专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明申请

WO2007045759A1 TRAITEMENT D'UNE COUCHE DE GERMANIUM COLLEE A UN SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：处理粘结到基材上的锗层
公开(公告)号：WO2007045759A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/FR2006/002332
申请日：2006-10-17
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ALLIBERT, Frédéric , DEGUET, Chrystel , RICHTARCH, Claire
发明人： ALLIBERT, Frédéric , DEGUET, Chrystel , RICHTARCH, Claire
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure comprenant une couche mince de Ge sur un substrat, ladite couche ayant été préalablement collée au substrat, le procédé comprenant un traitement pour améliorer les propriétés électriques de la couche et/ou de l'interface de la couche de Ge avec la couche sous-jacente, caractérisé en ce que ledit traitement est un traitement thermique mis en œuvre à une température comprise entre 5000C et 6000C pendant au maximum 3 heures. L'invention concerne aussi un procédé de réalisation d'une structure comprenant une couche de Ge, le procédé comprenant un collage entre un substrat donneur comportant au moins dans sa partie supérieure une couche mince de Ge et un substrat récepteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) collage du substrat donneur au substrat récepteur de sorte que la couche de Ge se trouve au voisinage de l'interface de collage ; (b) retrait de la partie du substrat donneur ne comprenant pas la couche de Ge ; (c) traitement de la structure comprenant le substrat récepteur et la couche de Ge conformément audit procédé de traitement.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理在衬底上包括薄Ge层的结构的方法，所述层已经预先结合到衬底上，该方法包括用于改善Ge层和/或Ge界面的电性能的处理层与底层。本发明的特征在于，所述处理是在500℃至600℃之间的温度下实施最多3小时的热处理。本发明还涉及一种用于制造包括Ge层的结构的方法，所述方法包括将包括至少在其上部的薄Ge层和接收衬底的施主衬底结合，其特征在于，其包括以下步骤：（a）将施主衬底接合到接收器衬底，使得Ge层位于接合界面附近; （b）消除不包括Ge层的供体衬底的一部分; （c）根据处理方法处理包括接收器基板和Ge层的结构。

12. 发明申请

WO2012062585A3 PROCEDE DE REALISATION D'UNE PIECE CONTENANT UN MOTIF ENFOUI ET PIECE AINSI OBTENUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012062585A3
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/EP2011/068819
申请日：2011-10-27
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , DRAGIN, Fabienne , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel
发明人： DRAGIN, Fabienne , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel
IPC分类号： B44C1/22
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une pièce contenant un motif enfoui dont les dimensions sont au plus micrométriques, selon lequel - on prépare des premier et second substrats (11, 11', 12) dont l'un au moins est transparent, au moins une tranchée (13A, 13B, 13A', 13B', 27) étant ménagée dans l'un au moins de ces substrats à partir d'une surface destinée à être collée à l'autre substrat, - on assemble les premier et second substrats par collage par adhésion moléculaire, ladite au moins une tranchée délimitant un volume creux (26, 26', 36, 46) dont la configuration définit le motif enfoui, ce volume creux communiquant avec l'extérieur de l'assemblage des premier et second substrats, puis - on fait circuler au moins temporairement un fluide colorant dans ce volume creux pour en colorer au moins certaines parois.

13. 发明申请

WO2012004250A1 PROCEDE D'IMPLANTATION D'UN MATERIAU PIEZOELECTRIQUE 审中-公开
标题翻译：压电材料的方法
公开(公告)号：WO2012004250A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/061290
申请日：2011-07-05
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , SOITEC , DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
发明人： DEGUET, Chrystel , BLANC, Nicolas , IMBERT, Bruno , MOULET, Jean-Sébastien
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/131 , Y10T29/42
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à base d'un matériau piézoélectrique, comportant: a)la réalisation d'un empilement comportant au moins une couche métallique (22) et au moins une couche conductrice (26) sur un substrat en matériau piézoélectrique(20), au moins un contact électrique (31) étant établi entre la couche conductrice (26) et un élément métallique (29) extérieur à l'empilement, b)une implantation ionique et/ou atomique, à travers au moins ladite couche conductrice (26) et la couche métallique (22), c)un report de ce substrat sur un substrat de report (30) puis une fracture de ce substrat piézoélectrique reporté, dans la zone de fragilisation (27).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造压电材料结构的方法，包括：a）在由压电材料制成的衬底（20）上制造包括至少一个金属层（22）和至少一个导电层（26）的叠层体，至少一个电触头（31）在所述导体层（26）和所述叠层之外的金属元件（29）之间建立; b）通过至少所述导电层（20）和所述金属层（22）注入离子和/或原子; c）将所述衬底转移到转移衬底（30）上，然后在所述弱化区域（27）中压碎所述转移的压电衬底。

