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11. 发明专利

DE102011052365B4 Mikrostrukturierter Heißprägestempel 未知
公开(公告)号：DE102011052365B4
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：DE102011052365
申请日：2011-08-02
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： B44B5/00
摘要： Prägestempel zum Heißprägen eines Materials umfassend eine profilierte Prägeoberfläche (8, 18), dadurch gekennzeichnet, dass der Prägestempel (1, 11) zumindest ein wärmeisolierendes Substrat (2, 12) umfasst, auf der eine elektrisch leitende Struktur (4, 5, 6, 14, 15) umfassend einen Heizwiderstand (4, 14) angeordnet ist, und dass die elektrisch leitende Struktur (4, 5, 6, 14, 15) mit einer elektrisch isolierenden Schicht (7, 17) abgedeckt ist, wobei die Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht (7, 17) die profilierte Prägeoberfläche (8, 18) umfasst und die elektrisch isolierende Schicht (7, 17) zumindest den Heizwiderstand (4, 14) abdeckt, so dass die elektrisch isolierende Schicht (7, 17) mit der Prägeoberfläche (8, 18) durch den Heizwiderstand (4, 14) elektrisch beheizbar ist, wobei das wärmeisolierende Substrat (2, 12) eine oxydische Keramik und/oder ein Metalloxid ist und das wärmeisolierende Substrat (2, 12) bei Raumtemperatur eine Wärmeleitfähigkeit kleiner als 2 W/(m K) hat und wobei der Prägestempel (1, 11) als Sandwichstruktur aufgebaut ist, wobei die elektrisch leitfähige Struktur (4, 5, 6, 14, 15) zwischen dem wärmeisolierenden Substrat (2, 12) und der elektrisch isolierenden Schicht (7, 17) angeordnet ist.

12. 发明专利

DE102011052365A1 Mikrostrukturierter Heißprägestempel 未知
公开(公告)号：DE102011052365A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：DE102011052365
申请日：2011-08-02
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： B44B5/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Prägestempel zum Heißprägen eines Materials umfassend eine profilierte Prägeoberfläche, wobei der Prägestempel zumindest ein wärmeisolierendes Substrat umfasst, auf dem eine elektrisch leitende Struktur umfassend einen Heizwiderstand angeordnet ist, und wobei die elektrisch leitende Struktur mit einer elektrisch isolierenden Schicht abgedeckt ist, wobei die Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht die profilierte Prägeoberfläche umfasst und die elektrisch isolierende Schicht zumindest den Heizwiderstand abdeckt, so dass die elektrisch isolierende Schicht mit der Prägeoberfläche durch den Heizwiderstand elektrisch beheizbar ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Heißprägen eines Materials mit einem solchen Prägestempel, bei dem der Heizwiderstand auf eine Temperatur zwischen 100° C und 800° C, vorzugsweise zwischen 200° C und 600° C, besonders bevorzugt zwischen 300° C und 400° C geheizt wird Schließlich betrifft die Erfindung auch ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Prägestempels, bei dem A) ein wärmeisolierendes Substrat bereitgestellt wird, B) auf dem wärmeisolierenden Substrat eine elektrisch leitende Struktur umfassend einen Heizwiderstand aufgebracht wird, insbesondere mit einem Dickschicht-Verfahren, besonders bevorzugt aufgedruckt wird, und C) die elektrisch leitende Struktur zumindest bereichsweise mit einer elektrisch isolierenden Schicht abgedeckt wird, vorzugsweise mit einem Siebdruck-Verfahren oder einer Dickschicht-Technik.

13. 发明专利

DE102007046907A1 未知
公开(公告)号：DE102007046907A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：DE102007046907
申请日：2007-09-28
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： H01C1/14 , C25D7/06 , H01C7/00
摘要： The resistor has a platinum measuring resistor made of an electrically insulated substrate, and a connecting wire i.e. casing wire (1), connected with the measuring resistor. The connecting wire comprises a coated nickel body (2), and a silver casing (3) consists of silver or mixture of silver with glass or ceramics. The silver casing or a silver phase or the nickel body comprises a purity of 99 gram equivalent weight percentages. The nickel body comprises a diameter of 100-400 micrometers, and the silver casing has a thickness of 0.2-5 micrometer. Independent claims are also included for the following: (1) a method for manufacturing a film resistor (2) a method for connecting a film resistor with a wire made of nickel basis.

