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11. 发明申请

WO2005041313A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER DÜNNSCHICHT-HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：辐射的薄膜半导体芯片
公开(公告)号：WO2005041313A1
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/DE2003/003222
申请日：2003-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： EISERT, Dominik , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/10 , H01L33/46
摘要： Die Erfindung offenbart einen strahlungsemittierenden Dünnschicht-Halbleiterchip mit einer epitaktischen Mehrschichtstruktur (12), die eine aktive, strahlungserzeugende Schicht (14) enthält und eine erste Hauptfläche (16) und eine der ersten Hauptfläche abgewandte zweite Hauptfläche (18) zum Auskoppeln der in der aktiven, strahlungserzeigenden Schicht erzeugten Strahlung aufweist. Weiter ist die erste Hauptfläche (16) der Mehrschichtstruktur (12) mit einer reflektierenden Schicht bzw. Grenzfläche gekoppelt, und der an die zweite Hauptfläche (18) der Mehrschichtstruktur angrenzende Bereich (22) der Mehrschichtstruktur ist ein- oder zweidimensional mit konvexen Erhebungen (26) strukturiert ist.
摘要翻译：本发明公开了一种具有外延的多层结构（12），其包含用于在所述提取的活性的活性，产生辐射的层（14）和一第一主表面（16）和从第二主表面（18）背向所述第一主表面中的一个的发射辐射的薄膜半导体芯片具有strahlungserzeigenden产生层辐射。接着，对多层结构的第一主表面（16）（12）耦合的多层结构的多层结构邻接的区域（22）为一维或二维具有凸脊的反射层或边界表面，并且所述第二主表面（18）（26 ）的结构。

12. 发明申请

WO2003009399A1 GALLIUMNITRID-BASIERTE LED UND IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：氮化镓基于LED及其制造方法
公开(公告)号：WO2003009399A1
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/DE2002/002677
申请日：2002-07-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , HANGLEITER, Andreas , HÄRLE, Volker
发明人： HAHN, Berthold , HANGLEITER, Andreas , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis eines Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiters vorgeschlagen, mit einer lichtemittierenden Schicht (2) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, die aus einem Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist; einer ersten Überzugsschicht (3), die mit der ersten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem n-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet; und einer zweiten Überzugsschicht (4), die mit der zweiten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem p-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet. Zur Verbesserung der Lumineszenzausbeute der Vorrichtung (1) ist die Dicke der lichtemittierenden Schicht (2) in der Nähe von Versetzungen (10) geringer als im übrigen Be-reich ausgebildet.
摘要翻译：所以建议制造光基于一个氮化镓基化合物半导体发光器件的方法，用（2），具有第一和被氮化镓系化合物半导体形成的第二主表面上的发光层; 的第一涂层（3），其连接到所述发光层（2）的第一主表面和n型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同的形成; 并且连接到所述发光层（2）的所述第二主表面和p型化合物半导体氮化镓其组成不同于所述发光层的化合物半导体的不同所形成的第二涂层（4）。为了提高所述设备（1）的发光层的厚度（2）大于富处于另一位错的附近（10）少的发光效率。

13. 发明申请

WO2012089540A1 VERBUNDSUBSTRAT, HALBLEITERCHIP MIT VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON VERBUNDSUBSTRATEN UND HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：复合基材，具有产生复合衬底及半导体芯片复合基材和方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012089540A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/EP2011/073134
申请日：2011-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , C09K11/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02612 , H01L21/78 , H01L24/73 , H01L29/02 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/46 , H01L33/507 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Träger (2) und einer Nutzschicht (5) angegeben, wobei die Nutzschicht mittels einer dielektrischen Verbindungsschicht (3) an dem Träger (2) befestigt ist und der Träger (2) ein Strahlungskonversionsmaterial enthält. Weiterhin werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Verbundsubstrat, ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit einem Verbundsubstrat angegeben.
摘要翻译：有由（2）被固定在载体上的介电粘结层（3）和所述载体（2）包括一个辐射转换材料与支撑件（2）和耐磨层（5）提供一种复合衬底（1），与所述耐磨层。此外，半导体芯片（10）具有这样的复合衬底，一种制造复合基板的制造方法和用于制造半导体芯片的方法都标有一个复合基板。

