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11. 发明专利

MY160997A BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 未知
公开(公告)号：MY160997A
公开(公告)日：2017-03-31
申请号：MYPI2016700633
申请日：2015-05-20
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , DEAI HIROYUKI , ODA DAIZO
IPC分类号： C22F1/00 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L21/60
摘要： The present invention provides a bonding wire which can satisfy bonding reliability, spring performance, and chip damage performance required in high-density packaging. A bonding wire contains one or more of In, Ga, and Cd for a total of 0.05 to 5 at%, and a balance being made up of Ag and incidental impurities.

12. 发明专利

MY159518A BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 未知
公开(公告)号：MY159518A
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：MYPI2010000596
申请日：2008-12-02
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： UNO TOMOHIRO , KIMURA KEIICHI , YAMADA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/60 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/00
摘要： IT IS AN OBJECT OF THE PRESENT INVENTION TO PROVIDE A HIGHLY-FUNCTIONAL BONDING WIRE WHICH HAS GOOD WIRE-SURFACE NATURE, LOOP LINEARITY, STABILITY OF LOOP HEIGHTS, AND STABILITY OF A WIRE BONDING SHAPE, AND WHICH CAN COPE WITH SEMICONDUCTOR PACKAGING TECHNOLOGIES, SUCH AS THINNING, ACHIEVEMENT OF A FINE PITCH, ACHIEVEMENT OF A LONG SPAN, AND THREE-DIMENSIONAL PACKAGING. A SEMICONDUCTOR-DEVICE BONDING WIRE COMPRISES A CORE MEMBER FORMED OF AN ELECTRICALLY-CONDUCTIVE METAL, AND A SKIN LAYER MAINLY COMPOSED OF A FACE-CENTERED CUBIC METAL DIFFERENT FROM THE CORE MEMBER AND FORMED THEREON. THE PERCENTAGE OF ORIENTATIONS IN CRYSTALLINE ORIENTATIONS IN THE LENGTHWISE DIRECTION IN THE SURFACE OF THE SKIN LAYER IS GREATER THAN OR EQUAL TO 50%.

13. 发明专利

DE112016005747T5 Bonddraht für ein Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE112016005747T5
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：DE112016005747
申请日：2016-06-24
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , ODA DAIZO , YAMADA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/60 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06
摘要： Ein Bonddraht für ein Halbleiterbauelement, der als Bonddraht für fahrzeugeigene Vorrichtungen geeignet ist, eine ausgezeichnete Kapillarenverschleißfestigkeit und Oberflächenfehlerbeständigkeit aufweist, während er eine hohe Bondzuverlässigkeit gewährleistet und ferner die Gesamtleistungsfähigkeit einschließlich der Ball-Formbarkeit und der Wedge-Bondfähigkeit erfüllt, wobei der Bonddraht aufweist: ein Cu-Legierungskernmaterial; eine auf einer Oberfläche des Cu-Legierungskernmaterials ausgebildete Pd-Überzugschicht und eine auf einer Oberfläche der Pd- Überzugschicht ausgebildete Cu-Oberflächenschicht, wobei der Bonddraht für ein Halbleiterbauelement Ni enthält, die Konzentration des Ni im Bonddraht 0,1 bis 1,2 Gew.-% beträgt, die Dicke der Pd- Überzugschicht 0,015 um 0,150 µm beträgt und die Dicke der Cu-Oberflächenschicht 0,0005 bis 0,0070 µm beträgt.

14. 发明专利

DE112015004364T9 Bonddraht für Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112015004364T9
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：DE112015004364
申请日：2015-09-18
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI , HAIBARA TERUO
IPC分类号： H01L21/60
摘要： Es wird ein Cu-Bonddraht mit einer Pd-Überzugschicht auf seiner Oberfläche bereitgestellt, der die Verbindungszuverlässigkeit eines kugelgebondeten Teils in einer Hochtemperatur- und Hochfeuchtigkeitsumgebung verbessert und für Vorrichtungen im Fahrzeug geeignet ist. Der Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Cu-Legierungskernmaterial und eine Pd-Überzugschicht, die auf seiner Oberfläche ausgebildet ist, und der Bonddraht enthält ein oder mehrere Elemente von As, Te, Sn, Sb, Bi und Se in einer Gesamtmenge von 0,1 bis 100 Massen-ppm. Mit diesem Aufbau ist er fähig, die Langlebigkeit der Verbindung eines kugelgebondeten Teils in einer Hochtemperatur- und Hochfeuchtigkeitsumgebung zu erhöhen und somit die Verbindungszuverlässigkeit zu verbessern. Wenn das Cu-Legierungskernmaterial ferner ein oder mehrere von Ni, Zn, Rh, In, Ir, Pt, Ga und Ge für jedes in einer Menge von 0,011 bis 1,2 Massen-% enthält, ist es fähig, die Zuverlässigkeit eines kugelgebondeten Teils in einer Hochtemperaturumgebung von 170°C oder mehr zu erhöhen. Wenn ferner eine Legierungshautschicht, die Au und Pd enthält, auf einer Oberfläche der Pd-Überzugschicht ausgebildet ist, verbessert sich die Keil-Bondfähigkeit.

