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    • 13. 发明申请
    • FIELD EFFECT ELEMENTS
    • 场效应元素
    • WO2009013291A2
    • 2009-01-29
    • PCT/EP2008/059598
    • 2008-07-22
    • BASF SEHENNIG, IngolfDÖTZ, FlorianECKERLE, PeterPARASHKOV, RadoslavKASTLER, MarcelVAIDYANATHAN, Subramanian
    • HENNIG, IngolfDÖTZ, FlorianECKERLE, PeterPARASHKOV, RadoslavKASTLER, MarcelVAIDYANATHAN, Subramanian
    • H01L51/30
    • H01L51/052H01L51/0529
    • A field effect element comprising: a source electrode (6) and a drain-electrode (7), a semiconducting layer (2) comprising a semiconducting compound being in contact with the source electrode (6) and the drain electrode (7), - a gate electrode (5), and a dielectric layer (3) comprising one or more compounds selected from hygroscopic organic compounds and/or from nanoparticulate inorganic compounds being arranged between the semiconducting layer (2) and the gate electrode (5), wherein said hygroscopic organic compounds have a water absorption capability of more than 1.2 % by weight, and a hydrophobic insulating layer (4) being arranged between the gate electrode (5) and the dielectric layer (3) preventing diffusion of water into the one or more hygroscopic compounds of the dielectric layer during the time of use of the field effect element, said hydrophobic insulating layer (4) having a water absorption capability of less than 1.2 % by weight, the semiconducting layer (2), the dielectric layer (3) or the hydrophobic insulating layer (4), or a combination thereof, being disposable from a liquid; and a process for producting the same.
    • 一种场效应元件,包括:源极(6)和漏电极(7);包含与源电极(6)和漏电极(7)接触的半导体化合物的半导体层(2) 栅电极(5)和包含一种或多种选自吸湿有机化合物和/或从纳米颗粒无机化合物组成的化合物的电介质层(3),其布置在半导电层(2)和栅电极(5)之间,其中所述 吸湿性有机化合物具有大于1.2重量%的吸水能力,并且在栅电极(5)和电介质层(3)之间布置疏水绝缘层(4),防止水扩散到一个或多个吸湿性 在场效应元件使用期间介电层的化合物,所述疏水绝缘层(4)的吸水能力小于1.2%(重量),半导体层(2),介电层 c层(3)或疏水绝缘层(4),或其组合,其是从液体中一次性的; 以及产品的制造过程。
    • 15. 发明申请
    • HIGH PERFORMANCE SOLUTION PROCESSABLE SEMINCONDUCTOR BASED ON DITHIENO [2,3-D:2',3'-D']BENZO[1,2-B:4,5-B'] DITHIOPHENE
    • 基于DITHIENO [2,3-D:2',3'-D'] BENZO [1,2-B:4,5-B']二氢苯的高性能溶液可处理的SEMINCONUCTOR
    • WO2010000670A1
    • 2010-01-07
    • PCT/EP2009/057985
    • 2009-06-25
    • BASF SEMAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.KASTLER, MarcelKOEHLER, SilkeMUELLEN, KlausGAO, PengBECKMANN, DirkFENG, Xinliang
    • KASTLER, MarcelKOEHLER, SilkeMUELLEN, KlausGAO, PengBECKMANN, DirkFENG, Xinliang
    • C07D495/12
    • H01L51/0074C07D495/22C09K11/06C09K2211/1011C09K2211/1092G02B2006/12069H01L51/0545H01L51/5048H05B33/10H05B33/14Y02E10/549
    • Dithienobenzodithiophenes of general formula (I) in which R 1 to R 6 are each independently selected from a) H, b) halogen, c) -CN, d) -NO 2 , e) - OH, f) a C 1-20 alkyl group, g) a C 2-20 alkenyl group, h) a C 2-20 alkynyl group, i) a C 1-20 alkoxy group, j) a C 1-20 alkylthio group, k) a C 1-20 haloalkyl group, I) a -Y- C 3-10 cycloalkyl group, m) a -Y-C 6-14 aryl group, n) a -Y-3-12 membered cyclo- heteroalkyl group, or o) a -Y-5-14 membered heteroaryl group, wherein each of the C 1-20 alkyl group, the C 2-20 alkenyl group, the C 2-20 alkynyl group, the C 3-10 cycloalkyl group, the C 6-14 aryl group, the 3-12 membered cyc- loheteroalkyl group, and the 5-14 membered heteroaryl group is optionally substituted with 1 -4 R 7 groups, wherein R 1 and R 3 and R 2 and R 4 may also together form an aliphatic cyclic moiety, Y is independently selected from divalent a C 1-6 alkyl group, a divalent C 1 - 6 haloalkyl group, or a covalent bond; and m is independently selected from 0, 1, or 2. The invention also relates to the use of the dithienobenzodithiophenes according to any of claims 1 to 4 as semiconductors or charge transport materials, as thin-film transistors (TFTs), or in semiconductor components for organic light-emitting diodes (OLEDs), for photovoltaic components or in sensors, as an electrode material in batteries, as optical waveguides or for electrophotography applications.
