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11. 发明公开

CN1453823A 图案形成方法和半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1453823A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122138.6
申请日：2003-04-17
申请人：株式会社东芝
发明人：加藤宽和 , 大西廉伸 , 盐原英志 , 河村大辅 , 中村裕子
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/26 , G03F7/00
CPC分类号： H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
摘要：一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。

12. 发明授权

EP0563605B1 Verfahren zum Erzeugen von Mikrostrukturen 失效
标题翻译：一种用于制造微结构的方法。
公开(公告)号：EP0563605B1
公开(公告)日：1995-10-18
申请号：EP93103431.8
申请日：1993-03-03
申请人： Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH
发明人： Trautmann, Christine , Spohr, Reimar, Dr. , Angert, Norbert , Brüchle, Willy , Vetter, Johann
IPC分类号： B29C59/16 , B29C71/04 , B01D67/00 , C08J7/12
CPC分类号： H01L21/31133 , B01D67/0032 , B01D2323/08 , B01J19/081 , B29C59/16 , B29C71/04 , B29C2035/0872 , B29K2079/08 , C08J9/26 , C08J2201/046 , C08J2379/08 , C23F4/00 , G03F7/039 , H01L21/0279

13. 发明申请

WO2016118299A1 MULTIPLE EXPOSURE TREATMENT FOR PROCESSING A PATTERNING FEATURE 审中-公开
标题翻译：用于处理特征的多重曝光处理
公开(公告)号：WO2016118299A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：PCT/US2015/068047
申请日：2015-12-30
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： MA, Tristan Y. , PETTERSON, Maureen K. , HAUTALA, John , GODET, Ludovic
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/042 , G03F7/36 , H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/0277 , H01L21/0279 , H01L21/31058
摘要： A method for processing a substrate may include providing a patterning feature on the substrate, the patterning feature having a sidewall. The method may further include implanting a first ion species into the patterning feature during a first exposure, the first ion species having a first implantation depth; and implanting a second ion species into the patterning feature during a second exposure, the second ion species having a second implantation depth less than the first implantation depth.
摘要翻译：用于处理衬底的方法可以包括在衬底上提供图案化特征，图案形成特征具有侧壁。该方法还可以包括在第一次曝光期间将第一离子物质注入到图案化特征中，第一离子物质具有第一注入深度; 以及在第二次曝光期间将第二离子物质注入所述图案化特征中，所述第二离子种类具有小于所述第一注入深度的第二注入深度。

14. 发明申请

WO1980002752A1 ACCELERATED PARTICLE LITHOGRAPHIC PROCESSING AND ARTICLES SO PRODUCED 审中-公开
标题翻译：加速颗粒光刻加工和制造的文章
公开(公告)号：WO1980002752A1
公开(公告)日：1980-12-11
申请号：PCT/US1980000580
申请日：1980-05-19
申请人： WESTERN ELECTRIC CO INC
发明人： WESTERN ELECTRIC CO INC , WAGNER A , HALL T
IPC分类号： C03C15/00
CPC分类号： H01L21/0279 , G03F7/038 , G03F7/2065
摘要： Ion beam lithography of particular interest in the fabrication of large-scale integrated circuits of unexpectedly increased throughput results from appropriate choice of (a) resist material and (b) ion species. Resist material, generally negative acting, is characterized by electron beam sensitivity inadequate for ordinary commercial electron beam lithography. The relevant characteristic responsible for inadequate electron beam sensitivity is the very characteristic responsible for enhanced ion sensitivity. Ion species, always of atomic number greater than that of proton, are dictated by the observation that sensitivity unexpectedly increases at a greater rate than predictable on traditional bases.
摘要翻译：在（a）抗蚀剂材料和（b）离子物质的适当选择中，特别关心的制造大规模集成电路的离子束光刻意外地增加了生产量。通常为负作用的抗蚀材料的特征在于电子束敏感度不足以用于普通商业电子束光刻。负责电子束敏感性不足的相关特征是提高离子灵敏度的特性。离子物质，总是原子数大于质子的物质，是由敏感性意外地以比传统基础上可预测的更大的速率增加的观察来决定的。

