。本发明还公开了3D封装件的形成方法。

16. 发明授权

CN1196208C 硅基导电材料及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1196208C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN98811697.9
申请日：1998-08-14
申请人：株式会社新王磁材 , 春山俊一
发明人：春山俊一 , 山下治 , 贞富信裕 , 西乡恒和
IPC分类号： H01L35/14 , H01L21/44 , H01L35/34 , H01L29/43 , H01L21/28
CPC分类号： H01L35/22 , H01B1/04 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要：在室温下，其电阻率为10-3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料，而且还能够进行生产并且进行处理，这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素，可以获得电阻率为10-6(Ω.m)或者更低的导电材料，这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术，可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状，一种棒状，或者一种线状，而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状，它可以用于很多需要导电的应用中，包括需要一种导电片材料的应用中。

17. 发明授权

CN1108088C 用于在电绝缘衬底表面上按结构制造导线的被覆层失效
公开(公告)号：CN1108088C
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN96191105.0
申请日：1996-09-18
申请人： LPKFCAD/CAM系统股份公司
发明人：约尔格·基克尔海恩 , 布鲁诺·维特
IPC分类号： H05K3/02 , B23K26/00 , H05B3/14
CPC分类号： C04B41/009 , C03C17/253 , C03C2217/211 , C03C2217/23 , C03C2217/241 , C03C2217/244 , C03C2218/11 , C04B41/505 , C04B41/87 , H01L21/4846 , H01L23/49872 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/027 , Y10T428/24802 , Y10T428/24926 , Y10T428/265 , C04B41/4543 , C04B41/455 , C04B41/4572 , C04B41/0036 , C04B41/5346 , C04B35/10 , H01L2924/00
摘要：用来以一定结构形式在电绝缘衬底表面上制造导线，特别是用来制造传感器元件和印刷电路板的被覆层，被覆层由成分为Sn1-(y+z)AyBzO2的掺杂氧化锡层构成，其中A＝Sb或F，B＝In或Al。其特征在于被覆层的掺杂物质锑或氟加铟或铝的含量由0.02≤y+z＜0.11限定，而且掺杂物质之比满足条件1.4＜y/z＜2.2，这样就能用157nm至1064nm的波长范围内的电磁激光辐射进行刻蚀来使被覆层形成结构。这样提供了一种在玻璃或陶瓷衬底上施加的薄的具有高抗化学、机械或热负荷的导电层中，以高分辨率和无浪费地直接构造绝缘通道的经济的方法。

18. 发明公开

EP1039556A1 THERMOELECTRIC TRANSDUCING MATERIAL AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：热带烟草在西班牙赫尔辛基
公开(公告)号：EP1039556A1
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：EP98936676.0
申请日：1998-08-05
申请人： SUMITOMO SPECIAL METALS COMPANY LIMITED
发明人： YAMASHITA, Osamu , SADATOMI, Nobuhiro , SAIGO, Tsunekazu
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/22 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A novel silicon-base thermoelectric transducing material containing a P- or N-type semiconductor obtained by adding various impurities to Si, which is produced with good productivity at low cost and has a stable quality and a high performance index. Generally when various elements are added to Si, the Seebeck coefficient of the material decreases with the carrier concentration until the carrier concentration exceeds 10 18 M/m 3 , and a minimum value of the Seebeck coefficient is in a range from 10 18 to 10 19 M/m 3 . The material of the invention is a P- or N-type semiconductor having a carrier concentration of 10 17 to 10 20 M/m 3 and containing Si and 0.001 to 0.5 atomic % of one or more elements of Be, Mg, Ca, Sr, Ba Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, and Tl, or one or more elements of N, P, As, Sb, Bi, O, S, Se, and Te, and another material is a P- or N-type semiconductor having a carrier concentration of 10 19 to 10 21 M/m 3 and containing Si and 0.5 to 10 atomic % of one or more of the elements.
摘要翻译：一种新颖的硅基热电转换材料，其含有通过向Si中添加各种杂质而获得的P-型或N型半导体，其以低成本生产且具有稳定的质量和高的性能指数。通常当将各种元素添加到Si时，材料的塞贝克系数随着载流子浓度而降低，直到载流子浓度超过10 18 M / m 3，塞贝克系数的最小值在10 18至10 19 M / m 3。本发明的材料是载流子浓度为10 17至10 20 M / m 3并含有Si和0.001至0.5原子％的一种或多种元素的P型或N型半导体，Mg，Ca，Sr，Ba Zn，Cd，Hg，B，Al，Ga，In和Tl，或N，P，As，Sb，Bi，O，S，Se和Te中的一种或多种元素，另一种材料是载流子浓度为10 19至10 21 M / m 3并含有Si和0.5至10原子％的一种或多种元素的P-型或N型半导体。