14. 发明公开

EP3131116A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE 审中-公开
标题翻译： HERTELLUNGSVERFAHREN EINER ELEKTRONISCHEN VORRICHTUNG
公开(公告)号：EP3131116A1
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：EP16181484.3
申请日：2016-07-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/06 , H01L21/18
CPC分类号： H05K3/0017 , H01L21/187 , H01L21/76254 , H01L21/8221 , H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L27/06 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H05K3/30
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant en empilement au moins une première structure (15) et une deuxième structure (16), les structures étant obtenues à partir d'un premier substrat (3) et d'un deuxième substrat (9). Des marques sont obtenues à partir d'un motif fait sur l'un des substrats. En outre, les mêmes supports sont utilisés durant la phase de collage pour la préparation des marques et pour la phase de collage pour l'assemblage des structures. Les alignements sont donc meilleurs.
摘要翻译：一种用于制造电子器件的方法，所述电子器件包括至少第一结构和第二结构的堆叠，所述结构从第一衬底和第二衬底获得。标记从在其中一个基底上制成的图案获得。此外，在用于制备标记的接合阶段和用于组装结构的结合阶段中使用相同的支撑构件。

15. 发明公开

EP1938362A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT EN COUCHES MINCES 有权转让
标题翻译：一种用于生产薄膜元件
公开(公告)号：EP1938362A1
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：EP06808200.7
申请日：2006-09-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007
摘要： The invention concerns a method for making a thin-film element, characterized in that it includes the following steps: epitaxial growth of a crystal layer (4) of a first material on a crystal layer (2) of a support (2) formed in a second material different from the first material, said layer of first material (4) having a thickness such that it mesh parameter is determined by that of the crystal layer (2) of the support (2); forming a dielectric layer (8) on the side of the surface of said layer of first material (4) opposite to the support (2) to form a donor structure (2, 4, 8); assembling the donor structure (2, 4, 8) with a receiver layer (10); removing the support (2).

16. 发明公开

EP2311083A1 METHOD OF MAKING MULTIPLE IMPLANTATIONS IN A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法在衬底PRODUCING植入物
公开(公告)号：EP2311083A1
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：EP09804532.1
申请日：2009-07-07
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies , Commissariat A L'Energie Atomique C.E.A.
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , DEGUET, Chrystel , MAZEN, Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of implanting atoms and/or ions into a substrate, comprising: a) a first implantation of ions or atoms at a first depth in the substrate, in order to form a first implantation plane, b) at least one second implantation of ions or atoms at a second depth in the substrate, which is different from the first depth, in order to form at least one second implantation plane.

17. 发明公开

EP1803683A1 Procede d'elaboration de nanostructures ordonnées 有权
标题翻译：维尔法恩·祖尔·贝贝特恩·冯·戈登奈恩（Nelsonstrukturen）
公开(公告)号：EP1803683A1
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：EP06127034.4
申请日：2006-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： FOURNEL, Frank , MORICEAU, Hubert , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/18 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/2007 , B81C1/00031 , H01L21/76254
摘要： Procédé d'élaboration de nanostructures comportant :
-une étape de fourniture d'un substrat (100) présentant une couche d'arrêt (2) enterrée et au-dessus de cette couche d'arrêt (2) un film cristallin (5) doté d'un réseau de défauts cristallins et/ou de champs de contraintes (12) dans une zone cristalline (13),
- une ou plusieurs étapes d'attaque du substrat (100), dont une attaque préférentielle soit des défauts cristallins et/ou des champs de contraintes, soit de la zone cristalline (13) entre les défauts cristallins et/ou les champs de contraintes, ces étapes d'attaque permettant de mettre à nu localement la couche d'arrêt (2) et de réaliser des saillies (7) à l'échelle nanométrique, séparées les unes des autres par des creux (7.1) ayant un fond situé dans la couche d'arrêt, les saillies conduisant aux nanostructures (7, 8).
摘要翻译：用于产生测序的纳米结构的步骤包括在低于一微米厚的结晶薄膜的下方提供具有阻挡层（2）的衬底（2），在结晶区域内具有晶格缺陷和/或应力场并使其经受一个或多个更多的攻击阶段攻击阶段局部暴露阻挡层，并在纳米尺度上产生突起（7），由凹槽（7.1）与阻挡层中的基底分开形成纳米结构（7,8）。如果需要，可以通过雕刻阻挡层来增加纳米结构的高度，在该过程中突起作为掩模。

18. 发明公开

EP1922752A1 PROCEDE DE REPORT D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUPPORT 有权
标题翻译：方法薄薄的膜对载流子迁移
公开(公告)号：EP1922752A1
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：EP06794326.6
申请日：2006-08-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10T156/1052 , Y10T156/109
摘要： The invention relates to a method of transferring a thin film onto a first support (18), comprising the following steps consisting in: supplying a structure comprising a film (3) of which at least one part originates from a solid substrate of a first material and which is solidly connected to a second support (6, 10) having a thermal expansion coefficient that is different from that of the first material and close to that of the first support, forming an embrittled area (14) inside the film (3) that defines the thin film to be transferred, affixing the film (3) that is solidly connected to the second support (6, 10) to the first support (18), and breaking the film (3) at the embrittled area (14).

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式