15. 发明申请

WO2003054945A1 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体审中-公开
标题翻译：无机多层耐蚀薄膜方法，半导体器件，量子器件，微电子元器件及方法制作的精细结构
公开(公告)号：WO2003054945A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/JP2002/012919
申请日：2002-12-10
申请人：財団法人新産業創造研究機構 , 金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
发明人：金子忠昭 , 浅岡康 , 佐野直克
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0279 , H01L21/3086
摘要： A method for ion beam fine patterning of an inorganic multilayer resist, which comprises forming, on the surface of a semiconductor substrate(X), an inorganic material (Y) layer capable of forming a thermally and chemically stable oxidized film layer preventing the oxidation of the substrate(X) and, forming, on the surface of the inorganic material(Y)layer, an inorganic material (Z) layer capable of forming a thermally unstable natural oxidation film preventing the oxidation of the inorganic material (Y) layer and a forced oxidation film which is weaker than the above (Y) layer but is chemically stable, implanting a metal ion in the presence of a naturally formed oxidized surface film being formed on the surface of the (Z) layer or under the irradiation of molecular oxygen, to thereby selectively substitute a stable forced oxidized film (Z') layer for the above naturally formed oxidized surface film, increasing the amount of the ion implanted, to form a thermally and chemically stable oxidized film (Y') layer on the above (Y) layer through propagation of an O ion from the above naturally oxidized film or the above forced oxidized film (Z') layer and through sputtering of (Z)layer, and then subjecting the surface of the above substrate (X) to a dry etching with good accuracy using a reactive etching gas, to thereby remove the above surface oxidized film exclusive of the part substituted with the above forced oxidized film (Z') layer or the above oxidized film (Y') layer, the (Z) layer, the (Y) layer and a part of the substrate(X).
摘要翻译：一种无机多层抗蚀剂的离子束精细图案化方法，其包括在半导体衬底（X）的表面上形成能够形成热和化学稳定的氧化膜层的无机材料（Y）层，防止氧化基板（X），并且在无机材料（Y）层的表面上形成能够形成防止无机材料（Y）层氧化的热不稳定的自然氧化膜的无机材料（Z）层和强制氧化膜比上述（Y）层弱，但化学稳定，在（Z）层的表面上形成的天然形成的氧化表面膜的存在下或在分子氧的照射下注入金属离子，从而选择性地将稳定的强制氧化膜（Z'）替代为上述天然形成的氧化表面膜，增加离子注入的量，以形成热和化学稳定的通过从上述自然氧化膜或上述强制氧化膜（Z'）层传播O离子并通过溅射（Z）层，在上述（Y）层上氧化膜（Y'）层，然后使用反应性蚀刻气体，将上述基板（X）的表面以良好的精度进行干法蚀刻，从而除去上述被上述被强制氧化膜（Z'）或上述氧化膜（Y'）层，（Z）层，（Y）层和衬底（X）的一部分。

