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    • 11. 发明专利
    • Semiconductor device and manufacturing method of the same
    • 半导体器件及其制造方法
    • JP2014179443A
    • 2014-09-25
    • JP2013052117
    • 2013-03-14
    • Denso Corp株式会社デンソーToyota Motor Corpトヨタ自動車株式会社
    • OKUMURA TOMOMIKADOGUCHI TAKUYA
    • H01L25/07H01L23/29H01L25/18
    • H01L23/3672H01L23/051H01L23/3107H01L23/4334H01L23/492H01L23/49562H01L2224/49175H01L2924/1305H01L2924/13055H01L2924/181H01L2924/00H01L2924/00012
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce deformation more than in the past against pressing forces from both sides in a lining direction in a composition which includes at least one pair of an upper arm and a lower arm.SOLUTION: A semiconductor device comprises relay parts (46, 56) for electrically relaying a second heat sink (44) and a third heat sink (50) via solder (60), in which the solder is arranged in a direction perpendicular to one surfaces (11, 21a) and on connection surfaces (47c, 57c) at bases of the relay parts, which are orthogonal to a through-thickness direction of the relay parts. The relay parts have ribs (48, 58) which project from the bases in the direction perpendicular to the one surfaces, respectively, and a thickness of a part where each rib is provided is not exceeding a thickness of the corresponding heat sink. The ribs are encapsulated by an encapsulation resin body (70) and provided along a whole length and in a lining direction of a first region (71) between the second heat sink and the third heat sink.
    • 要解决的问题:在包括至少一对上臂和下臂的组合物中,相对于过去的冲击力沿着衬里方向的两侧减小变形。解决方案:半导体器件包括中继部件( 46,56),用于经由焊料(60)电连接第二散热器(44)和第三散热器(50),其中焊料沿垂直于一个表面(11,21a)的方向和连接表面 (47c,57c),与继电器部件的贯通厚度方向正交。 继电器部分具有分别从垂直于一个表面的方向从基座突出的肋(48,58),并且每个肋设置的部分的厚度不超过相应的散热器的厚度。 所述肋被密封树脂​​体(70)包封,并且沿第一散热器和第三散热器之间的第一区域(71)的整个长度和沿着衬里方向设置。
    • 13. 发明专利
    • Semiconductor device and composite semiconductor device
    • 半导体器件和复合半导体器件
    • JP2010062491A
    • 2010-03-18
    • JP2008229418
    • 2008-09-08
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • SAKAMOTO TAKESHIOKURA YASUTSUGUOKUMURA TOMOMI
    • H01L23/473
    • H01L24/33H01L2924/1305H01L2924/13055H01L2924/181H01L2924/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the efficiency of cooling in a semiconductor device of double-sided heat dissipation type. SOLUTION: A semiconductor device has a semiconductor element 1, a pair of metal plates 2, 3 which are electrically and thermally joined to each of a surface side and a backside of the semiconductor element 1 and hold the semiconductor element 1 therebetween and a first cooler 9 thermally joined to heat dissipation surfaces 2b, 3b, which are opposite surfaces of the semiconductor element 1 in the pair of metal plates 2, 3. In the semiconductor device, a second cooler 11 is interposed between the pair of metal plates 2, 3. The second cooler 11 is thermally connected to inner surfaces 2a, 3a, which are surfaces in the semiconductor element 1 side in the pair of metal plates 2, 3 and cools the pair of metal plates 2, 3. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提高双面散热型半导体器件的冷却效率。 解决方案:半导体器件具有半导体元件1,一对金属板2,3,其电连接并且热连接到半导体元件1的表面侧和后侧,并将半导体元件1保持在其间; 第一冷却器9热连接到散热面2b,3b,它们是一对金属板2,3中的半导体元件1的相对表面。在半导体器件中,第二冷却器11插入在一对金属板 第二冷却器11热连接到作为一对金属板2,3中的半导体元件1侧的表面的内表面2a,3a,并冷却该对金属板2,3。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