15. 发明专利

MY162021A BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USE AND METHOD OF PRODUCTION OF SAME 未知
公开(公告)号：MY162021A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：MYPI2015704123
申请日：2013-03-31
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , OISHI RYO , HAIBARA TERUO , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/60 , B21C1/00 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14
摘要： Bonding wire for semiconductor device use where both leaning failures and spring failures are suppressed by (1) in a cross—section containing the wire center and parallel to the wire longitudinal direction (wire center cross- section), there are no crystal grains with a ratio a/b of a long axis “a” and a short axis “b” of 10 or more and with an area of 15 i2 or more (“fiber texture”), (2) when measuring a crystal direction in the wire longitudinal direction in the wire center cross—section, the ratio of crystal direction with an angle difference with respect to the wire longitudinal direction of 15° or less is, by area ratio, 10% to less than 50%, and (3) when measuring a crystal direction in the wire longitudinal direction at the wire surface, the ratio of crystal direction with an angle difference with respect to the wire longitudinal direction of 15° or less is, by area ratio, 70% or more. During the drawing step, a drawing operation with a rate of reduction of area of 15.5% or more is performed at least once. The final heat treatment temperature and the pre—final heat treatment temperature are made predetermined ranges.

16. 发明专利

SG11201509513SA BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USE AND METHOD OF PRODUCTION OF SAME 未知
公开(公告)号：SG11201509513SA
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：SG11201509513S
申请日：2015-03-31
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： YAMADA TAKASHI , ODA DAIZO , OISHI RYO , HAIBARA TERUO , UNO TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/60 , B21C1/00 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14
摘要： Bonding wire for semiconductor device use where both leaning failures and spring failures are suppressed by (1) in a cross-section containing the wire center and parallel to the wire longitudinal direction (wire center cross-section), there are no crystal grains with a ratio a/b of a long axis "a" and a short axis "b" of 10 or more and with an area of 15 µm 2 or more ("fiber texture"), (2) when measuring a crystal direction in the wire longitudinal direction in the wire center cross-section, the ratio of crystal direction with an angle difference with respect to the wire longitudinal direction of 15° or less is, by area ratio, 50% to 90%, and (3) when measuring a crystal direction in the wire longitudinal direction at the wire surface, the ratio of crystal direction with an angle difference with respect to the wire longitudinal direction of 15° or less is, by area ratio, 50% to 90%. During the drawing steep, a drawing operation with a rate of reduction of area of 15.5% or more is performed at least once. The final heat treatment temperature and the pre-final heat treatment temperature are made predetermined ranges.

17. 发明公开

EP3029167A4 BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 有权转让
标题翻译： VERBINDUNGSDRAHTFÜRHALBLEITERBAUELEMENT
公开(公告)号：EP3029167A4
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：EP15819755
申请日：2015-05-20
申请人： NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO , NIPPON MICROMETAL CORP
发明人： OYAMADA TETSUYA , UNO TOMOHIRO , DEAI HIROYUKI , ODA DAIZO
IPC分类号： H01L23/49 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14
CPC分类号： H01L24/45 , C22C5/10 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45015 , H01L2224/45101 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45117 , H01L2224/45138 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45163 , H01L2224/45164 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48479 , H01L2224/48507 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01005 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01004 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01203 , H01L2924/01044 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2224/48471 , H01L2924/00015 , H01L2924/01008 , H01L2924/00012 , H01L2924/013 , H01L2924/01033 , H01L2224/4554
摘要： The present invention provides a bonding wire which can satisfy bonding reliability, spring performance, and chip damage performance required in high-density packaging. A bonding wire contains one or more of In, Ga, and Cd for a total of 0.05 to 5 at%, and a balance being made up of Ag and incidental impurities.
摘要翻译：本发明提供一种能够满足高密度封装所需的接合可靠性，弹簧性能和芯片损伤性能的接合线。接合线包含总计0.05-5原子％的In，Ga和Cd中的一种或多种，余量由Ag和不可避免的杂质组成。