16. 发明公开

EP1413927A1 METHOD FOR FORMING FINE PATTERN 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN ZUR BILDUNG EINER FEINEN STRUKTUR
公开(公告)号：EP1413927A1
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：EP02746013.8
申请日：2002-07-12
申请人： Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. , Daikin Industries, Ltd.
发明人： TORIUMI, Minoru, c/o Yodogawa Seisakusho , YAMAZAKI, Tamio , WATANABE, Hiroyuki , ITANI, Toshiro , ARAKI, Takayuki c/o Yodogawa-seisakusho , ISHIKAWA, Takuji c/o Yodogawa-seisakusho
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0275 , G03F7/0046 , G03F7/0233 , G03F7/0395 , H01L21/0277 , H01L21/0278 , H01L21/0279
摘要： There is provided a method of forming a fine resist pattern in which a highly practicable photosensitive composition obtained from a material having a high transparency against an exposure light having a short wavelength such as F 2 excimer laser beam is used as a resist. The method of forming a fine resist pattern comprises, in order, a step for forming a photosensitive layer on a substrate or on a given layer on the substrate using a photosensitive composition comprising at least a compound generating an acid by irradiation of light and a fluorine-containing polymer comprising a norbornene derivative unit having OH group or a functional group which can be converted to OH group by an acid, a step for exposing by selectively irradiating the given area of said photosensitive layer with energy ray, a step for heat-treating the exposed photosensitive layer, and a step for forming a fine pattern by developing the heat-treated photosensitive layer to selectively remove an exposed portion or an un-exposed portion of the photosensitive layer.
摘要翻译：精细抗蚀剂图案形成包括：（i）使用在照射光下形成酸的含氟聚合物的组合物在基底或基底固定层上形成感光层; （ii）选择性地将光束照射到感光层的区域; （iii）热处理层; 和（iv）通过显影层形成精细图案并选择性地去除层的暴露/未曝光部分。精细抗蚀剂图案形成包括：（i）使用含有在照射光下形成酸的含氟聚合物的光敏组合物在基底或基底固定层上形成感光层; （ii）通过选择性地将照射能量束暴露于感光层的固定区域; （iii）热处理感光层; 和（iv）通过使感光层显影并选择性地去除感光层的曝光或未曝光部分，形成精细图案。含氟聚合物为式（I），数均分子量为500-1000000，含（摩尔％）：M1（1-99）; M2（99-1）; 和A1（0-98）。 - （M1） - （M2） - （A1）（I）[图像] M1：衍生自具有≥1个氟原子的2-3C烯属单体的结构单元; M2：衍生自> = 1的结构单元，选自具有式（II）的含氟醇结构的降冰片烯衍生物; A1：衍生自可与M1和M2共聚的单体的结构单元; Rf1>和Rf2> 1-10C氟代烷基或含醚键的氟代烷基; Y：OH基或使用酸改变为OH基的基团; X，F，Cl，1-10C烷基或含醚键的氟代烷基，≥1为氟或任选含有醚键的烷基; R：H或1-10C烷基; n：0-5。

17. 发明公开

EP0563605A1 Verfahren zum Erzeugen von Mikrostrukturen 失效
标题翻译： Verfahren zum Erzeugen von Mikrostrukturen。
公开(公告)号：EP0563605A1
公开(公告)日：1993-10-06
申请号：EP93103431.8
申请日：1993-03-03
申请人： Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH
发明人： Trautmann, Christine , Spohr, Reimar, Dr. , Angert, Norbert , Brüchle, Willy , Vetter, Johann
IPC分类号： B29C59/16 , B29C71/04 , B01D67/00 , C08J7/12
CPC分类号： H01L21/31133 , B01D67/0032 , B01D2323/08 , B01J19/081 , B29C59/16 , B29C71/04 , B29C2035/0872 , B29K2079/08 , C08J9/26 , C08J2201/046 , C08J2379/08 , C23F4/00 , G03F7/039 , H01L21/0279
摘要： Ein Verfahren zum Erzeugen von Mikrostrukturen wie Mikrolöchern oder -kanälen (7) in Festkörpern (1) durch Ätzen von Teilchenspuren (4), vorzugsweise von Kernspuren hochenergetischer schwerer Ionen aus einem Beschleuniger. Beim Ätzen wird der pH-Wert der Ätzflüssigkeit in mehreren Stufen variiert, da die sogenannte Selektivität, das Verhältnis der Spurätzrate zur Materialätzrate, vom pH-Wert der Ätzflüssigkeit abhängt. Auf diese Weise lassen sich genau vorbestimmbare Mikrostrukturen bzw. -poren erzeugen.
摘要翻译：通过蚀刻颗粒轨迹（4），优选地从加速器的高能重离子的核轨迹来生产固体（1）中的微孔或微通道（7）的微结构的方法。在蚀刻期间，蚀刻流体的pH根据所谓的选择性，轨道蚀刻速率与体蚀刻速率的比率取决于蚀刻流体的pH而在多个步骤中变化。以这种方式可以产生精确可预测的微结构和微孔。