19. 发明公开

EP0680081A2 Method of forming thin film and electronic device using thin film 失效
标题翻译：一种用于形成薄膜，并用薄层电子装置的方法。
公开(公告)号：EP0680081A2
公开(公告)日：1995-11-02
申请号：EP95302740.6
申请日：1995-04-24
申请人： HITACHI, LTD.
发明人： Miwa, Takao , Matsuda, Minoru , Watanabe, Akira
IPC分类号： H01L21/428 , H01L21/4757 , H01L51/30
CPC分类号： H01L21/4846 , H01L21/316 , H01L21/481 , H01L23/49872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A thin film of Si or Ge network polymer is formed on a substrate and irradiated with electromagnetic radiation, then heat-treated at 200 to 1000°C. Thereby, it is possible to form a thin film having a function of electric conductivity (SiC), semiconductor property (a-Si), insulating property (SiO 2 ) or transparent property (SiO 2 ) on a substrate as desired easily.
摘要翻译： Si或Ge网络聚合物的薄膜是形成在一个基片和用电磁辐射照射，然后进行热处理，在200〜1000℃由此，能够形成具有导电性的功能的薄膜（SiC）的，半导体性质（A-Si）的，在基板上的绝缘性（SiO2）或透明属性（二氧化硅）作为容易期望。

20. 发明申请

WO99022411A1 SILICON BASED CONDUCTIVE MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：硅基导电材料及其生产工艺
公开(公告)号：WO99022411A1
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：PCT/JP1998/003642
申请日：1998-08-14
IPC分类号： H01B1/04 , H01L23/498 , H01L23/532 , H01L35/16 , H01L35/22 , H01L35/14 , H01L21/28 , H01L21/44 , H01L29/43 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/22 , H01B1/04 , H01L23/49872 , H01L23/49883 , H01L23/53271 , H01L23/5328 , H01L35/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： A silicon based conductive material based on a semiconductor silicon and having an electric resistivity of 10 ( OMEGA . m) or less at ambient temperature, which has been unattainable heretofore, while facilitating production and handling. An electric resistivity of 10 ( OMEGA . m) or less, which is common for conductors, can be realized by adding relatively large quantities of various kinds of elements to silicon. The conductive material can be provided in a semiconductor silicon substrate in a desired pattern by ion beam implantation and patterning. It can be employed not only in the form of a substrate, a rod or a wire, but also in the form of fine particles dispersed in a resin or glass to be employed in various applications requiring conduction, including a conductive sheet material.
摘要翻译：基于半导体硅的硅基导电材料，其环境温度下的电阻率为10 -3（OMEGA.m）以下，这是迄今为止无法实现的，同时便于生产和处理。导体常用的电阻率为10 -6Ω（Ω·m）以下，可以通过向硅中加入较多量的各种元素来实现。导电材料可以通过离子束注入和图案化以期望的图案提供在半导体硅衬底中。不仅可以以基板，棒或线的形式使用，而且还可以以分散在树脂或玻璃中的细颗粒的形式使用，以用于需要导电的各种应用，包括导电片材。

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