14. 发明专利

DE102007046907B4 Schichtwiderstand und Verfahren zu dessen Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102007046907B4
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：DE102007046907
申请日：2007-09-28
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： ZINKEVICH MATSVEI
IPC分类号： H01C1/14 , C25D7/06 , H01C7/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen Schichtwiderstand, enthaltend einen Platin-Messwiderstand auf einem elektrisch isolierenden Substrat und mit dem Messwiderstand verbundene Anschlussdrähte, die einen ummantelten Nickelkern aufweisen, wobei der Mantel aus Silber oder einer Mischung aus Silber mit Glas oder Keramik besteht. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Schichtwiderständen aus mindestens einem Widerstandsmuster auf elektrisch isolierender Oberfläche eines Substrats, eine das Widerstandsmuster bedeckende Glasabdeckung und aus der Glasabdeckung ragende Anschlussdrähte, die mit dem Widerstandsmuster elektrisch leitend verbunden sind, wobei mehrere gemeinsam verglaste Schichtwiderstände durch Brechen vereinzelt werden.

15. 发明专利

DE102012110210A1 Hochtemperaturchip mit hoher Stabilität 未知
公开(公告)号：DE102012110210A1
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：DE102012110210
申请日：2012-10-25
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： WIENAND KARLHEINZ , ZINKEVICH MATSVEI , SANDER MARGIT
IPC分类号： G01K7/18 , G01K1/12
摘要： Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor, insbesondere Hochtemperatursensor, aufweisend ein beschichtetes Substrat, zumindest eine Widerstandsstruktur und zumindest zwei Anschlusskontakte, wobei die Anschlusskontakte die Widerstandsstruktur elektrisch kontaktieren, das Substrat aus Zirkoniumoxid oder einer Zirkoniumoxidkeramik besteht, wobei das Zirkoniumoxid oder das Zirkoniumoxid in der Zirkoniumoxidkeramik mit Oxiden eines dreiwertigen und eines fünfwertigen Metalls stabilisiert ist, wobei das Substrat mit einer Isolationsschicht beschichtet ist, die Widerstandsstruktur und die freien Bereiche der Isolationsschicht, auf denen keine Widerstandsstruktur angeordnet ist, zumindest bereichsweise mit einer keramischen Zwischenschicht beschichtet sind und auf der keramischen Zwischenschicht eine Schutzschicht und/oder ein Deckel angeordnet ist. Die Erfindung betrifft auch einen Temperatursensor, insbesondere Hochtemperatursensor aufweisend ein Substrat, zumindest eine Widerstandsstruktur und zumindest zwei Anschlusskontakte, wobei die Anschlusskontakte die Widerstandsstruktur elektrisch kontaktieren und zumindest an einem Anschlusskontakt zumindest eine Elektrode neben der Widerstandsstruktur auf dem Substrat angeordnet ist, wobei die Elektrode oder die Elektroden einteilig mit der Widerstandsstruktur ausgebildet ist oder sind, wobei die Widerstandsstruktur und die freien Bereiche des Substrats, auf denen die Widerstandsstruktur nicht angeordnet ist, zumindest bereichsweise mit einer keramischen Zwischenschicht beschichtet sind und auf der keramischen Zwischenschicht eine Schutzschicht und/oder ein Deckel angeordnet ist. Schließlich betrifft die Erfindung auch die Verwendung solcher Temperatursensoren in einem Abgassystem zur Steuerung und/oder Regelung eines Motors, insbesondere eines Kraftfahrzeugmotors.

16. 发明专利

DE102009007940B4 Nichtleitfähiges Zirkonoxid 未知
公开(公告)号：DE102009007940B4
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：DE102009007940
申请日：2009-02-06
申请人： HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH
发明人： ZINKEVICH MATSVEI , WIENAND KARLHEINZ
IPC分类号： G01K7/18 , G01N27/406

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