14. 发明申请

WO2010009690A1 STRAHLUNGEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：具有防止电气放电及对应的方法STRAHLUNGEMITTIERENDER半导体芯片
公开(公告)号：WO2010009690A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/DE2009/000885
申请日：2009-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , STREUBEL, Klaus , KLEIN, Markus
发明人： ENGL, Karl , HAHN, Berthold , STREUBEL, Klaus , KLEIN, Markus
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/40
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) auf. Der aktive Bereich ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist auf der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Der Halbleiterkörper weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurcherstreckt. Die erste Halbleiterschicht ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung von der ersten Halbleiterschicht in Richtung des Trägers erstreckt. Die erste Anschlussschicht ist mit der zweiten Halbleiterschicht über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。半导体层序列具有提供用于产生辐射激活区（20），第一半导体层（21）和第二半导体层（22）。所述有源区设置在第一半导体层和第二半导体层之间。所述第一半导体层被设置在有源区的碱基远程侧。半导体本体具有至少一个凹部（25）延伸穿过所述活性区域。第一半导体层导电地连接至第一连接层（31），其中，在从在所述载体的方向上的第一半导体层延伸的凹部中的第一连接层。第一连接层是通过保护二极管（4）电连接到所述第二半导体层。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

15. 发明申请

WO2006128446A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT EINER KONTAKTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：带有接触结构的LED芯片
公开(公告)号：WO2006128446A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/DE2006/000954
申请日：2006-06-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas , GUENTHER, Ewald Karl Michael , EBERHARD, Franz , RICHTER, Markus , STRAUSS, Jörg
发明人： HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , BAUR, Johannes , OBERSCHMID, Raimund , WEIMAR, Andreas , GUENTHER, Ewald Karl Michael , EBERHARD, Franz , RICHTER, Markus , STRAUSS, Jörg
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einem Lumineszenzdiodenchip mit einer Strahlungsaustrittsfläche (1) und einer Kontaktstruktur (2, 3, 4), die auf der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet ist, und ein Bondpad (4) und mehrere zur Stromaufweitung vorgesehene Kontaktstege (2, 3), die mit dem Bondpad (4) elektrisch leitend verbunden sind, umfasst, ist das Bondpad (4) in einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche (1) angeordnet. Der Lumineszenzdiodenchip zeichnet sich insbesondere durch eine verminderte Absorption der emittierten Strahlung (23) in der Kontaktstruktur (2, 3, 4) aus.
摘要翻译：在具有辐射出射表面（1）和一个接触结构的LED芯片（2，3，4）的辐射出射表面上的（1）被布置，并且被设置用于电流扩散接触接片的键合焊盘（4）和多个（2,3）与键合焊盘（4）导电连接包括，键合焊盘（4）被布置在所述辐射出射表面的边缘区域（1）。 LED芯片是通过减小在接触结构所发射的辐射（23）的吸收，其特征在于特别是（2，3，4）。

16. 发明申请

WO2006089512A1 MODUL MIT STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERKÖRPERN 审中-公开
标题翻译：与发射辐射的半导体本体MODULE
公开(公告)号：WO2006089512A1
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/DE2006/000232
申请日：2006-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , SCHNABEL, Wolfgang
发明人： GRÖTSCH, Stefan , HAHN, Berthold , ILLEK, Stefan , SCHNABEL, Wolfgang
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2924/0102 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041
摘要： Es wird ein Modul mit einer regelmäßigen Anordnung von einzelnen, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) beschrieben, die auf einer Montagefläche (6) eines Trägers (2) aufgebracht sind, wobei eine Drahtverbindung zwischen zwei benachbarten, strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (1) auf einer der Montagefläche (6) gegenüberliegenden Oberseite der beiden strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) angebracht ist.
摘要翻译：中，描述了具有（1）安装在载体（2）的安装表面（6）单独的发射辐射的半导体体阵列的模块被施加，其中两个相邻的发射辐射的半导体体之间的导线连接（1）（在安装表面的一个 6）在两个发射辐射的半导体本体的相对顶部安装（1）。

