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    • 12. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR ÜBERFÜHRUNG VON PERYLEN-3, 4:9, 10-TETRACARBONSÄUREDIIMIDEN IN EINE FÜR DIE ANWENDUNG ALS FLUORESZENZFARBMITTEL GEEIGNETE FORM
    • 方法用于将苝3,4:9,10 - 四IN ONE FOR USE AS荧光着色剂合适的形式
    • WO2003106566A1
    • 2003-12-24
    • PCT/EP2003/005937
    • 2003-06-06
    • BASF AKTIENGESELLSCHAFTERK, PeterSCHÄFER, SimoneBÖHM, ArnoBLASCHKA, PeterARMS, HaraldHELFER, Willi
    • ERK, PeterSCHÄFER, SimoneBÖHM, ArnoBLASCHKA, PeterARMS, HaraldHELFER, Willi
    • C09B5/62
    • C09B67/0014C09B67/0025
    • Verfahren zur Überführung von Perylen-3,4:9,10-tetracarbonsäurediimiden der allgemeinen Formel (I), in der R 1 und R 2 unverzweigtes, verzweigtes oder cyclisches C 1 -C 8 -Alkyl bedeuten, in eine für die Anwendung als Fluoreszenzfarbmittel geeignete Form, indem man a) die Perylen-3,4:9,10-tetracarbonsäurediimide in einem organi­schen oder anorganischen Lösungsmittel, dessen Moleküle ein molekulares Volumen von ≤ 230 Å 3 aufweisen, bei 0 bis 250 °C löst oder suspendiert, b1) die in Schritt a) erhaltene Lösung auf oder unter die Kris tallisationstemperatur abkühlt und, im Fall eines organischen Lösungsmittels, gewünschtenfalls gleichzeitig solange überschüssiges Lösungsmittel entfernt, bis sich erste Kri­stalle bilden, oder, im Fall eines anorganischen Lösungs­mittels, solange Wasser oder verdünnte wäßrige Lösungen des Lösungsmittels zugibt, bis sich erste Kristalle bilden, und die Lösung zur weiteren Kristallisation bei dieser Temperatur hält oder b2) die in Schritt a) erhaltene Suspension auf oder unter die Kristallisationstemperatur abkühlt, wenn die Temperatur in Schritt a) über der Kristallisationstemperatur lag, und die Suspension zur weiteren Kristallisation bei dieser TemperaturI hält, c) die in Schritt (b) gebildeten Solvatkristalle isoliert und d) das Lösungsmittel anschließend aus den Solvatkristallen ent­fernt, sowie neue kristalline Formen von Perylen-3,4:9,10-tetracarbonsäurediimiden.
    • 一种用于苝-3,4的转化过程:通式(I)的9,10-四羧酸二酰亚胺,表示其中R <1>和R <2>是直链的,支链或环状C1-C8烷基,在用于应用程序 如由苝-3,4荧光染料适当形式的):9,10-四羧酸二酰亚胺,在其分子具有<= 230埃<3>在0至250℃的分子体积的有机或无机溶剂 或悬浮,B1)在步骤a中得到的溶液)冷却至或低于克里斯tallisationstemperatur和,在有机溶剂中的情况下,如果需要的话,在同一时间,只要除去过量的溶剂,直到第一晶体形成,或者,在无机溶剂的情况下,只要水 或稀释溶剂的水溶液加入,直到第一晶体形成,并将该溶液在此温度下保持进一步的结晶或b2)中 在步骤a中得到的悬浮液)冷却至或低于结晶温度时,在步骤温度高于结晶温度的),并在该TemperaturI用于进一步结晶的悬浮液成立时,c)以步骤(b)分离的溶剂化物晶体形成和D 9,10-四羧酸二酰亚胺:)然后将溶剂从Solvatkristallen,以及苝-3,4的新结晶形式除去。
    • 17. 发明申请
    • METHOD FOR PRODUCING ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS
    • 用于生产有机场效应晶体管的方法
    • WO2007128774A1
    • 2007-11-15
    • PCT/EP2007/054307
    • 2007-05-03
    • BASF AKTIENGESELLSCHAFTTHE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITYKÖNEMANN, MartinERK, PeterLING, Mang-MangBAO, Zhenan
    • KÖNEMANN, MartinERK, PeterLING, Mang-MangBAO, Zhenan
    • H01L51/00H01L51/05
    • H01L51/0053C07D471/06C07D471/16C07D493/06H01L27/283H01L51/0545H01L51/0558
    • A method for producing an organic field-effect transistor, comprising the steps of: a) providing a substrate comprising a gate structure, a source electrode and a drain electrode located on the substrate, and b) applying an n-type organic semiconducting compound to the area of the substrate where the gate structure, the source electrode and the drain electrode are located, wherein the n-type organic semiconducting compound is selected from the group consisting of compounds of the formula (I) wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are independently hydrogen, chlorine or bromine, with the proviso that at least one of these radicals is not hydrogen, Y 1 is O or NR a , wherein R a is hydrogen or an organyl residue, Y 2 is O or NR b , wherein R b is hydrogen or an organyl residue, Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are O, where, in the case that Y 1 is NR a , one of the residues Z 1 and Z 2 may be a NR c group, where R a and R c together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds, where, in the case that Y 2 is NR b , one of the residues Z 3 and Z 4 may be a NR d group, where R b and R d together are a bridging group having 2 to 5 atoms between the terminal bonds.
    • 一种制造有机场效应晶体管的方法,包括以下步骤:a)提供包括位于所述衬底上的栅极结构,源电极和漏极的衬底,以及b)将n型有机半导体化合物施加到 栅极结构,源电极和漏电极所在的衬底区域,其中n型有机半导体化合物选自式(I)化合物,其中R 1, R 2,R 3,R 3和R 4独立地是氢,氯或溴,条件是这些基团中的至少一个 不是氢,Y 1是O或NR a,其中R a是氢或有机残基,Y 2, SUP>是O或NR b,其中R b是氢或有机残基,Z 1,Z 2,..., >,Z 3和Z 4是O,其中,在Y 1的情况下, 残基Z 1和Z 2中的一个可以是NR a C n基团,其中R a和R 2都是 一起是在末端键之间具有2至5个原子的桥连基团,其中在Y 2是NR B的情况下,一个 的残基Z 3和Z 4可以是NR d D基团,其中R b和R SUP > d 一起是在末端键之间具有2至5个原子的桥连基团。