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11. 发明申请

WO2023280674A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFARHEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2023280674A1
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：PCT/EP2022/068083
申请日：2022-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , HUBER, Rainer , KLAFTA, Thomas , JANKA, Stephan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (3) und mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2), die an einer Montageseite (32) des Trägers (2) angebracht sind, wobei - der Träger (3) mehrere separate, metallische Leiterrahmenteile (34) und einen Vergusskörper (33) umfasst und der Vergusskörper (33) die Leiterrahmenteile (34) zusammenhält, - der Montageseite (32) eine Befestigungsseite (30) des Trägers (3) gegenüberliegt und die Befestigungsseite (30) für eine Oberflächenmontage des Halbleiterbauteils (1) eingerichtet ist, - die Leiterrahmenteile (34) den Vergusskörper (33) an der Montageseite (32) überragen, und - die optoelektronischen Halbleiterchips (2) Flip-Chips sind, sodass jeder der optoelektronischen Halbleiterchips (2) auf zumindest zwei der Leiterrahmenteile (34) angebracht ist und mittels dieser Leiterrahmenteile (34) elektrisch kontaktiert ist.

12. 发明申请

WO2020070223A1 OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG, TRÄGERPLATTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020070223A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/EP2019/076770
申请日：2019-10-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L33/48 , H01L23/544 , H01L33/00
摘要： Es wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung beschrieben mit: wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterbauteil zur Erzeugung von Licht, wenigstens einem Träger für das Halbleiterbauteil, und einer Beschichtung auf zumindest einem Teil einer Oberfläche des Trägers, wobei die Oberfläche des Trägers eine Kennzeichnung aufweist, die von wenigstens einer Erhebung auf der Oberfläche des Trägers gebildet wird, wobei die Beschichtung die wenigstens eine Erhebung zumindest teilweise umgibt, und wobei zumindest eine von der Oberfläche entfernt liegende Frontseite der Erhebung zumindest nicht vollständig von der Beschichtung bedeckt ist.

13. 发明申请

WO2019145350A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019145350A1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/EP2019/051608
申请日：2019-01-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HIEN, Matthias , GOLDBACH, Matthias , ZITZLSPERGER, Michael , PEYKER, Ludwig
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/00 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens zwei Leiterrahmenteile (21, 22) sowie einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der in einem Montagebereich (24) auf einem der Leiterrahmenteile (21) angebracht ist. Die Leiterrahmenteile (21, 22) sind über einen Vergusskörper (4) mechanisch miteinander verbunden. Der Halbleiterchip (3) ist in den Vergusskörper (4) eingebettet. In dem Montagebereich (24) weist das betreffende Leiterrahmenteil (21) eine reduzierte Dicke (D1) auf. Eine elektrische Leitung (5) ist über den Vergusskörper (4) hinweg vom Halbleiterchip (3) zu einem Anschlussbereich (25) eines weiteren der Leiterrahmenteile (22) geführt. In dem Anschlussbereich (25) weist das betreffende Leiterrahmenteil (22) die volle Dicke (D2) auf. Vom Anschlussbereich (25) hin zum Halbleiterchip (3) überwindet die Leitung (5) keinen signifikanten Höhenunterschied.

14. 发明申请

WO2018162583A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MINDESTENS EINEM HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018162583A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/EP2018/055653
申请日：2018-03-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , KÜHNELT, Michael , REITH, Andreas , NAGEL, Peter
IPC分类号： H01L21/78 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Halbleiterbauelement (11) angegeben mit den aufeinander folgenden Schritten: -Bereitstellen von mindestens einem Halbleiterchip (1) umfassend: -ein Chipsubstrat (2) -eine auf dem Chipsubstrat (2) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (3), -eine erste Hauptfläche (1A) und eine der ersten Hauptfläche (1A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (1B), -mindestens eine Seitenfläche (1C), die quer zu der ersten und zweiten Hauptfläche (1A, 1B) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (1) an der Seitenfläche (1C) Spuren (8) einer Vereinzelung aufweist, -Bereitstellen eines Trägers (9) mit einer Montagefläche (9A), -Montage des mindestens einen Halbleiterchips (1) auf dem Träger (9), wobei die erste Hauptfläche (1A) des mindestens einen Halbleiterchips (1) mit der Montagefläche (9A) des Trägers (9) verbunden wird, -Ätzen des Halbleiterchips (1) an der Seitenfläche (1C). Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement(11) angegeben, das mit einem derartigen Verfahren hergestellt werden kann.

