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11. 发明公开

KR1020010107140A 반도체 테스터 웨이퍼 형성 방법 无效
标题翻译：形成半导体测试波形的方法
公开(公告)号：KR1020010107140A
公开(公告)日：2001-12-07
申请号：KR1020000028384
申请日：2000-05-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승무
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체 소자 제조시 사용되는 테스트 웨이퍼의 형성방법에 관한 것으로서, 모니터용 웨이퍼 상에 원하는 종류의 박막을 증착하는 단계와, 박막을 패터닝하는 단계와, 패턴닝된 박막이 형성된 모니터용 웨이퍼의 뒷면(back side)을 폴리싱(polishing)하여 상기 모니터 웨이퍼의 두께를 감소시키는 단계와, 폴리싱한 웨이퍼를 잘라서 원하는 크기의 테스트 칩을 형성하고 세정하는 단계와, 모니터용 웨이퍼와는 다른 또 하나의 웨이퍼 상에 상기 테스트 칩이 들어갈 수 있는 적어도 하나의 홈을 형성하여 머더 웨이퍼를 준비하는 단계와, 머더 웨이퍼의 홈에 상기 테스트 칩을 장착하여 결합시키는 단계를 포함한다.

12. 发明公开

KR1020160039739A 하드 마스크막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于形成硬掩模层的方法和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160039739A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140132455
申请日：2014-10-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박세준 , 김도형 , 원제형 , 노상호 , 신은솔 , 이승무 , 최규완
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/02115 , H01L21/02266 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L29/4236
摘要： 본발명은하드마스크막의형성방법및 이를이용한반도체소자의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 본발명에따른하드마스크막의형성방법은, 하드마스크막으로비정질탄소막을증착할때 아산화질소(NO)를투입함으로써, 하드마스크막의박막균일도를향상시키고식각대상막에대한식각선택비를높일수 있다. 나아가, 상기하드마스크막을이용함으로써, 식각대상막내에높은종횡비를갖는리세스영역을효율적으로형성할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种硬掩模层的形成方法及其制造方法。更具体地，根据本发明的形成硬掩模层的方法可以通过在无定形碳层沉积时通过输入一氧化二氮（N 2 O）来改善硬掩模的膜均匀性并提高蚀刻目标层的蚀刻选择性硬掩模层。此外，通过使用硬掩模，可以有效地形成蚀刻目标层中具有高纵横比的凹陷区域。

13. 发明公开

KR1020150055227A 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：用于处理包括其的基板的淋浴器和设备
公开(公告)号：KR1020150055227A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020130137293
申请日：2013-11-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임홍택 , 김기곤 , 김호준 , 배종용 , 김도형 , 원제형 , 이승무
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565
摘要： 샤워헤드는몸체, 노즐및 복수개의전도부재들을포함한다. 몸체는반응가스를수용한다. 노즐은상기몸체에배치되어, 상기반응가스를기판으로분사한다. 전도부재들은상기몸체에구비되어, 상기기판에서발생된열을전도(conduct)한다. 따라서, 전도부재들이히터로부터샤워헤드로전달된열을신속하게전도하게되므로, 샤워헤드는개선된열전달특성을갖게된다.
摘要翻译：淋浴头包括主体，喷嘴和多个导电构件。身体接受反应性气体。喷嘴布置在主体上并将反应气体喷射到基板上。导电构件快速地将从加热器传递的热传导到淋浴喷头。因此，淋浴头具有改善的传热性能。

14. 发明公开

KR1020040045763A 고밀도 플라즈마 화학기상증착 장비를 사용하여 절연막을형성하는 방법 无效
标题翻译：使用高密度等离子体化学蒸气沉积设备形成绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020040045763A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：KR1020020073617
申请日：2002-11-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김광재 , 문성환 , 이승무
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A method for forming an insulating layer using high density plasma CVD(Chemical Vapor Deposition) equipment is provided to be capable of increasing the pressure of a chamber without the real increase of the flow rate of process gases for conserving burial characteristics of a gap region and minimizing an arcing phenomenon. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is loaded in a chamber(220). The angle between throttle valve plates(240) is controlled in the range of 0-180 degree. A turbo pump(245) is then operated. An insulating layer is formed on the semiconductor substrate by flowing process gases into the chamber. Preferably, the angle between the throttle valve plates is capable of being controlled in the range of 5-130 degree. Preferably, the pressure of the chamber is conserved in the range of 1-10 mT by controlling the switching angle of the throttle valve plate. Preferably, the insulating layer is formed by flowing valence gas as well as process gases. Preferably, nitrogen gas is used as the valence gas.
摘要翻译：目的：提供一种使用高密度等离子体CVD（化学气相沉积）设备形成绝缘层的方法，其能够增加室的压力，而不会真正增加处理气体的流量，从而节省了间隙的埋藏特性并尽量减少电弧现象。构成：半导体衬底装载在腔室（220）中。节流阀板（240）之间的角度控制在0-180度的范围内。然后操作涡轮泵（245）。通过使工艺气体流入室内，在半导体衬底上形成绝缘层。优选地，节流阀板之间的角度能够控制在5-130度的范围内。优选地，通过控制节流阀板的切换角度，室的压力保持在1-10mT的范围内。优选地，通过使价态气体以及工艺气体流动来形成绝缘层。优选使用氮气作为价态气体。

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