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11. 发明专利

JP5626812B2 半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP5626812B2
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：JP2012189479
申请日：2012-08-30
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：矢野　勝 , 勝矢野 , チャングルーピング , チャングルーピング
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/0483

12. 发明专利

JP2015022777A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2015022777A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013148117
申请日：2013-07-17
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： KAMINAGA TAKEHIRO
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G06F3/0688 , G06F3/0611 , G06F3/0659
摘要：【課題】起動時に最初に読出すページアドレスを設定しておき、起動時間の短縮することができるフラッシュメモリを提供する。【解決手段】フラッシュメモリは、起動時に最初に読み出されるページアドレスを設定するコンフィギュレーションレジスタ240と、起動時にコンフィギュレーションレジスタ240からページアドレスを読出し、読み出されたページアドレスに基づきメモリアレイから該当するページデータをページバッファ170に転送し、ページバッファ170からページデータを出力する内部シーケンスを実行するコントローラ150とを有する。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过在激活时设置要读取数据的页面地址来实现更短激活时间的闪速存储器。解决方案：闪速存储器包括：配置寄存器240，其设置页面地址在激活时首先读取数据; 以及控制器150，其在激活时从配置寄存器240读取页面地址，其将相应的页面数据从配置寄存器240传送到页面缓冲器170，并且执行从页面输出页面数据的内部序列缓冲器170。

13. 发明专利

JP2015015069A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2015015069A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014165515
申请日：2014-08-15
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： YANO MASARU , LOOPING CHANG
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要：【課題】小型化のセンス回路により高速読出しが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】セルユニットNUのドレイン側に接続されたビット線GBL_e、GBL_oと、偶数番目のセルユニットのソース側に接続された共通偶数ソース線SL_eと、奇数番目のセルユニットのソース側に接続された共通奇数ソース線SL_oと、センス回路160に接続するためのビット線を選択する第1の選択部210と、仮想電位VPREに接続するためのビット線を選択する第2の選択部220と、共通偶数ソース線SL_eおよび共通奇数ソース線SL_oに電圧を供給するソース電圧供給部230とを有する。GBL_eが選択されるとき、GBL_oには、仮想電位VPREからプリチャージ電圧が供給され、SL_oにはソース電圧供給部230からプリチャージ電圧が供給され、SL_eにはソース電圧供給部230からグランド電位が供給される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过小型化感测电路实现高速读出的半导体存储装置。解决方案：半导体存储装置包括：各自连接到单元单元NU的漏极侧的位线GBL_e和GBL_o; 连接到偶数单元单元的源极的公共偶数源极线SL_e; 连接到第奇单元单元的源极的公共奇数源极线SL_o; 用于选择要连接到感测电路160的位线的第一选择部分210; 用于选择要连接到虚拟电位VPRE的位线的第二选择部分220; 以及用于将电压馈送到公共偶数源极线SL_e和公共奇数源极线SL_o的源极电压馈送部230。当选择GBL_e时，从虚拟电位VPRE向GBL_o提供预充电电压，将预充电电压从源极电压馈送部230提供给SL_o，并且将接地电位从源电压馈送提供给SL_e 第230部分。

14. 发明专利

JP2015011748A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2015011748A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013137997
申请日：2013-07-01
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： SHIRATA RIICHIRO
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/3427
摘要：【課題】メモリセルの絶縁膜の劣化を抑制した新規なプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリのプログラム方法は、プログラムされるプログラムセルを含むストリングをビット線BLから電気的に隔離し、プログラムされない非プログラムセルを含むストリングをビット線BLに電気的に結合し、選択されたワード線にプログラム電圧を印加し、かつ非選択されたワード線にパス電圧を印加する。そして、プログラム電圧を印加している間に、Pウエル200内に電子を発生させ、空乏領域210によって電界加速されたホットエレクトロンをメモリセルに注入する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制存储单元的绝缘膜的劣化的新颖的程序方法。解决方案：在本发明的闪存的编程方法中，包含要编程的编程单元的串被电隔离并且包含未被编程的非编程单元的串被电连接到位线BL。选择的字线被施加编程电压，并且没有选择的字线被施加通过电压。然后，当施加编程电压时，在P阱200中产生电子，并且通过耗尽区210进行电场加速的热电子被注入到存储单元中。

15. 发明专利

JP2017091595A 不揮発性半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP2017091595A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015220506
申请日：2015-11-10
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： WANG PIN-YAO
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/32
摘要：【課題】消去動作を低消費電力化する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】フラッシュメモリは、メモリアレイ110A、110Bをみ、メモリアレイ110A、110Bは、各々がそれぞれPウエル内に形成された複数のグローバルブロックA_G_BLK1〜8、B_G_BLK1〜8を含む。選択されたグローバルブロックA_G_BLK1の消去を行った後、次の選択グローバルブロックが隣接する関係にあるとき、消去を行ったグローバルブロックA_G_BLK1のPウエル—1に蓄積された電荷を、次の選択グローバルブロック(A_G_BLK2又はB_G_BLK1)のPウエル—1に放電した後、次の選択グローバルブロック(A_G_BLK2又はB_G_BLK1)の消去を行う。【選択図】図8

16. 发明专利

JP6985431B2 抵抗変化型記憶装置有权
公开(公告)号：JP6985431B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2020000228
申请日：2020-01-06
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：矢野勝
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , G11C13/00 , H01L21/8239

17. 发明专利

JP6975296B1 半導体記憶装置および動作方法有权
公开(公告)号：JP6975296B1
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2020137324
申请日：2020-08-17
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C29/44 , G06F12/00 , G06F12/06 , G11C29/14
摘要：【課題】パワーオン動作時に設定情報の読出しが正しく行われたか否かを知ることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、電源電圧がパワーオン検出レベルになったことを検出したとき(S200)、フューズメモリの読出しを行い(S210)、フューズメモリの読出しが正しく行われたか否かを判定し(S220)、読出しが正しく行われなかったと判定した場合には、規定回数の範囲内でフューズメモリの再度読出を行い、フューズメモリから読み出した設定情報をCFレジスタにセットする(S240、S270)。さらに、フューズメモリの読出しが規定回数まで行われたか否かを識別する識別情報(POFAI=0、POFAIL=1)をステータスレジスタに格納する。【選択図】図4

18. 发明专利

JP6972223B2 NAND型フラッシュメモリおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6972223B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2020074501
申请日：2020-04-20
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：白田理一郎
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11582

19. 发明专利

JP6970769B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6970769B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2020024853
申请日：2020-02-18
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：須藤直昭
IPC分类号： G11C16/30 , G11C5/14

20. 发明专利

JP6968941B1 抵抗変化型クロスバーアレイ装置有权
公开(公告)号：JP6968941B1
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2020117559
申请日：2020-07-08
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：冨田泰弘 , 矢野勝
IPC分类号： G11C13/00
摘要：【課題】スニーク電流による書込み精度の悪化を抑制するクロスバーアレイ装置を提供する。【解決手段】本発明のシナプスアレイ装置100は、抵抗変化型メモリ素子が接続されたクロスバーアレイ110と、行選択/駆動回路120と、列選択/駆動回路130と、選択された抵抗変化型メモリ素子に書込みを行う書込み手段とを有する。書込み手段は、書込み電圧を印加する前に、選択された行ラインに書込み電圧を印加したときに生じるスニーク電流を測定し、その後、測定されたスニーク電流と書込み動作のために生成された電流との合計を有する書込み電圧を印加することで選択された抵抗変化型メモリ素子への書込みを行う。【選択図】図2

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