    • 通式(I)的二噻吩并苯并二噻吩,其中R 1至R 6各自独立地选自a)H,b)卤素,c)-CN,d)-NO 2,e)-OH,f)C 1-20烷基, )C2-20烯基,h)C2-20炔基,i)C1-20烷氧基,j)C1-20烷硫基,k)C1-20卤代烷基,I)a -Y- C3-10环烷基,m)a-Y-C6-14芳基,n)a -Y-3-12元环杂烷基,或o)-Y-5-14元杂芳基,其中各 C 1-20烷基,C 2-20烯基,C 2-20炔基,C 3-10环烷基,C 6-14芳基,3-12元环杂烷基,和5-14 任选被1-4个R 7基团取代,其中R 1和R 3以及R 2和R 4也可以一起形成脂族环状部分,Y独立地选自二价C 1-6烷基,二价C 1-6卤代烷基 ,或共价键; 并且m独立地选自0,1或2.本发明还涉及根据权利要求1至4中任一项所述的二噻吩并苯并噻吩作为半导体或电荷传输材料,作为薄膜晶体管(TFT)或半导体 用于有机发光二极管(OLED)的组件,用于光伏组件或传感器,作为电池中的电极材料,作为光波导或电子照相应用。
    • 19. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITENDEN SCHICHTEN
    • 用于生产半导体层
    • WO2010125011A2
    • 2010-11-04
    • PCT/EP2010/055499
    • 2010-04-26
    • BASF SEKARPOV, AndreyFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • KARPOV, AndreyFLEISCHHAKER, FriederikeDOMKE, ImmeKASTLER, MarcelWLOKA, VeronikaWEBER, Lothar
    • C23C18/12
    • C23C18/1216C23C18/1245H01L21/02381H01L21/02488H01L21/02554H01L21/02565H01L21/02628H01L27/1292H01L29/66742H01L29/66969H01L29/7869
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht enthaltend wenigstens ein halbleitendes Metalloxid auf einem Substrat, umfassend mindestens die Schritte: (A) Herstellen einer Lösung enthaltend wenigstens eine Vorläuferverbindung des wenigstens einen Metalloxids ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carboxylaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren mit wenigstens drei Kohlenstoffatomen oder Derivaten von Mono-, Di- oder Polycarbonsäuren, Alkoholaten, Hydroxiden, Semicarbaziden, Carbaminaten, Hydroxamaten, Isocyanaten, Amidinen, Amidrazonen, Harnstoffderivaten, Hydroxylaminen, Oximen, Urethanen, Ammoniak, Aminen, Phosphinen, Ammonium-Verbindungen,, Aziden des entsprechenden Metalls und Mischungen davon, in wenigstens einem Lösungsmittel, (B) Aufbringen der Lösung aus Schritt (A) auf das Substrat und (C) thermisches Behandeln des Substrates aus Schritt (B) bei einer Temperatur von 20 bis 200°C, um die wenigstens eine Vorläuferverbindung in wenigstens ein halbleitendes Metalloxid zu überführen, wobei, falls in Schritt (A) elektrisch neutrales [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, als Vorläuferverbindung eingesetzt wird, dieses durch Umsetzung von Zinkoxid oder Zinkhydroxid mit Ammoniak erhalten wird, ein Substrat, welches mit wenigstens einem halbleitenden Metalloxid beschichtet ist, erhältlich durch dieses Verfahren, die Verwendung dieses Substrates in elektronischen Bauteilen, sowie ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch neutralem [(OH) x (NH 3 ) y Zn] z mit x, y und z unabhängig voneinander 0,01 bis 10, durch Umsetzung von Zinkoxid und/oder Zinkhydroxid mit Ammoniak.
    • 本发明涉及一种方法,用于制造至少包括以下步骤:在基材上含有至少一个半导电金属氧化物的层:(A)制备含有选自单 - 羧酸盐组成的组中的至少一种金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液中,二 - 或者具有至少三个碳原子,或单 - ,二 - 或多元羧酸,醇化物,氢氧化物,氨基脲衍生物的多羧酸,Carbaminaten,异羟肟酸盐,异氰酸酯,脒,氨基腙,脲衍生物,羟胺,肟,氨基甲酸乙酯,氨,胺,膦,铵 化合物,,相应金属的叠氮化物和它们的混合物,在至少一种溶剂中,(B)将来自步骤溶液(a)以20〜200的温度的基板和(C)热处理步骤(B)的基板 ℃,在wenigst所述至少一种前体化合物 到ENS转换半导体金属氧化物,其中,如果在步骤(A)是电中性的[(OH)X(NH 3)YZN】Z,其中x,y和z,各自独立地选自0.01通过使用10作为前体化合物,即 涂有至少一个半导电金属氧化物的基板,获得通过该方法,使用该基板的电子部件,以及用于产生电中性的方法[(OH)由氧化锌或者与氨,X氢氧化锌得到的(NH 3) YZN】Z,其中x,y和z独立地是从0.01到10,由氧化锌和/或氢氧化锌与氨反应。