15. 发明申请

WO2016087444A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射光电半导体器件与方法研究
公开(公告)号：WO2016087444A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/078221
申请日：2015-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , ILLEK, Stefan , ZITZLSPERGER, Michael , GÖÖTZ, Britta
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/507 , H01L33/505 , H01L2933/0041
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (S), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht (R) tritt, einer ersten Barriereschicht (1), die an einer Oberseite der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) angeordnet ist und dort zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) steht, einem Konversionselement (3), welches an der der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) abgewandten Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, einer zweiten Barriereschicht (2), die an der der ersten Barriereschicht (1) abgewandten Oberseite des Konversionselements (3) und an der Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, wobei die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) das Konversionselement (3) gemeinsam vollständig umschließen, und die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) stellenweise in direktem Kontakt miteinander stehen.
摘要翻译：它是通过使半导体成分光（R）的操作过程中所产生的辐射穿透表面（S）所表示的发射辐射的光电子半导体器件时，第一阻挡层（1）中，（S）中至少局部地设置在辐射穿透表面的上侧，并且有与辐射穿透表面（S）的直接接触是，一个转换元件（3），所述第一阻挡层，其中该顶部朝向由式（1）被布置成离开辐射穿透表面（S），第二阻挡层（2）形成在第一阻挡层上（1 ）从转换元件背对上侧（3）和在所述第一阻挡层的顶部（1）布置，其中所述第一势垒层（1）和所述第二阻挡层（2）完全围绕所述转换元件（3）在共同的，并且所述第一势垒层（1 ）和直接接触miteinande所述第二阻挡层（2）在本地 [R站立。

16. 发明申请

WO2015140213A1 VERFARHEN ZUR HERSTELLUNG EINES GEHÄUSES FÜR EIN ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS, GEHÄUSE FÜR EIN ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： VERFARHEN制造用于电子元件和电子元件，外壳，收容的电子元器件及电子零件
公开(公告)号：WO2015140213A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/EP2015/055687
申请日：2015-03-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： B29C45/14 , H01L21/56
CPC分类号： B29C45/14655 , B29C43/18 , B29C45/0053 , B29C45/02 , B29C2043/181 , B29C2793/0072 , B29K2705/04 , B29L2031/3481 , H01L21/4803 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/043
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses (31) für ein elektronisches Bauelement (40)angegeben, bei dem in einem dreidimensionalen Formprozess mit einem Kunststoff ein Gehäuseteileverbund (20) einer Mehrzahl zusammenhängender Kunststoffgehäuseteile (21) hergestellt wird unddurch ein Trennverfahren der Gehäuseteileverbund (20) in eine Mehrzahl einzelner Kunststoffgehäuseteile (21) zerteilt wird, von denen jedes zumindest einen Teil eines Gehäuses (31) bildet, wobei der Formprozess Transfer-Spritzpressen oder Formpressen ist,wobei für den Formprozess ein Formwerkzeug (90) verwendet wird, das Formstifte (93) aufweist, durch die beim Formprozess angeformte erste Seitenflächen (23) an jedem der Kunststoffgehäuseteile (21) erzeugt werden,wobei durch das Trennverfahren an jedem der Kunststoffgehäuseteile (21) zweite Seitenflächen (24) erzeugt werden undwobei die ersten und zweiten Seitenflächen (23, 24) Außenflächen der Kunststoffgehäuseteile (21) bilden. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einem solchen Gehäuse, ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement und ein elektronisches Bauelement mit einem solchen Gehäuse angegeben.
摘要翻译：提供了一种方法，用于用于电子元件（40）产生的壳体（31），其中，在三维成型方法制备具有塑料的多个连续的塑料外壳部分（21）andby壳体部分化合物的分离过程的一个壳体部分复合物（20）（20 ）为（在多个单独的塑料外壳部分21）的部分，其中的每一个形成至少（壳体31），在模制过程传递成型或压缩成型，其特征在于，模具（90）被用于模制工艺的一部分，模具销（ 93）（通过在每个塑料外壳的部件（21）的模制过程的第一侧表面23）中整体形成的产生，其中（由分离过程到每个塑料外壳的部件21）第二侧面（24），并且其中产生所述第一和第二侧表面（23 24形式，）的塑料外壳部分（21）的外表面。此外，对于具有这样的壳体的电子部件的方法，用于电子部件的外壳和电子部件被提供有这样的壳体。