17. 发明申请

WO2005024962A3 DÜNNSCHICHT-LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2005024962A3
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/DE2004/001854
申请日：2004-08-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein Dünnschicht-Leuchtdiodenchip (5) mit einer auf einem Trägerelement (2) angeordneten Epitaxieschichtenfolge (6), die eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Zone (8) aufweist, und einer an einer zu dem Trägerelement (2) hin gewandten Hauptfläche der Epitaxieschichtenfolge (6) angeordneten reflektierenden Schicht (3), die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge (6) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, beansprucht, bei dem auf einer vom Trägerelement (2) abgewandten Strahlungsauskoppelfläche (7) der Epitaxieschichtenfolge (6) eine strukturierte Schicht (1) angeordnet ist, die ein Glasmaterial enthält und eine Strukturierung aufweist, die nebeneinanderliegende, sich in Richtung von der Strahlungsauskoppelfläche (7) weg verjüngende Vorsprünge (5) umfaßt, die ein laterales Rastermaß kleiner als eine Wellenlänge einer aus der Epitaxieschichtenfolge (6) emittierten elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Die strukturierte Schicht (1) wird vorteilhaft als Spin-on-Glas aufgebracht und durch Grautonlithographie strukturiert.

18. 发明申请

WO2004077578A2 BELEUCHTUNGSMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：照明模块与方法研究
公开(公告)号：WO2004077578A2
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/DE2004/000040
申请日：2004-01-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： HÄRLE, Volker , HAHN, Berthold , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungsmodul mit zumindest einem auf einem elektrische Anschlussleiter aufweisenden Chipträger aufgebrachten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, der eine erste une eine zweite elektrische Anschlussseite sowie eine epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtfolge aufweist. Die Halbleiterschichtfolge weist eine n-leitende Halbleiterschicht, eine p-leitende Halbleiterschicht und einen zwischen diesen beiden Halbleiterschichten angeordneten elektromagnetische Strahlung erzeugenden Bereich auf und ist auf einem Träger angeordnet. Zudem weist sie an einer zu dem Träger hin gewandten Hauptfläche eine reflektierende Schicht auf, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert. Die Halbleiterschichtfolge weist mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer mikrostrukturierten, rauhen Fläche auf. Die Auskoppelfläche des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist im Wesentlichen durch eine von der reflektierenden Schicht abgewandten Hauptfläche definiert und ist frei von Gehäusematerial wie Verguss- oder Verkapselungsmaterial.
摘要翻译：本发明涉及一种照明模块，包括至少一个具有一种半导体芯片载体具有第一UNE的第二电端子侧和外延制造的半导体层序列淀积薄膜发光二极管芯片电连接。半导体层序列具有n型半导体层，p型半导体层和设置在这两个半导体层之间的电磁辐射产生部分和设置在载体上。此外，它有一个朝向正对支撑主表面上的反射层，其反射回在它的半导体层序列中产生的电磁辐射的至少一部分。半导体层序列具有至少一个微结构化的，粗糙的表面的至少一个半导体层。该薄膜发光芯片的输出表面基本上由面向从反射层主表面远离的一侧形成，并且自由外壳材料，如灌封或包封材料的。

19. 发明申请

WO2004032248A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2004032248A3
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/DE2003/003157
申请日：2003-09-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsdurchlässigen Substrat (1), auf dessen Unterseite eine strahlungserzeugende Schicht (2) angeordnet ist, bei dem das Substrat (1) geneigte Seitenflächen (3) aufweist, bei dem der Brechungsindex des Substrates (1) größer ist als der Brechungsindex der strahlungserzeugenden Schicht, bei dem aus dem Brechungsindexunterschied ein unbeleuchteter Substratbereich (4) resultiert, in den keine Photonen unmittelbar aus der strahlungserzeugenden Schicht eingekoppelt werden, und bei dem das Substrat (1) im unbeleuchteten Bereich im wesentlichen senkrechte Seitenflächen (5) aufweist. Das Bauelement hat den Vorteil, daß es mit einer besseren Flächenausbeute aus einem Wafer hergestellt werden kann.

20. 发明申请

WO2004030108A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2004030108A3
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/003147
申请日：2003-09-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , PLÖSSL, Andreas , STEIN, Wilhelm
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , PLÖSSL, Andreas , STEIN, Wilhelm
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Bei einem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur (12), die eine Photonen emittierende aktive Schicht (16), eine n-dotierte Mantelschicht (14) und eine p-dotierte Mantelschicht (18) enthält, einem mit der n-dotierten Mantelschicht (14) verbundenen Kontakt, und einer mit der p-dotierten Mantelschicht (18) verbundenen Spiegel-schicht (20), ist die Spiegelschicht (20) erfindungsgemäß durch eine Legierung von Silber mit einem oder mehreren Metallen der Gruppe Ru, Rh, Pd, Au, Os, Ir, Pt, Cu, Ti, Ta und Cr gebildet.

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