18. 发明公开

EP3086362A4 BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 有权转让
标题翻译： VERBINDUNGSDRAHTFÜRHALBLEITERBAUELEMENTE
公开(公告)号：EP3086362A4
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：EP15866377
申请日：2015-06-05
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , ETO MOTOKI , YAMADA TAKASHI , HAIBARA TERUO , OISHI RYO , UNO TOMOHIRO , OYAMADA TETSUYA
IPC分类号： H01L23/49 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/45 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45109 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45609 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48824 , H01L2224/85045 , H01L2224/85054 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/8509 , H01L2224/85203 , H01L2224/85439 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/1576 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/01204 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/20105 , H01L2924/20656 , H01L2924/00 , H01L2924/2011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： There is provided a Cu bonding wire having a Pd coating layer on a surface thereof, that improves bonding reliability of a ball bonded part in a high-temperature and high-humidity environment and is suitable for on-vehicle devices. The bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface of the Cu alloy core material, and the bonding wire contains In of 0.011 to 1.2% by mass and has the Pd coating layer of a thickness of 0.015 to 0.150 µm. With this configuration, it is able to increase the bonding longevity of a ball bonded part in a high-temperature and high-humidity environment, and thus to improve the bonding reliability. When the Cu alloy core material contains one or more elements of Pt, Pd, Rh and Ni in an amount, for each element, of 0.05 to 1.2% by mass, it is able to increase the reliability of a ball bonded part in a high-temperature environment of 175°C or more. When an Au skin layer is further formed on a surface of the Pd coating layer, wedge bondability improves.
摘要翻译：提供一种在其表面上具有Pd涂层的Cu接合线，其提高了球接合部在高温高湿环境下的接合可靠性，并且适用于车载装置。本发明的半导体装置用接合线具备Cu合金芯材和在该Cu合金芯材的表面形成的Pd被覆层，该接合线含有0.011〜1.2质量％的In，并且具有厚度为0.015至0.150μm。利用该构造，能够增加球接合部在高温高湿环境下的接合寿命，并由此改善接合可靠性。 Cu合金芯材含有0.05〜1.2质量％的Pt，Pd，Rh和Ni中的一种或两种以上的元素时，能够提高球接合部的可靠性， 175°C或更高的温度环境。当在Pd涂层的表面上进一步形成Au表层时，楔接合性提高。

19. 发明专利

DE112015005172T5 Bonddraht für Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112015005172T5
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：DE112015005172
申请日：2015-07-23
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , OISHI RYO , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/60
摘要： Es wird ein Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung mit einer Überzugschicht mit Pd als einer Hauptkomponente auf einer Oberfläche eines Cu-Kernlegierungsmaterials und einer Außenlegierungsschicht, die Au und Pd enthält, auf einer Oberfläche der Überzugschicht bereitgestellt, wobei der Bonddraht ferner die Zweitbondfähigkeit einer Pd-metallisierten Leiterplatte verbessert und selbst unter einer Hochfeuchtigkeitsheizbedingung eine hervorragende Kugelbondfähigkeit erreicht. Der Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung, der die Überzugschicht mit Pd als einer Hauptkomponente auf der Oberfläche des Cu-Legierungskernmaterials und die Außenlegierungsschicht, die Au und Pd enthält, auf der Oberfläche der Überzugschicht umfasst, hat eine Cu-Konzentration von 1 bis 10 At-% auf seiner äußersten Oberfläche und hat das Kernmaterial, das entweder Pd oder Pt oder beides in einer Gesamtmenge von 0,1 bis 3,0 Massen-% enthält, wodurch eine Verbesserung der Zweitbondfähigkeit und einer hervorragende Kugelbondfähigkeit unter der Hochfeuchtigkeitsheizbedingung erreicht werden. Außerdem beträgt eine maximale Konzentration von Au in der Außenlegierungsschicht vorzugsweise 15 At-% bis 75 At-%.

20. 发明专利

DE112015005005T5 Bonddraht für Halbleitervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112015005005T5
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：DE112015005005
申请日：2015-12-28
申请人： NIPPON MICROMETAL CORP , NIPPON STEEL & SUMIKIN MAT CO
发明人： ODA DAIZO , OISHI RYO , UNO TOMOHIRO , YAMADA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/60
摘要： Es wird ein Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung mit einer Überzugschicht mit Pd als eine Hauptkomponente auf einer Oberfläche eines Cu-Kernlegierungsmaterials und einer Außenlegierungsschicht, die Au und Pd enthält, auf einer Oberfläche der Überzugschicht bereitgestellt, wobei der Bonddraht ferner die Zweitbondfähigkeit einer Pd-metallisierten Leiterplatte verbessert und selbst unter einer Hochfeuchtigkeitsheizbedingung eine hervorragende Kugelbondfähigkeit erreicht. Der Bonddraht für eine Halbleitervorrichtung, der die Überzugschicht mit Pd als eine Hauptkomponente auf der Oberfläche des Cu-Legierungskernmaterials und die Außenlegierungsschicht, die Au und Pd enthält, auf der Oberfläche der Überzugschicht umfasst, hat eine Cu-Konzentration von 1 bis 10 At-% auf seiner äußersten Oberfläche und hat das Kernmaterial, das ein metallisches Element der Gruppe 10 des Periodensystems der Elemente in einer Gesamtmenge von 0,1 bis 3,0 Massen-% enthält, wodurch eine Verbesserung der Zweitbondfähigkeit und einer hervorragende Kugelbondfähigkeit unter der Hochfeuchtigkeitsheizbedingung erreicht werden. Außerdem beträgt eine maximale Konzentration von Au in der Außenlegierungsschicht vorzugsweise 15 At-% bis 75 At-%.

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