17. 发明申请

WO2015059030A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2015059030A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/EP2014/072242
申请日：2014-10-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , GEBUHR, Tobias
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/495
CPC分类号： H01L33/62 , H01L23/49548 , H01L23/49861 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt, der zumindest teilweise in ein Kunststoffmaterial eingebettet ist. Eine Chiplandefläche und eine Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts sind zumindest teilweise nicht durch das Kunststoffmaterial bedeckt. Die Chiplandefläche weist eine erste obere Rille auf. Die Lötkontaktfläche weist eine erste untere Rille auf.
摘要翻译：的光电元件包括一个至少部分地嵌入在塑料材料中的第一引线框架部分。一种芯片着陆区和第一引线框架部分的焊料衬垫至少部分地未覆盖的塑料材料。该芯片着陆区包括第一上槽。焊盘具有第一下部凹槽。

18. 发明申请

WO2013167567A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES BAUELEMENTTRÄGERS, EINER ELEKTRONISCHEN ANORDNUNG UND EINER STRAHLUNGSANORDNUNG UND BAUELEMENTTRÄGER, ELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND STRAHLUNGSANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：制造方法分量载波，电子器件和辐射系统和部件的载体，电子设备和辐射安排
公开(公告)号：WO2013167567A1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：PCT/EP2013/059445
申请日：2013-05-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GRÖTSCH, Stefan , SCHWARZ, Thomas , ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L21/4828 , H01L23/49568 , H01L33/64 , H01L33/644 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12044 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , Y10T29/49121 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementträgers für ein elektronisches Bauelement (60) bereitgestellt, bei dem zunächst ein Leiterrahmenabschnitt (30) bereitgestellt wird. Der Leiterrahmenabschnitt (30) weist ein elektrisch leitfähiges Material auf. Der Leiterrahmenabschnitt (30) weist weiter einen ersten Kontaktabschnitt (32) zum Ausbilden eines ersten elektrischen Kontaktelements (42), einen zweiten Kontaktabschnitt (34) zum Ausbilden eines zweiten elektrischen Kontaktelements (44) und einen Aufnahmebereich (38) zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements (60) auf. Zumindest der Aufnahmebereich (38) und der zweite Kontaktabschnitt (34) sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Zumindest auf einer dem Aufnahmebereich (38) gegenüberliegenden Seite des Leiterrahmenabschnitts (30) wird ein thermisch leitendes und elektrisch isolierendes Zwischenelement (50) zum Abführen von Wärme aus dem Aufnahmebereich (38) und zum elektrischen Isolieren des Aufnahmebereichs (38) ausgebildet. Zumindest auf einer dem Aufnahmebereich (38) abgewandten Seite des Zwischenelements (50) wird ein Thermokontakt (52) zum thermischen Kontaktieren des elektronischen Bauelements (60) ausgebildet.
摘要翻译：在各种实施方案中，提供了一种制造分量载波提供了一种电子元件（60）的一种方法，其中第一，引线框架部分（30）。所述引线框架部分（30）具有导电材料。所述引线框架部分（30）还包括用于形成用于形成用于容纳所述电子部件的第二电接触部件（44）和一个接收区域（38）的第一电接触部件（42），（第二接触部分（34）的第一接触部（32） 60）。至少接收区域（38）和所述第二接触部（34）导电地连接到彼此。至少在接收区（38）的引线框架部分（30）的热传导的相对侧中的一个和电绝缘的中间元件（50），用于从所述接收区域（38）除去热量，并用于电隔离形成在所述接收区域（38）。远离至少在接收区（38）中的一个中间构件（50）的一侧形成有用于将电子部件（60）热接触的热接触（52）。