18. 发明授权

US09512517B2 Multiple exposure treatment for processing a patterning feature 有权
标题翻译：用于处理图形特征的多次曝光处理
公开(公告)号：US09512517B2
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：US14645646
申请日：2015-03-12
申请人： Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
发明人： Tristan Y. Ma , Maureen K. Petterson , John Hautala , Ludovic Godet
IPC分类号： C23C14/48 , H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/36 , C23C14/04
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/042 , G03F7/36 , H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/0277 , H01L21/0279 , H01L21/31058
摘要： A method for processing a substrate may include providing a patterning feature on the substrate, the patterning feature having a sidewall. The method may further include implanting a first ion species into the patterning feature during a first exposure, the first ion species having a first implantation depth; and implanting a second ion species into the patterning feature during a second exposure, the second ion species having a second implantation depth less than the first implantation depth.
摘要翻译：用于处理衬底的方法可以包括在衬底上提供图案化特征，图案形成特征具有侧壁。该方法还可以包括在第一次曝光期间将第一离子物质注入到图案化特征中，第一离子物质具有第一注入深度; 以及在第二次曝光期间将第二离子物质注入所述图案化特征中，所述第二离子种类具有小于所述第一注入深度的第二注入深度。

19. 发明申请

US20160215385A1 MULTIPLE EXPOSURE TREATMENT FOR PROCESSING A PATTERNING FEATURE 有权
标题翻译：用于处理特征的多重曝光处理
公开(公告)号：US20160215385A1
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：US14645646
申请日：2015-03-12
申请人： Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
发明人： Tristan Y. Ma , Maureen K. Petterson , John Hautala , Ludovic Godet
IPC分类号： C23C14/48 , C23C14/04 , G03F7/36 , H01L21/027 , H01L21/3105
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/042 , G03F7/36 , H01L21/0273 , H01L21/0276 , H01L21/0277 , H01L21/0279 , H01L21/31058
摘要： A method for processing a substrate may include providing a patterning feature on the substrate, the patterning feature having a sidewall. The method may further include implanting a first ion species into the patterning feature during a first exposure, the first ion species having a first implantation depth; and implanting a second ion species into the patterning feature during a second exposure, the second ion species having a second implantation depth less than the first implantation depth.
摘要翻译：用于处理衬底的方法可以包括在衬底上提供图案化特征，图案形成特征具有侧壁。该方法还可以包括在第一次曝光期间将第一离子物质注入到图案化特征中，第一离子物质具有第一注入深度; 以及在第二次曝光期间将第二离子物质注入所述图案化特征中，所述第二离子种类具有小于所述第一注入深度的第二注入深度。

20. 发明授权

US08980418B2 Sequential infiltration synthesis for advanced lithography 有权
标题翻译：先进光刻的顺序渗透合成
公开(公告)号：US08980418B2
公开(公告)日：2015-03-17
申请号：US13427619
申请日：2012-03-22
申请人： Seth B. Darling , Jeffrey W. Elam , Yu-Chih Tseng , Qing Peng
发明人： Seth B. Darling , Jeffrey W. Elam , Yu-Chih Tseng , Qing Peng
IPC分类号： B32B27/32 , C03C15/00 , C03C25/68 , B32B15/08 , H01L21/027 , G03F7/40 , H01L21/3065 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/3081 , B81C1/00428 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , G03F7/0041 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0279 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , Y10T428/31522
摘要： A plasma etch resist material modified by an inorganic protective component via sequential infiltration synthesis (SIS) and methods of preparing the modified resist material. The modified resist material is characterized by an improved resistance to a plasma etching or related process relative to the unmodified resist material, thereby allowing formation of patterned features into a substrate material, which may be high-aspect ratio features. The SIS process forms the protective component within the bulk resist material through a plurality of alternating exposures to gas phase precursors which infiltrate the resist material. The plasma etch resist material may be initially patterned using photolithography, electron-beam lithography or a block copolymer self-assembly process.
摘要翻译：通过连续渗透合成（SIS）由无机保护组分改性的等离子体蚀刻抗蚀剂材料和制备改性抗蚀剂材料的方法。改进的抗蚀剂材料的特征在于相对于未改性的抗蚀剂材料具有改进的抗等离子体蚀刻或相关工艺的耐受性，从而允许将图案化特征形成到基底材料中，该基材可以是高纵横比特征。 SIS工艺通过对渗透抗蚀剂材料的气相前体的多次交替曝光而在体抗蚀材料内形成保护组分。可以使用光刻，电子束光刻或嵌段共聚物自组装工艺来初始图案化等离子体蚀刻抗蚀剂材料。

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