    • 15. 发明专利
    • Method of manufacturing semiconductor device
    • 制造半导体器件的方法
    • JP2009130044A
    • 2009-06-11
    • JP2007301888
    • 2007-11-21
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • OKUMURA TOMOMIMASAMITSU KUNIAKI
    • H01L23/48H01L21/56H01L25/07H01L25/18
    • H01L24/33H01L2924/1305H01L2924/13055H01L2924/181H01L2924/00H01L2924/00012
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device which has a semiconductor element sandwiched between a pair of lead frames and sealed with a mold resin, in which the lead frame interval is kept constant without using a jig for keeping the lead frame interval constant or increasing the number of components. SOLUTION: A portion of one lead frame 4 of both lead frames 3 and 4 is formed into a bent portion 4d bent extending toward the other lead frame 3 outside semiconductor elements 1 and 2, and then the semiconductor element 1 and 2 are sandwiched between both lead frames 3 and 4. In this process, both lead frames 3 and 4 are held apart from each other by the bent portion 4d to keep the interval between both lead frames 3 and 4 constant. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 解决的问题:提供一种制造半导体器件的方法,该半导体器件具有夹在一对引线框之间的半导体元件并用模制树脂密封,其中引线框间隔保持恒定,而不使用夹具 保持引线框间隔不变或增加元件数量。 解决方案:两个引线框架3和4的一个引线框架4的一部分形成为弯曲部分4d,弯曲部分4d朝向半导体元件1和2外部的另一个引线框架3延伸,然后半导体元件1和2是 夹在两个引线框架3和4之间。在这个过程中,两个引线框架3和4都被弯曲部分4d保持彼此分开,以保持两个引线框架3和4之间的间隔是恒定的。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 16. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体器件
    • JP2015057807A
    • 2015-03-26
    • JP2013191255
    • 2013-09-16
    • 株式会社デンソーDenso Corpトヨタ自動車株式会社Toyota Motor Corp
    • OKUMURA TOMOMIKADOGUCHI TAKUYA
    • H01L25/07H01L23/29H01L25/18
    • H01L23/3672H01L23/051H01L23/3107H01L23/3114H01L23/4334H01L23/49562H01L23/49568H01L23/49575H01L24/33H01L25/07H01L25/18H01L2924/13055H01L2924/181H01L2924/00H01L2924/00012
    • 【課題】スイッチング素子の並び方向において小型化しつつサージ電圧を低減でき、且つ、封止樹脂体の絶縁性能が低下しても短絡が生じにくい半導体装置を提供する。【解決手段】第1スイッチング素子(20)と第2スイッチング素子(30)の並び方向において、第2ヒートシンク(52)と第3ヒートシンク(54)が継手部(58)により電気的に接続されている。また、第2電源端子(42)は、並び方向において、第1電源端子(40)と出力端子(44)の間であって、第2ヒートシンクと第3ヒートシンクとの間の領域に配置されている。そして、封止樹脂体(66)内において、第1電源端子と同電位とされる第1電位部と出力端子と同電位とされる第3電位部との最短距離、及び、第2電源端子と同電位とされる第2電位部と第3電位部との最短距離の少なくとも一方が、第1電位部と第2電位部との最短距離よりも短くされている。【選択図】図5
    • 要解决的问题:提供一种半导体器件,其可以在实现开关元件的排列方向上的小型化的同时降低浪涌电压,并且即使在密封树脂体的绝缘性能下降的情况下也难以发生短路。 :半导体器件包括:第一散热器(52)和第三散热器(54),所述第二散热器(52)和第三散热器(54)在第一开关元件(20)的排列方向上通过接合部分(58)彼此电连接, 开关元件(30); 并且第二电源端子(42)被布置在排列方向上的第一电源端子(40)和输出端子(44)之间以及第二散热器(52)和第三散热器(54)之间的区域中 )。 在封装树脂体(66)中,具有与第一电源端子的电位相同的第一电位部分和与输出电位相同的第三电位部分之间的最小长度中的至少一个 并且使具有与第二电源端子的电位相同的第二电位部分和第三电位部分之间的最小长度比第一电位部分和第二电位部分之间的最小距离短。