19. 发明申请

WO2011161183A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011161183A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/060485
申请日：2011-06-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
发明人： RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L27/15 , H01S5/022 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01L25/075 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (100), angegeben, mit einem Grundkörper (1), der eine Oberseite (11) sowie eine der Oberseite (11) gegenüberliegende Unterseite (12) aufweist, wobei der Grundkörper (1) eine erste Anschlussstelle (A1) und eine zweite Anschlussstelle (A2) sowie ein Gehäusematerial (2) aufweist; zumindest einem optoelektronischen Bauteil (3), das an der Oberseite (12) des Grundkörpers (1) am Grundkörper (1) angeordnet ist; einem an der Oberseite (11) des Grundkörpers (1) angeordneten Verguss (4), der das optoelektronische Bauteil (3) und den Grundkörper (1) zumindest stellenweise bedeckt; zumindest einer Öffnung (5), die den Verguss (4) und das Gehäusematerial (2) durchdringt und sich von einer dem Grundkörper (1) abgewandeten Oberseite (41) des Vergusses (4) in Richtung der Unterseite (12) des Grundkörpers (1) erstreckt, wobei, in der Öffnung (5) zumindest stellenweise ein elektrisch leitendes Material (6) angeordnet ist, und das elektrisch leitende Material (6) sich zumindest stellenweise an der Oberseite (41) des Vergusses (4) erstreckt.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件（100）表示，具有基体（1），该（11）具有顶部（11）和底部（12）相对的顶侧中的一个，其中，所述基体（1）具有第一连接点（A1）和第二连接点（A2），以及一个外壳材料（2）; （3）附连到所述基体（1）的顶侧（12）在所述基体（1）被布置在至少一个光电部件; 一个在基体（1）的顶部（11），被布置在封装（4）光电元件（3）和所述基体（1）至少在某些地方; 至少一个开口（5），灌封（4）和壳体材料（2）穿透并且背离的所述基体（1）的上侧（41）的距离的铸件（4）朝向所述基体的底部（12）（1 ），其特征在于，在所述开口（5）被布置成至少局部地由导电材料（6），和所述导电材料（6）至少局部地延伸（在封装的上侧41）（4）。

20. 发明申请

WO2011157522A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：表面安装光电子器件及其制造方法的表面安装光电子器件
公开(公告)号：WO2011157522A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/058583
申请日：2011-05-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZITZLSPERGER, Michael , JÄGER, Harald
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , JÄGER, Harald
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/97 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1715 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (10), einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einem Chipträger (3) angegeben. In dem Chipträger (3) ist eine Kavität (31) ausgebildet, in der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist. Ein Formkörper (5) umgibt den Chipträger (3) zumindest bereichsweise, wobei sich der Chipträger (3) in einer senkrecht zur Strahlungsdurchtrittsfläche (10) verlaufenden vertikalen Richtung vollständig durch den Formkörper (5) hindurch erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有辐射通过表面（10），光电子半导体芯片（2）和芯片载体（3）的表面安装的光电器件（1）。在芯片载体（3）的空腔（31）形成，其中，所述半导体芯片（2）被布置。的模制体（5）至少包围的区域中的芯片载体（3），其中，所述芯片载体（3）的方向垂直于所述辐射穿透面（10）垂直的方向完全穿过模制体（5）延伸延伸。此外，被指定用于制造表面安装的光电子器件的方法。

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